一种大功率半导体致冷件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体致冷件技术领域，特别是涉及致冷件。
【背景技术】
[0002]半导体致冷件包括两侧的瓷板和瓷板中间焊接的晶粒，致冷件在工作的过程中，一侧瓷板温度升高、一侧温度降低，温度升温一侧的瓷板就会膨胀，而另一侧由于温度降低瓷板不会膨胀，而且可能收缩，由于中间的半导体晶粒将两侧的瓷板连接在一起，而致冷件两侧的瓷板不同步膨胀，就会使半导体致冷件变形、甚至损坏。
[0003]为了保证半导体致冷件正常使用，现有技术中采取的方案是:要求半导体致冷件的外形尺寸不能太大，目前使用的半导体致冷件最大的尺寸是60毫米X60毫米，由于致冷件的尺寸较小，其功率也不会太大，例如60毫米X 60毫米的致冷件功率最大是12V。
[0004]现有技术中，还没有其他的防止两侧的瓷板膨胀不同步的保护措施。
[0005]由于以上原因，现有的致冷件难以满足需要大功率致冷件的需求。
【发明内容】
[0006]本发明的目的就是针对上述缺点，提供一种可以满足不同的需要的大功率半导体致冷件。
[0007]本发明的技术方案是这样实现的:一种大功率半导体致冷件，包括两侧的瓷板和瓷板中间焊接的晶粒，其特征是:所述的瓷板上具有多个小孔。
[0008]较好的，所述的小孔包括圆形孔、椭圆形孔、方形孔等。
[0009]较好的，所述的小孔的直径或短轴小于1.0_。
[0010]较好的，所述的小孔密度是每平方厘米不小于4个。
[0011]最好的，所述的瓷板的厚度大于1.2毫米。
[0012]本发明的有益效果是:这样的半导体致冷件可以制成较大的尺寸、制成较大的功率、满足大功率的需求，所述的小孔包括圆形孔、椭圆形孔、方形孔等，所述的小孔的直径或短轴小于1.0mm,所述的小孔密度是每平方厘米不小于4个，所述的瓷板的厚度大于1.2毫米，都是为了更好的满足大功率致冷件而采取的更好的技术方案。
【附图说明】
[0013]图1是本发明的结构示意图。
[0014]其中:1、瓷板 2、晶粒 3、小孔。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图对本发明作进一步说明。
[0016]如图1所示，一种大功率半导体致冷件，包括两侧的瓷板I和瓷板中间焊接的晶粒2，其特征是:所述的瓷板上具有多个小孔3。设置了小孔可以消除瓷板受热产生的膨胀，保证受热不至于损坏，这样就可以将致冷件制造的较大，满足大功率致冷件的需要，实践证明瓷板上具有多个小孔的致冷件尺寸可以是10mmX 100mm，满足更大功率的需要。
[0017]较好的，所述的小孔包括圆形孔、椭圆形孔、方形孔等。
[0018]较好的，所述的小孔的直径或短轴小于1.0_，实践证明这样消除受热膨胀效应效果较好，而且正常的不影响焊接晶粒。
[0019]较好的，所述的小孔密度是每平方厘米不小于4个，这样可以将致冷件制成180mmX 180mm，功率达到220V，甚至更大，这样的致冷件可以满足大功率的致冷需要。
[0020]最好的，所述的瓷板的厚度大于1.2毫米，这样更能够保证致冷件的使用寿命。
[0021]以上所述仅为本发明的具体实施例，但本发明的结构特征并不限于此，任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围内。
【主权项】
1.一种大功率半导体致冷件，包括两侧的瓷板和瓷板中间焊接的晶粒，其特征是:所述的瓷板上具有多个小孔。2.根据权利要求1所述的半导体致冷件，其特征是:所述的小孔包括圆形孔、椭圆形孔、方形孔。3.根据权利要求2所述的半导体致冷件，其特征是:所述的小孔的直径或短轴小于1.0mm04.根据权利要求1、2或3所述的半导体致冷件，其特征是:所述的小孔密度是每平方厘米不小于4个。5.根据权利要求1、2或3所述的半导体致冷件，其特征是:所述的瓷板的厚度大于1.2毫米。6.根据权利要求4所述的半导体致冷件，其特征是:所述的瓷板的厚度大于1.2毫米。
【专利摘要】本发明涉及半导体致冷件技术领域，名称是一种大功率半导体致冷件，包括两侧的瓷板和瓷板中间焊接的晶粒，其特征是：所述的瓷板上具有多个小孔，所述的小孔包括圆形孔、椭圆形孔、方形孔等，所述的小孔的直径或短轴小于1.0mm，所述的小孔密度是每平方厘米不小于4个，所述的瓷板的厚度大于1.2毫米，这样的半导体致冷件可以制成较大的尺寸、制成较大的功率、满足大功率的需求，所述的小孔包括圆形孔、椭圆形孔、方形孔等，所述的小孔的直径或短轴小于1.0mm，所述的小孔密度是每平方厘米不小于4个，所述的瓷板的厚度大于1.2毫米，都是为了更好的满足大功率致冷件而采取的更好的技术方案。
【IPC分类】H01L35/32
【公开号】CN104934525
【申请号】CN201410101508
【发明人】刘宝成
【申请人】河南恒昌电子有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2014年3月19日