薄膜晶体管及制造方法、阵列基板、显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示装置领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法、一种包括所述薄膜晶体管的显示面板以及该显示面板的阵列基板。
【背景技术】
[0002]发光二极管显示产品由于高亮度、高对比度、宽视角、自发光等优点，受到了人们越来越多的重视。
[0003]图1 (a)至图1 (f)中所示的是现有技术中制造发光二极管显示装置中的薄膜晶体管的步骤，从图中可以看出，现有技术中，制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤:
[0004]如图1 (a)所示，在基板500上依次形成缓冲层600、有源层100、栅极绝缘层210、栅极400和层间绝缘层220，栅极绝缘层210和层间绝缘层220共同构成绝缘层200 ；
[0005]如图1 (b)所示，利用掩膜板对层间绝缘层220进行构图工艺，以在层间绝缘层220上形成源极过孔410和漏极过孔420 ;
[0006]如图1 (c)所示，形成源漏金属层A ；
[0007]如图1 (d)所示，在源漏金属层A上形成第一光刻胶层B ；
[0008]如图1 (e)所示，利用掩膜板对第一光刻胶层B进行光刻工艺，以形成掩膜图形；
[0009]如图1(f)所示，以掩膜图形为掩膜，对源漏金属层进行刻蚀，以获得源极310和漏极 320。
[0010]有上述描述可知，在形成了层间绝缘层之后，仍然需要使用两次掩膜板才可得到最终的薄膜晶体管。因此，制造薄膜晶体管需要较高的成本。
[0011]因此，如何降低制造薄膜晶体管的成本成为本领域亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0012]本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法、一种包括所述薄膜晶体管的阵列基板以及包括该阵列基板的显示面板。利用本发明所提供的制造方法制造本发明所提供的薄膜晶体管所需成本较低。
[0013]为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、与所述有源层绝缘间隔设置的栅极、设置在所述有源层上方的绝缘层、通过贯穿所述绝缘层的源极过孔与所述有源层接触的源极和通过贯穿所述绝缘层的漏极过孔与所述有源层接触的漏极，其中，所述源极过孔包括源极部和形成在所述源极部下方与该源极部贯通的源极过孔部，所述源极部的宽度大于所述源极过孔部的宽度，以使得所述源极过孔形成为阶梯孔，所述源极形成在所述源极部中，所述源极过孔部中填充有连接所述有源层和所述源极的源极导电材料，所述漏极过孔包括漏极部和形成在所述漏极部下方与该漏极部贯通的漏极过孔部，所述漏极部的宽度大于所述漏极过孔部的宽度，以使得所述漏极过孔形成为阶梯孔，所述漏极形成在所述漏极部中，所述漏极过孔部中填充有连接所述有源层和所述漏极的漏极导电材料。
[0014]优选地，所述有源层由多晶硅材料制成。
[0015]优选地，所述绝缘层包括栅极绝缘层和层间绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层，所述栅极形成在所述栅极绝缘层上，所述层间绝缘层覆盖所述栅极绝缘层，所述源极部和所述漏极部形成在所述层间绝缘层上。
[0016]优选地，所述薄膜晶体管包括基板和设置在所述有源层与所述基板之间的缓冲层O
[0017]作为本发明的另一个方面，提供一种显示面板的阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管为本发明所提供的上述薄膜晶体管。
[0018]作为本发明的还一个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，其中，所述阵列基板为本发明所提供的上述阵列基板。
[0019]作为本发明的有一个方面，提供一种薄膜晶体管的制造方法，其中，所述制造方法包括:
[0020]形成包括有源层；
[0021]形成栅极绝缘层；
[0022]形成栅极，所述栅极与所述有源层绝缘间隔；
[0023]形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极和所述栅极绝缘层；
[0024]形成源极过孔和漏极过孔，所述源极过孔包括源极部和源极过孔部，所述源极过孔部位于所述源极部下方，且与所述源极部贯通，所述源极过孔部贯穿所述绝缘层到达所述有源层，所述源极部的宽度大于所述源极过孔部的宽度，以使得所述源极过孔形成为阶梯孔，所述漏极过孔部位于所述漏极部下方，且与所述漏极部贯通，所述漏极过孔部贯穿所述绝缘层到达所述有源层，所述漏极部的宽度大于所述漏极过孔部的宽度，以使得所述漏极过孔形成为阶梯孔；
[0025]形成源漏极金属层，形成所述源漏极金属层的金属材料填充在所述源极过孔和所述漏极过孔中；
[0026]形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层覆盖所述源漏极金属层，且所述第一光刻胶层的上表面为平面；
[0027]对所述第一光刻胶层进行灰化，去除所述第一光刻胶层中除了所述源极过孔上方和所述漏极过孔上方之外的其他部分的光刻胶材料；
[0028]蚀除所述源漏极金属层中未覆盖有光刻胶材料的部分的金属材料，以获得源极和漏极，所述源极和漏极分别位于所述源极部和所述漏极部中。
[0029]优选地，形成源极过孔和漏极过孔的步骤包括:
[0030]在所述绝缘层上形成第二光刻胶层；
[0031]利用半色调掩膜板对所述第二光刻胶层进行曝光；
[0032]对曝光后的第二光刻胶层进行显影；
[0033]对所述绝缘层进行刻蚀。
[0034]优选地，所述制造方法还包括在形成有源层的步骤之前进行的:
[0035]形成缓冲层。
[0036]优选地，形成有源层的步骤包括:
[0037]形成非晶硅层；
[0038]对非晶硅层进行退火，以获得多晶硅层；
[0039]对多晶硅层进行构图工艺，以获得所述有源层。
[0040]在本发明所提供的制造方法中，当在形成由源极过孔和漏极过孔的基板上沉积源漏金属层时，形成的源漏金属层的表面并不是平坦的，源漏金属材料填满源极过孔部和漏极过孔部后，在源极部和漏极部中形成一层源漏金属层，并且，形成了源漏金属层后，源极部上仍然形成有凹陷部，漏极部上仍然形成有凹陷。
[0041 ] 随后需要在源漏金属层上方形成一层第一光刻胶层，可以将第一光刻胶层的表面设置层平面，因此，第一光刻胶层的厚度并不是处处相等的。对应于源极过孔和漏极过孔的部分厚度较大，对应于源极过孔和漏极过孔之间的部分的厚度较小。因此，通过掩膜板照射第一光刻胶层之后再进行一步灰化工艺即可除去源极过孔和漏极过孔之间的部分上方的光刻胶，而源极过孔和漏极过孔上方的光刻胶被保留，如图所示。此时，再进行一步刻蚀工艺即可将源极过孔部和漏极过孔部之间的金属材料去掉，以获得源极和漏极，并不需要再引入掩膜板。通过上述描述可知，与现有技术相比，在制造本发明所提供的薄膜晶体管时，少使用一次掩膜板，降低了制造所述薄膜晶体管的成本。
【附图说明】
[0042]附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中:
[0043]图1(a)是制作薄膜晶体管时，基板上形成有源层、栅极绝缘层、栅极和层间绝缘层后的不意图；
[0044]图1(b)是现有技术中，形成了过孔后的示意图；
[0045]图1(c)是现有技术中，形成了源漏金属层后的示意图；
[0046]图1(d)是现有技术中，在源漏金属层上形成了光刻胶后的示意图；
[0047]图1(e)是现有技术中，利用光刻胶形成掩膜图形后的示意图；
[0048]图1(f)是经过刻蚀后形成源漏极图形的示意图；
[0049]图2(a)是本发明所提供的方法中，形成了过孔后的示意图；
[0050]图2(b)是本发明所提供的方法中，形成了源漏金属层后的示意图；
[0051]图2(c)是本发明所提供的方法中，在源漏金属层上形成了光刻胶后的示意图；
[0052]图2(d)是本发明所提供的方法中，利用光刻胶形成掩膜图形后的示意图；
[0053]图2(e)是经过刻蚀后形成源漏极的示意图。
[0054]附图标记说明
[0055]100:有源层200:绝缘层
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