分钟， 进而，在大气气氛下、230°C下烧成15分钟，在IT0基板上形成了 30nm的均匀的薄膜。作为 IT0基板，使用将铟锡氧化物（IT0)在表面上以膜厚150nm图案化的25mmX25mmX0. 7t的 玻璃基板，.使用前用〇2等离子体洗净装置（150W、30秒）将表面上的杂质除去。
[0132] 接下来，对于形成了薄膜的IT0基板，蒸镀装置（真空度1.OXl(T5Pa)依次层叠N， ^-二（1-萘基）44'-二苯基联苯胺（(1-即0)、三（8-羟基喹啉）铝（111)仏1%)、氟化 锂和铝的薄膜，得到了有机EL元件。此时，蒸镀速率对于a-NPD，Alq3和铝在0. 2nm/秒、 对于氟化锂在〇? 02nm/秒的条件下分别进行，膜厚分别为30nm、40nm、0. 5nm和120nm〇
[0133] 再有，为了防止空气中的氧、水等的影响引起的特性劣化，将有机EL元件用密封 基板密封后，对其特性进行了评价。按以下的顺序进行密封。
[0134] 在氧浓度2ppm以下、露点_85°C以下的氮气氛中将有机EL元件收容于密封基板之 间，用粘合材料（于力'七テAテックス（株）制造，XNR5516Z-B1)粘贴密封基板。此时，将 捕水剂（久二V夕（株）制造，HD-071010W-40)与有机EL元件一起收容于密封基板内。
[0135] 对于粘贴的密封基板，照射UV光（波长：365nm、照射量：6000mJ/cm2)后，在80°C 下退火处理1小时，使粘合材料固化。
[0136][实施例2-2~2-5和比较例10~18]
[0137] 除了代替实施例1-1中得到的清漆而分别使用了实施例1-2~1-5、比较例1~9 中得到的清漆以外，采用与实施例2-1同样的方法制作EL元件。
[0138][实施例 3-1]
[0139] 除了使烧成温度为160°C以外，采用与实施例2-1同样的方法制作EL元件。
[0140][实施例3-2~3-5、比较例19~22]
[0141] 除了代替实施例1-1中得到的清漆而分别使用了实施例1-2~1-5、比较例1~ 3、5中得到的清漆以外，采用与实施例3-1同样的方法制作EL元件。
[0142] 测定上述制作的有机EL元件的驱动电压5V下的电流密度和亮度。将结果示于表 1和表2。
[0143] [表1]
[0144]
[0147] 如表1和表2中所不，使用了相对于电荷传输性物质1、在3. 5~15. 0的范围内 (质量比）包含磷钨酸的电荷传输性清漆的情形（实施例2-1~2-5和3-1~3-5)下，不 依赖于烧成温度，能够制造具有优异的亮度特性的EL元件。
[0148] 另一方面，使用了在上述的范围外包含磷钨酸的电荷传输性清漆（比较例10~ 12、19~21)、包含磷钼酸的电荷传输性清漆（比较例13~18、22)的情形下，在高温烧成、 低温烧成的所有情形下都不存在给予能够实现良好的亮度特性的EL元件的清漆。
[0149][实施例 4-1]
[0150] 除了使烧成气氛为氮气氛以外，采用与实施例2-1同样的方法制作EL元件。
[0151][实施例4_2，4_3、比较例23~邪]
[0152] 除了代替实施例1-1中得到的清漆而分别使用了实施例1-2,1-3、比较例1、2、5中 得到的清漆以外，采用与实施例4-1同样的方法制作EL元件。
[0153][实施例 5_1]
[0154] 除了使烧成温度为200°C，使烧成气氛为减压下（21. 3kPa)以外，采用与实施例 2-3同样的方法制作EL元件。
[0155] 测定上述制作的有机EL元件的驱动电压5V下的电流密度和亮度。将结果示于表 3〇
[0156][表 3]
[0157]
[0158] 如表1和表3中所不，使用了相对于电荷传输性物质1、在3. 5~15. 0的范围内 (质量比）含有磷钨酸的电荷传输性清漆的情形（实施例2-1~2-5,4-1~4-3和5-1) 下，不依赖于烧成气氛，能够制造具有优异的亮度特性的EL元件。
[0159] 另一方面，使用了在上述的范围外包含磷钨酸的电荷传输性清漆（比较例23， 24)、包含磷钼酸的电荷传输性清漆（比较例25)的情形下，在大气下烧成、氧不充分地存在 的气氛下的烧成（氮下烧成或减压下烧成）的情形下，都不存在给予能够实现良好的亮度 特性的EL元件的清漆。
[0160] 进行了实施例2-1~2-4、3-1~3-4、4-1~4-3、5-1和比较例15、22中制作的EL 元件的耐久性试验。将亮度的半衰期（初期亮度5000cd/m2)示于表4。
[0161] [表 4]
[0162]
[0163] 如表4中所示可知，具备实施例中制作的电荷传输性薄膜的有机EL元件的亮度的 半衰期比具备比较例中制作的电荷传输性薄膜的有机EL元件长。
[0164] 由这些结果可知，相对于电荷传输性物质1，通过在3. 5~15. 0的范围内（质量 比）使用磷钨酸，从而能够制造能够实现具有高耐久性的有机EL元件的电荷传输性薄膜、 特别是适合作为空穴注入层的电荷传输性薄膜。
【主权项】
1. 电荷传输性清漆，其特征在于，含有：包含式（1)所示的苯胺衍生物的电荷传输性物 质、包含磷钨酸的掺杂剂物质、和有机溶剂，上述掺杂剂物质的质量（WD)与上述电荷传输性 物质的质量（WH)之比（WD/WH)满足3. 5彡WD/WH< 15. 0，式中，R1~R6各自独立地表示氢原子，卤素原子，硝基，氰基，氨基，可用Z1取代的、碳数 1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳数2~20的炔基，可用Z2取代的、碳数6~20的 芳基或碳数2~20的杂芳基，-NHY1，-NY2Y3, -OY4,或-SY5基， Y1~Y5各自独立地表示可被Z1取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳 数2~20的炔基，或者可被Z2取代的、碳数6~20的芳基或碳数2~20的杂芳基， Z1表示卤素原子，硝基，氰基，氨基，或者可被Z3取代的、碳数6~20的芳基或碳数2~ 20的杂芳基， Z2表示卤素原子，硝基，氰基，氨基，或者可被Z3取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~ 20的烯基或碳数2~20的炔基， Z3表示卤素原子、硝基、氰基、或氨基，m和n各自独立地为1~5的整数。2. 权利要求1所述的电荷传输性清漆，其中，上述R1~R6各自独立地表示氢原 子，卤素原子，可被Z1取代的碳数1~20的烷基，可被Z2取代的碳数6~20的芳 基，-NHY1，-NY2Y3, -OY4,或-SY5， 上述Y1~Y5各自独立地表示可被Z1取代的碳数1~10的烷基或可被Z2取代的碳数 6~10的芳基， 上述Z1表示卤素原子或者可被Z3取代的碳数6~10的芳基， 上述Z2表示卤素原子或者可被Z3取代的碳数1~10的烷基。3. 使用权利要求1或2所述的电荷传输性清漆制作的电荷传输性薄膜。4. 电荷传输性薄膜，是使用包含式（1)所示的苯胺衍生物的电荷传输性物质和包含磷 钨酸的掺杂剂物质制作的电荷传输性薄膜，其中，上述掺杂剂物质的质量（WD)与上述电荷 传输性物质的质量（WH)之比（WD/WH)满足3. 5彡WD/WH< 15. 0，式中，R1~R6各自独立地表示氢原子，卤素原子，硝基，氰基，氨基，可被Z1取代的、碳数 1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳数2~20的炔基，可被Z2取代的、碳数6~20的 芳基或碳数2~20的杂芳基，-NHY1，-NY2Y3, -OY4,或-SY5基， Y1~Y5各自独立地表示可被Z1取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳 数2~20的炔基，或者可被Z2取代的、碳数6~20的芳基或碳数2~20的杂芳基， Z1表示卤素原子，硝基，氰基，氨基，或者可被Z3取代的、碳数6~20的芳基或碳数2~ 20的杂芳基， Z2表示卤素原子，硝基，氰基，氨基，或者可被Z3取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~ 20的烯基或碳数2~20的炔基， Z3表示卤素原子、硝基、氰基、或氨基，m和n各自独立地为1~5的整数。5. 电子器件，其具有权利要求3或4所述的电荷传输性薄膜。6. 有机电致发光元件，其具有权利要求3或4所述的电荷传输性薄膜。7. 权利要求6所述的有机电致发光元件，其中，上述电荷传输性薄膜为空穴注入层或 空穴传输层。8. 电荷传输性薄膜的制造方法，其特征在于，将权利要求1或2所述的电荷传输性清漆 涂布在基材上，使溶剂蒸发。9. 权利要求8所述的电荷传输性薄膜的制造方法，其中，在氮气氛下烧成，使上述溶剂 蒸发。10. 权利要求8所述的电荷传输性薄膜的制造方法，其中，在真空下烧成，使上述溶剂 蒸发。11. 有机电致发光元件的制造方法，其中，使用权利要求3或4所述的电荷传输性薄膜。12. 有机电致发光元件的制造方法，其中，使用采用权利要求8~10的任一项所述的制 造方法得到的电荷传输性薄膜。
【专利摘要】含有包含式(1)所示的苯胺衍生物的电荷传输性物质、包含磷钨酸的掺杂剂物质和有机溶剂并且掺杂剂物质的质量(WD)与电荷传输性物质的质量(WH)之比(WD/WH)满足3.5≤WD/WH≤15.0的电荷传输性清漆能够在非活性气体气氛下、减压下这样的氧不充分地存在的条件下、低温下烧成，同时在这样的烧成条件下制作的薄膜具有高平坦性且高电荷传输性，在应用于有机EL元件的情形下能够发挥优异的EL元件特性。(式中，R1～R6各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基等，m和n各自独立地为1～5的整数)。
【IPC分类】H01L51/50, C07C211/54, H05B33/10
【公开号】CN104956511
【申请号】CN201480005150
【发明人】中家直树, 高山祐树
【申请人】日产化学工业株式会社
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2014年1月27日
【公告号】EP2950361A1, WO2014115865A1