一种表面镀铜的ito导电膜的制作方法

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一种表面镀铜的ito导电膜的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种透明导电膜,特别是涉及一种表面镀铜的ITO导电膜。
【背景技术】
[0002] 目前通用的触摸屏包括适用于移动设备和消费电子产品的电阻式触摸屏和投射 电容式触摸屏,随着苹果公司IPhone手机的推出,引发了电容式触摸屏的热潮,电容式触 摸屏向各种电子产品领域渗透。随着技术的进步,电容式触摸屏的各种结构不断涌现,其中 最常用的有苹果经典的双面ITO结构,单面TP桥结构,film-glass结构,film-film-glass 结构等,其中对于film-film结构的电容屏结构,电极引线大多采用丝印银浆。通常为ITO 导电膜制作感应图型后,在边侧上方制作导线,以将讯号连接至驱动1C。目前在ITO上方 印刷导电银浆时,需在银浆中添加黏着剂,若黏着剂过高则会导致导电度较差;黏着剂过低 则银浆的粘着性不强,再有制作的银导电厚度较厚且线宽较宽,绕曲效果亦较差,容易造成 断线的问题。

【发明内容】

[0003] 本发明是针对现有技术的不足,提供一种表面镀铜的ITO导电膜,电极粘着性好, 避免使用黏着剂,并且有效解决绕曲效果较差、容易造成断线的问题。
[0004] 本发明采用的技术方案如下:一种表面镀铜的ITO导电膜,包括依次层叠设置在 基材一侧的光学调整层、ITO层及铜导线层,所述铜导线层通过溅镀、蒸镀工艺制作在ITO 层上,基材与光学调整层之间设有调光硬化涂层,所述铜导线层厚度为50nm~800nm,所 述调光硬化涂层折射率介于1. 6~L7之间,所述调光硬化涂层厚度介于300nm~2um间, 所述ITO层厚度在15nm~35nm,所述ITO层的表面电阻兰400D/ □〇
[0005] 进一步地,所述基材的另一侧设置有调光硬化涂层。
[0006] 进一步地,所述基材的另一侧相对地设置有调光硬化涂层、光学调整层、ITO层及 铜导线层。
[0007] 进一步地,所述铜导线层厚度优选为IOOnm~300nm。
[0008] 进一步地,所述ITO层厚度优选为20nm~30nm。
[0009] 进一步地,所述铜导线层材质采用纯铜或铜合金。
[0010] 进一步地,所述调光硬化涂层湿式涂布形成在基材表面。
[0011] 进一步地,所述调光硬化涂层厚度取值在300nm至Iym。
[0012] 进一步地,所述表面镀铜的ITO导电膜在蚀刻掉铜导线层后,其色值介于0~2. 0 之间。
[0013] 进一步地,所述光学调整层的折射率为1. 4~1. 5,厚度为10~40nm。
[0014] 与现有技术相比,本发明在ITO导电膜上方,将铜导线层于制作ITO上方,不需要 添加黏着剂,且仅需数百奈米的厚度即可达到需求的导电效果,同时因无黏着剂之添加,所 以同时也解决了绕曲的问题。
【附图说明】
[0015] 图1是本发明表面镀铜的ITO导电膜的第一较佳实施方式的层结构示意图;
[0016] 图2是本发明的第二较佳实施方式的层结构示意图;
[0017] 图3是本发明的第三较佳实施方式的层结构示意图。
【具体实施方式】
[0018] 下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例,在不 冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合,下面将参考附图并结 合实施例来详细说明本发明。
[0019] 如图1所示,一种表面镀铜的ITO导电膜,其第一较佳实施方式包括基材1、以及 层叠设置在基材1上表面的光学调整层2、ITO层3及铜导线层4。所述基材1为可透光材 质,表面均勾且平整,其材质可为PET、PEN、C0C(CyclicOlefinCopolymer)、C0P(Cyclic OlefinPolymers)中的任意一种。基材I与光学调整层2之间制作兼具调光与抗刮伤效果 的调光硬化涂层5,ITO层3设置在光学调整层2上,铜导线层4通过溅镀、蒸镀等技术制作 在ITO层3上。
[0020] 本发明的第二较佳实施方式,一种表面镀铜的ITO导电膜,在第一较佳实施方式 的基础上,如图2所示,所述基材1的下表面进一步设置有另一调光硬化涂层5。
[0021] 本发明的第三较佳实施方式,一种表面镀铜的ITO导电膜,在第一较佳实施方式 的基础上,如图3所示,所述基材1下表面进一步依次层叠设置有调光硬化涂层5、光学调整 层2、ITO层3及铜导线层4,与基材1上表面的各层对称。
[0022] 上述各实施例方式中,所述调光硬化涂层5折射率为1. 6~1. 7,且厚度在 300nm~2um〇
[0023] 所述光学调整层2用于调整入射光的折射率,折射率为1.4~1.5,其厚度为 10 ~40nm。
[0024] 所述ITO层3为铟锡氧化物导电层,并且氧化锡(SnO2)比例介于1~10%间,以薄 膜沉积的方式形成于光学调整层2表面上。ITO层3在150°C条件下经过60分钟的热处理 后,其表面电阻变化率经浸泡IN盐酸3分钟后=20%。所述ITO层3厚度选择为15nm~ 35nm,ITO层3的表面电阻优选为兰400Q/ 口。
[0025] D/ □为薄膜电阻的单位,即欧姆/平方。薄膜电阻具有均匀厚度薄膜电阻的量 度。通常被用作评估半导体掺杂的结果。这种工艺的例子有:半导体的掺杂领域(比如硅 或者多晶硅),以及被丝网印刷到薄膜混合微电路基底上的电阻。薄膜电阻这一概念的使 用,与电阻或者电阻率相对,是它直接用四终端感应测量法(也称为四点探针测量法)来测 量。薄膜电阻用欧姆/平方来计量,可被应用于将薄膜考虑为一个二维实体的二维系统。它 与三维系统下所用的电阻率的概念对等。当使用到薄膜电阻一词的时候,电流必须沿著薄
P代表电阻率,A代表截面面积而L代表长度。截面面积可被分解为宽度W和薄膜厚度t。
为它被一个无量纲量所乘,所以单位依然是欧姆。而欧姆/平方这一单位被使用是因为它 给出了以欧姆为单位的从一个平方区域流向相对平方区域的电阻,无论平方区域的大小如 何。对于正方情形,L=W。因此,对任意平方大小,有R=Rs。四点探针是使用来减少接触 电阻的问题,它常被使用来确认材料的片电阻值。感应测量也是有被使用。此方法是测量 由涡流产生的屏蔽效果。这种技术的其中一种是被测导电片放置在两个线圈之间。另外, 这种非接触式片电阻值的测量方法也可以测量封装内的薄膜或表面粗糙度大的薄膜。
[0026] 所述铜导线层4不限于纯铜,亦可为导电之铜合金,其厚度为50nm~800nm之间, 其中,优选为IOOnm~500nm。依据所使用的不同的铜导线层4的厚度,ITO与铜表面电阻 (即ITO层3与铜导线层4)所产生的电阻以及铜导线层4在常温密着、铜制作线路后对 IC驱动状况、及铜表面针孔状况都会有所差异,以下将根据实施例进一步地说明。
[0027] 比较例1 :先将基板1作电浆清洗前处理,然后在其表面上用溅镀或蒸镀的方式依 序镀上光学调整层2、ITO层3,其中ITO表面电阻为150Q/ □,基板1的常温密着度为5B, 采用百格测试法,将测试品利用百格刀与3M-600型胶带,观察其密着度,密着度有OB~5B 共六个等级,5B为最佳。
[0028] 实施例1 :本实施例1在制作时,先将基板1作电浆清洗前处理,然后在其待测表 面上通过溅镀或蒸镀的方式依序镀上调光硬化涂层5、光学调整层2、ITO层3及铜导线层 4,其中铜导线层4厚度为50nm。
[0029] 实施例2:实施例2的制备流程与结构与实施例1相同,所不同处仅在于:铜导线 层4厚度为IOOnm0
[0030]实施例3 :实施例3的制备流程与结构与实施例1相同,所不同处仅在于:铜导线 层4厚度为200nm〇
[0031] 实施例4 :实施例4的制备流程与结构与实施例1相同,所不同处仅在于:铜导线 层4厚度为300nm〇
[0032] 实施例5:实施例5的制备流程与结构与实施例1相同,所不同处仅在于:铜导线 层4厚度为500nm〇
[0033] 实施例6:实施例6的制备流程与结构与实施例1相同,所不同处仅在于:铜导线 层4厚度为800nm〇
[0034] 将实施例1至6与比较例1分别进行ITO+铜表面所产生的电阻、铜与ITO之间的 常温密着度、铜导线层制作的IC驱动线路状况、以及铜表面针孔状况等功效的验证,并将 结果分类整理如下表一所示。
[0035] 表一:铜导线层厚度功效结果:
[0036]
[0037] 从表一可以看到,随着铜导线层4厚度的增加,ITO+铜表面所产生的电阻逐步变 小,当铜导线层4厚度太薄为50mm时,ITO+铜表面电阻太高,将铜导线层制作成导线无法驱 动IC;当铜导线层厚度太厚达到800mm时,铜与ITO间之密着性较差,也会产生表面针孔, 造成质量缺陷。由此可见,铜导线层4的厚度的适用范围在50mm至800mm,经测试,在100~ 500nm之间时,具有最佳的使用功效。
[0038] 由于在制作过程中需要使用蚀刻液进行蚀刻,如果ITO层3表面电阻过大,则无法 承受蚀刻液的侵蚀,导致ITO层3受破坏,因此,将ITO层3表面电阻的大小对添加铜导线 层4有着重要的影响,下面将根据实施例进一步地说明:
[0039] 比较例2 :先将基板1作电浆清洗前处理,然后在其表面上溅镀或蒸镀上光学调整 层2、ITO层3及铜导线层4,其中铜导
再多了解一些
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