传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种传感器部件的加工设备，尤其是一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构。
【背景技术】
[0002]传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理；现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀；然而，现有的加工流程中，反应气体往往直接通入反应容器中，反应容器与外界仅能通过密封圈进行密闭处理，难以完全避免反应气体泄漏的现象出现。当反应气体泄漏室，其不仅会影响反应容器内部的单晶硅的刻蚀精度，并会对外界造成污染。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其可显著改善刻蚀过程中，反应气体导入的效率，并提升反应室的密封性。
[0004]为解决上述技术问题，本发明涉及一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；所述反应室的上端面设置有反应端盖，其采用中空结构，所述送气管道延伸至反应端盖内部；所述反应端盖的下端面之中设置有多个导气管道，每一个导气管道均包括有第一管部，第二管部与第三管部，其中，第一管部连接至反应端盖内部，第三管部连接至反应室内部，第二管部设置于第一管部与第三管部之间；所述第一管部的直径在竖直方向上逐渐缩小，第三管部的直径在竖直方向上逐渐增大。
[0005]作为本发明的一种改进，所述反应端盖的下端面设置有至少4个导气管道，其可对于反应室内部各个位置提供均匀的反应气体。
[0006]作为本发明的一种改进，所述反应端盖的下端面设置有至少2组导气管道，每组导气管道均由至少一个关于反应端盖的轴线成旋转对称的导气管道构成。
[0007]作为本发明的一种改进，所述反应端盖的下端面设置有3组导气管道，其中，每组导气管道中的任意导气管道与反应端盖轴线之间的距离各不相同。采用上述设计，其可使得反应气体于反应室内部的分布均度得以进一步的改进。
[0008]作为本发明的一种改进，所述导气管道中，第一管部的长度为第三管部长度的1/5至1/4，其可使得第一管部与第三管部之间产生的负压吸附效果得以改善，从而使得气体导入的效率得以改善，并使得导气管道对于反应室内部气体的阻隔效果亦得以改善。
[0009]作为本发明的一种改进，所述导气管道中，第二管部的长度至多为I厘米。
[0010]作为本发明的一种改进，所述反应端盖与反应室的连接端部设置有密封圈。
[0011]作为本发明的一种改进，所述送气管道与反应端盖的连接端部设置有密封圈。采用上述设计，其可通过多重密封处理，使得反应室内部气体的密封效果得以改善。
[0012]采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其可通过反应端盖的中空结构，使得反应气体通过送气管道后，通过反应端盖底端面的多个导气管道通入反应室内部；导气管道的结构设置，使得其在第一管部与第三管部之间形成压差，使得反应气体可迅速通入反应室之中，并通过压差避免反应气体回到反应端盖之中，以造成气体的外泄，从而使得气体的导入效率，以及反应室的密封性均得以改善。
【附图说明】
[0013]图1为本发明示意图；
图2为本发明中反应端盖俯视图；
附图标记列表:
I 一反应室、2—送气管道、3—气源室、4 一抽气管道、5—真空泵、6—片架、7—片架旋转机构、8—电磁线圈、9一反应端盖、10—导气管道、101—第一管部、102—第二管部、103—第三管部。
【具体实施方式】
[0014]下面结合【具体实施方式】，进一步阐明本发明，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
[0015]实施例1
如图1所示的一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其包括有反应室1，反应室I的上端部设置有送气管道2，其连接至设置在反应室I外部的气源室3，反应室I的下端部设置有抽气管道4，其连接至设置在反应室I外部的真空泵5 ;所述反应室I的轴线位置设置有片架6，其连接至设置在反应室I外部的片架旋转机构7，其具体包括有电机；所述反应室I外侧设置有电磁线圈8 ;所述反应室的上端面设置有反应端盖9，其采用中空结构，所述送气管道2延伸至反应端盖9内部；所述反应端盖9的下端面之中设置有多个导气管道10，每一个导气管道10均包括有第一管部101，第二管部102与第三管部103，其中，第一管部101连接至反应端盖9内部，第三管部103连接至反应室I内部，第二管部102设置于第一管部101与第三管部102之间；所述第一管部101的直径在竖直方向上逐渐缩小，第三管部102的直径在竖直方向上逐渐增大。
[0016]如图2所示，所述反应端盖的下端面设置有3组导气管道，其中，每组导气管道中的任意导气管道与反应端盖轴线之间的距离各不相同；3组导气管道分别位于反应端盖9的轴线位置，1/3直径位置与2/3直径位置，其中，位于反应端盖9的轴线位置的导气管道中包含有一个导气管道10，其与反应端盖9共轴，其余两组导气管道均包括有3个导气管道10。采用上述设计，其可使得反应气体于反应室内部的分布均度得以显著改善。
[0017]采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其可通过反应端盖的中空结构，使得反应气体通过送气管道后，通过反应端盖底端面的多个导气管道通入反应室内部；导气管道的结构设置，使得其在第一管部与第三管部之间形成压差，使得反应气体可迅速通入反应室之中，并通过压差避免反应气体回到反应端盖之中，以造成气体的外泄，从而使得气体的导入效率，以及反应室的密封性均得以改善。
[0018]实施例2
作为本发明的一种改进，所述导气管道10中，第一管部101的长度为第三管部102长度的1/5，其可使得第一管部与第三管部之间产生的负压吸附效果得以改善，从而使得气体导入的效率得以改善，并使得导气管道对于反应室内部气体的阻隔效果亦得以改善。
[0019]作为本发明的一种改进，所述导气管道中，第二管部的长度至多为I厘米。
[0020]本实施例其余特征与优点均与实施例1相同。
[0021]实施例3
作为本发明的一种改进，所述反应端盖9与反应室I的连接端部设置有密封圈。
[0022]作为本发明的一种改进，所述送气管道2与反应端盖9的连接端部设置有密封圈。采用上述设计，其可通过多重密封处理，使得反应室内部气体的密封效果得以改善。
[0023]本实施例其余特征与优点均与实施例2相同。
【主权项】
1.一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；其特征在于，所述反应室的上端面设置有反应端盖，其采用中空结构，所述送气管道延伸至反应端盖内部；所述反应端盖的下端面之中设置有多个导气管道，每一个导气管道均包括有第一管部，第二管部与第三管部，其中，第一管部连接至反应端盖内部，第三管部连接至反应室内部，第二管部设置于第一管部与第三管部之间；所述第一管部的直径在竖直方向上逐渐缩小，第三管部的直径在竖直方向上逐渐增大。2.按照权利要求1所述的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其特征在于，所述反应端盖的下端面设置有至少4个导气管道。3.按照权利要求2所述的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其特征在于，所述反应端盖的下端面设置有至少2组导气管道，每组导气管道均由至少一个关于反应端盖的轴线成旋转对称的导气管道构成。4.按照权利要求3所述的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其特征在于，所述反应端盖的下端面设置有3组导气管道，其中，每组导气管道中的任意导气管道与反应端盖轴线之间的距离各不相同。5.按照权利要求4所述的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其特征在于，所述导气管道中，第一管部的长度为第三管部长度的1/5至1/4。6.按照权利要求5所述的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其特征在于，所述导气管道中，第二管部的长度至多为I厘米。7.按照权利要求6所述的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其特征在于，所述反应端盖与反应室的连接端部设置有密封圈。8.按照权利要求7所述的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其特征在于，所述送气管道与反应端盖的连接端部设置有密封圈。
【专利摘要】本发明公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室；所述反应室的上端面设置有反应端盖，其采用中空结构，所述送气管道延伸至反应端盖内部；所述反应端盖的下端面之中设置有多个导气管道，每一个导气管道均包括有第一管部，第二管部与第三管部，所述第一管部的直径在竖直方向上逐渐缩小，第三管部的直径在竖直方向上逐渐增大；采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其可通过导气管道的结构设置，使得其在第一管部与第三管部之间形成压差，使得反应气体可迅速通入反应室之中，并通过压差避免反应气体回到反应端盖之中，以造成气体的外泄。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN104979248
【申请号】CN201510399724
【发明人】牟恒
【申请人】江苏德尔森传感器科技有限公司
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2015年7月9日