一种减少ono刻蚀中衬底表面损伤的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法。
【背景技术】
[0002]ONO (Oxide-Nitride-Oxide，氧化物/氮化物/氧化物)结构是半导体器件制造过程中经常碰到的结构。而且，在半导体器件制造过程中经常需要对ONO结构进行沉积和刻蚀。
[0003]图1和图2示意性地示出了根据现有技术的ONO刻蚀步骤。如图1和图2所示，首先在衬底10 (一般为硅衬底)上沉积依次连续沉积第一氧化物层21、氮化物层22和第二氧化物层23，以在衬底10上形成ONO结构。随后对ONO结构进行刻蚀，从而暴露出部分衬底表面11。
[0004]但是，现在存在的问题是，如果ONO结构底部的第一氧化物层21太薄，则暴露的部分衬底表面11很可能会由于过分的干法刻蚀而被损伤。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够防止或者减少暴露的部分衬底表面被干法刻蚀而损伤的方法。
[0006]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，包括:
[0007]第一步骤:在衬底上沉积依次连续沉积第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，以在衬底上形成ONO结构；
[0008]第二步骤:对ONO结构进行光刻及干法刻蚀，从而暴露出部分衬底表面；
[0009]第三步骤:对第二步骤之后的半导体结构进行热氧化处理，以便在半导体结构表面形成热氧化层；
[0010]第四步骤:利用湿法刻蚀去除热氧化层。
[0011]优选地，所述第一氧化物层的厚度介于18?25A之间。
[0012]优选地，所述第二氧化物层的厚度介于140?255A之间。
[0013]优选地，所述氮化物层的厚度介于80?IlOA之间。
[0014]优选地，所述第一氧化物层和所述第二氧化物层的材料是二氧化硅。
[0015]优选地，所述氮化物层的材料是氮化硅。
[0016]优选地，所述衬底是硅衬底。
【附图说明】
[0017]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0018]图1和图2示意性地示出了根据现有技术的ONO刻蚀步骤。
[0019]图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法的流程图。
[0020]图4至图7示意性地示出了根据本发明优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法的各个步骤。
[0021]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0022]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0023]图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法的流程图。而且，图4至图7示意性地示出了根据本发明优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法的各个步骤。
[0024]现在结合图4至图7并参考图3来描述根据本发明优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法。
[0025]根据本发明优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法包括:
[0026]第一步骤S1:首先在衬底10 ( 一般为硅衬底)上沉积依次连续沉积第一氧化物层21、氮化物层22和第二氧化物层23，以在衬底10上形成ONO结构，如图4所示；
[0027]优选地，所述第一氧化物层21的厚度介于18?25A之间。优选地，所述第二氧化物层23的厚度介于140?255A之间。优选地，所述氮化物层22的厚度介于80?IlOA之间。氮化物层22上的氧化物的总厚度为140?255A。
[0028]优选地，所述第一氧化物层21和所述第二氧化物层23的材料是二氧化硅。优选地，所述氮化物层22的材料是氮化硅。
[0029]第二步骤S2:对ONO结构进行光刻及干法刻蚀，从而暴露出部分衬底表面11，如图5所示；
[0030]第三步骤S3:对第二步骤S2之后的半导体结构(即图2所示的结构)进行热氧化处理，以便在半导体结构表面形成热氧化层30，如图6所示；
[0031]第三步骤S3的热氧化处理能够对形成器件的硅表面进行修复，因为在第二步骤S2的ONO刻蚀中，底部氧化物的厚度非常薄，硅表面可能会因为刻蚀被损伤，而第三步骤S3的热氧化处理能够对损伤进行修复。
[0032]第四步骤S4:利用湿法刻蚀去除热氧化层30，如图7所示。湿法刻蚀会降低氮化物层22上的氧化物的厚度，由此使得氮化物层22上的氧化物的厚度降为原本的大致40?55A。
[0033]根据本发明，可以防止或者减少暴露的部分衬底表面被干法刻蚀导致的损伤。
[0034]此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0035]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，其特征在于包括: 第一步骤:在衬底上沉积依次连续沉积第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，以在衬底上形成ONO结构； 第二步骤:对ONO结构进行光刻及干法刻蚀，从而暴露出部分衬底表面； 第三步骤:对第二步骤之后的半导体结构进行热氧化处理，以便在半导体结构表面形成热氧化层； 第四步骤:利用湿法刻蚀去除热氧化层。2.根据权利要求1所述的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述第一氧化物层的厚度介于18?25A之间。3.根据权利要求1或2所述的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述第二氧化物层的厚度介于140?255A之间。4.根据权利要求1或2所述的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述氮化物层的厚度介于80?IlOA之间。5.根据权利要求1或2所述的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述第一氧化物层的材料是二氧化硅。6.根据权利要求1或2所述的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述第二氧化物层的材料是二氧化硅。7.根据权利要求1或2所述的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述氮化物层的材料是氮化硅。8.根据权利要求1或2所述的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述衬底是娃衬底。
【专利摘要】本发明提供了一种减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，包括：第一步骤，在衬底上沉积依次连续沉积第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，以在衬底上形成ONO结构；第二步骤，对ONO结构进行光刻及干法刻蚀，从而暴露出部分衬底表面；第三步骤，对第二步骤之后的半导体结构进行热氧化处理，以便在半导体结构表面形成热氧化层；第四步骤，利用湿法刻蚀去除热氧化层。
【IPC分类】H01L21/316
【公开号】CN105006432
【申请号】CN201510490463
【发明人】吴亚贞, 刘宪周
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2015年8月11日