发光装置、发光元件安装方法以及发光元件用安装装置的制造方法

文档序号:9291858阅读:428来源:国知局
发光装置、发光元件安装方法以及发光元件用安装装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及使用发光元件的发光装置、用于安装该发光装置的发光元件的发光元件安装方法以及发光元件用安装装置。
【背景技术】
[0002]通常,使用半导体发光元件的发光装置构成为在基板上安装有半导体发光元件。另外,对于安装发光元件的安装方法也提出有各种方案。作为一个例子,在安装方法中,在先行的工序中通过分配器等将粘合剂涂敷于基板的元件搭载部,在接下来的工序中将半导体发光元件粘合安装在基板的元件搭载部(参照专利文献I)。在安装这样的半导体发光元件时,通常利用吸附垫、开口夹对半导体发光元件的上表面进行吸附,将其搬运并搭载到涂敷于基板的粘合剂上。
[0003]近年来,作为发光元件的结构的一个例子,公知有将荧光体层安装于LED芯片的一端侧的结构(参照专利文献2)。该发光元件被称作芯片尺寸封装等,在搭载于基板之前已经在LED芯片上设有荧光体层、光反射构件层。
[0004]上述情况使得发光元件的电极与基板以对置的方式安装(倒装安装),作为安装时的粘合剂,使用将基板与发光元件在高温下接合的焊料等材料。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特开2011-243666号公报
[0008]专利文献2:日本特开2011-009572号公报
[0009]但是,在上述的现有的发光装置、发光元件的安装装置以及安装方法中,存在以下所示的问题点。
[0010]由于现有的发光装置在将发光元件安装于基板的情况下通过在高温下使用的焊料等进行安装,因此作为发光装置的基板,需要使用可承受安装时的高温等的材料,基板的材料的选择方面的自由度降低。

【发明内容】

[0011]发明要解决的课题
[0012]本申请是鉴于上述的问题点而完成的,其课题在于,提供在低温下进行发光元件与基板的连接(粘合)的发光装置、发光元件用安装装置以及发光元件安装方法。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]在本发明的一个技术方案中,为了解决上述课题,采用以下所示的发光装置、发光元件用安装方法以及发光元件用安装装置。
[0015]S卩,发光装置构成为具备:发光元件,其具备LED芯片与在所述LED芯片的光射出侧设置的荧光体层;以及基板,其通过粘合材料来粘合所述发光元件,所述粘合材料为各向异性导电材料。
[0016]另外,在发光装置中,与所述课题一并存在有以下这样的迫切期望。S卩,在安装发光元件的情况下,由于对发光元件的上表面进行吸附并施加负载,因此发光元件有可能发生形状变化。由此,发光装置可能发生配光偏移、颜色不均、明亮度降低等。因而,期望防止发光装置的发光元件的变形、并且发光装置的出光效率也良好的发光元件安装方法以及发光元件用安装装置。
[0017]针对所述的迫切期望,本发明的另一技术方案采用下述的发光元件安装方法。即,一种在基板上安装发光元件的发光元件安装方法,包含如下工序:将具备LED芯片与在该LED芯片的光射出侧设置的荧光体层的所述发光元件经由设于所述基板上的各向异性导电材料的粘合材料载置;在使引导机构与载置后的所述发光元件的荧光体层的侧面抵接的状态下,使所述粘合材料固化。
[0018]另外,针对所述的迫切期望,本发明的又一个技术方案涉及下述发光元件用安装装置。换句话说,在发光元件用安装装置中,通过隔着设于基板上的各向异性导电材料的粘合材料接合具备LED芯片与在该LED芯片的光射出侧设置的荧光体层的发光元件,由此将所述发光元件安装于基板,其中,所述发光元件用安装装置具备与所述荧光体层的侧面抵接并保持所述荧光体层的引导机构、以及在所述引导机构保持有所述荧光体层的状态下使所述粘合材料进行固化的固化机构。
[0019]发明效果
[0020]在本发明的发光装置、发光元件安装方法以及发光元件用安装装置中,实现以下所示的效果。
[0021]由于发光装置将各向异性导电材料用作粘合材料而安装基板与LED芯片,因此能够在比焊料低的温度下进行安装,能够确保电路等的可靠性。
[0022]在发光元件安装方法中,能够在比焊料低的温度下将发光元件安装于基板,能够确保电路等的可靠性,并且确保出光效率。
[0023]在发光元件用安装装置中,能够防止安装后的发光元件发生配光偏移、颜色不均、明亮度的降低,出光效率也变好。
【附图说明】
[0024]图1是示意性示出本发明的一个实施方式的发光装置的整体的剖视图。
[0025]图2是示意性示出作为本发明的一个实施方式的发光装置而将三个发光元件安装于实施基板的结构的一个例子的俯视图。
[0026]图3是示意性示出本发明的一个实施方式的发光元件用安装装置的整体的俯视图。
[0027]图4是示意性示出本发明的一个实施方式的发光元件用安装装置的整体的侧视图。
[0028]图5是示意性示出本发明的一个实施方式的发光元件用安装装置的引导机构的图,且是从下方向上观察第一抵接引导部的状态的立体图。
[0029]图6是从下方示意性示出在本发明的一个实施方式的发光元件用安装装置中的第一抵接引导部以及第二抵接引导部保持发光元件的荧光体层的状态的仰视图。
[0030]图7(a)?(e)是示出本发明的一个实施方式的发光元件用安装装置的安装工序的流程的示意图。
[0031]图8(a)?(d)是示出本发明的一个实施方式的发光元件用安装装置的安装工序的流程的示意图。
[0032]图9(a)是将本发明的一个实施方式的发光元件的安装工序中的安装前的状态局部剖切放大并示意性示出的图,图9(b)是将本发明的一个实施方式的发光元件的安装工序中的安装后的状态局部剖切放大并示意性示出的图。
[0033]图10是示意性示出本发明的一个实施方式的发光元件用安装装置的其他结构的俯视图。
[0034]图11(a)?(C)是示出本发明的一个实施方式的发光元件用安装装置的其他结构中的安装顺序的示意图。
[0035]图12是示意性示出本发明的一个实施方式的发光元件用安装装置的其他水平搬运装置的结构的俯视图。
[0036]图13是将本发明的一个实施方式的发光装置的其他结构剖切并示意性示出的剖视图。
【具体实施方式】
[0037]以下,参照附图对使用本发明的实施方式的半导体发光元件的发光装置、用于安装该发光装置的发光元件的发光元件安装方法以及发光元件用安装装置进行说明。需要说明的是,首先对发光装置的结构的一个例子进行说明,之后对发光装置的发光元件用安装装置的结构、发光元件的安装方法的一个例子进行说明。另外,在说明的附图中,有时对各结构等局部或者整体夸张地记载。另外,在各图中示出剖面的情况下,为了易于观察,有时也将省略表示剖面部分的斜线(阴影)。
[0038]如图1以及图2所示,本实施方式的发光装置I具备形成有电路等的安装基板(基板)2、以及隔着作为各向异性导电材料的粘合材料3设于该安装基板2的发光元件4。
[0039]该发光元件4可以为大致长方体形状,构成为具备:LED芯片6,其具备在蓝宝石基板6a上层叠的半导体发光元件构造体6A,且俯视时呈矩形;荧光体层5,其设置在LED芯片6的成为出光面侧的上表面(蓝宝石基板6a侧);以及光反射性构件层7,其覆盖LED芯片6的侧面(即蓝宝石基板6a的侧面以及半导体发光元件构造体6A的侧面)。
[0040]需要说明的是,LED芯片6的侧面也可以不设置光反射性构件层7,例如也可以露出。或者,所述的荧光体层5也可以设于LED芯片6的侧面(参照图13)。
[0041 ] 作为层叠于透光性的蓝宝石基板6a而形成的半导体发光元件构造体6A,LED芯片6具备η层(η型半导体层)6b、形成在该η层6b上的P层(P型半导体层)6d、形成在η层6b与P层6d之间的活性层6c、形成在η层6b的未层叠有p层的部分之上的η侧焊盘电极6e、形成在P层6d上的P侧焊盘电极6f、以及设置为使η侧焊盘电极6e的端面侧及p侧焊盘电极6f的端面侧露出的保护膜6g。
[0042]作为该LED芯片6的半导体发光元件构造体6A的一个例子,优选使用GaN系氮化物半导体,具体来说,可以采用将InxGa1 χΝ(0<χ< I)用于活性层6c的构造。若半导体发光元件构造体6A采用上述结构,能够形成在365nm以上、优选为380nm以上、进一步优选为400nm?680nm的波长范围内发光效率优异的LED芯片6。
[0043]另外,优选LED芯片6设为,与η层6b电连接的η侧焊盘电极6
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