热可使用例如热板、烘 箱等适当的设备进行。
[0083] 对电荷传输性薄膜的膜厚并无特别限定，在有机EL元件内用作空穴注入层的情 况下，优选5~200nm。作为使膜厚变化的方法，有使清漆中的固形分浓度变化、使涂布时的 基板上的溶液量变化等方法。
[0084] [有机EL元件]
[0085] 作为使用本发明的电荷传输性清漆制作0LED元件时的使用材料、制作方法，可列 举下述的使用材料、制作方法，但并不限定于这些。
[0086] 对于使用的电极基板，优选预先进行采用洗剂、醇、纯水等的液体洗净而净化，例 如，对于阳极基板，优选在使用前即刻进行UV臭氧处理、氧-等离子体处理等表面处理。不 过，阳极材料以有机物作为主成分的情况下，也可不进行表面处理。
[0087] 具有包含由本发明的电荷传输性清漆得到的薄膜的空穴注入层的0LED元件的制 作方法的实例如下所述。
[0088] 采用上述的方法，在阳极基板上涂布本发明的电荷传输性清漆并烧成，在电极上 制作空穴注入层。将其导入真空蒸镀装置内，依次蒸镀空穴传输层、发光层、电子传输层、电 子注入层、阴极金属，制成OLED元件。为了控制发光区域，可在任意的层间设置载流子阻挡 层。
[0089] 作为阳极材料，可列举以铟锡氧化物（IT0)、铟锌氧化物（IZ0)为代表的透明电 极，优选进行了平坦化处理的产物。也能够使用具有高电荷传输性的聚噻吩衍生物、聚苯胺 衍生物。
[0090] 作为形成空穴传输层的材料，可列举（三苯基胺）二聚体衍生物（Tro)、N，N' -二 (1-萘基）-N，N' -二苯基联苯胺（a-NPD)、[(三苯基胺）二聚体]螺二聚体（Spiro-TAD)等 三芳基胺类、4,4'，4"_三[3-甲基苯基（苯基）氨基]三苯基胺（m-MTDATA)、4,4'，4"_三 [1-萘基（苯基）氨基]三苯基胺（1-TNATA)等星爆形胺类、5, 5"-双-{4-[双（4-甲基苯 基）氨基]苯基}-2,2' ：5'，2"_三联噻吩（BMA-3T)等低聚噻吩类等。
[0091] 作为形成发光层的材料，可列举三（8-羟基喹啉合）铝（III) (Alq3)、双（8-羟基 喹啉合）锌（II) (Znq2)、双（2-甲基-8-羟基喹啉合）（对-苯基苯酚合）铝（III) (BAlq) 和4,4'-双（2, 2-二苯基乙烯基）联苯（DPVBi)等，可通过将电子传输材料或空穴传输材 料与发光性掺杂剂共蒸镀而形成发光层。
[0092] 作为电子传输材料，可列举Alq3、BAlq、DPVBi、2-(4-联苯）-5-(4-叔-丁基苯 基）-1，3,4_壤二唑（PBD)、三唑衍生物（TAZ)、浴铜灵（BCP)、噻咯（シ口一; 1/ )衍生物等。
[0093]作为发光性掺杂剂，可列举喹吖啶酮、红荧烯、香豆素540、4-(二氰基亚甲 基）-2_甲基_6_(对-二甲基氨基苯乙烯基）-4H-吡喃（DCM)、三（2-苯基吡啶）铱（III) (Ir(ppy)3)、（1，1〇_ 菲略啉）_ 三（4,4,4_ 三氟-l-(2-噻吩基）-丁烷 _1，3_ 二酮合）铕 (III) (Eu(TTA)3phen)等。
[0094] 作为形成载流子阻挡层的材料，可列举PBD、TAZ、BCP等。
[0095] 作为形成电子注入层的材料，可列举氧化锂（Li20)、氧化镁（MgO)、氧化铝 (A1203)、氟化锂（LiF)、氟化钠（NaF)、氟化镁(MgF2)、氟化锶（SrF2)、Liq、Li(acac)、醋酸锂、 苯甲酸锂等。
[0096] 作为阴极材料，可列举铝、镁-银合金、铝-锂合金、锂、钠、钾、铯等。
[0097] 使用了本发明的电荷传输性清漆的PLED元件的制作方法，并无特别限定，可列举 以下的方法。
[0098] 上述0LED元件制作中，通过代替进行空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入 层的真空蒸镀操作，而依次形成空穴传输性高分子层、发光性高分子层，从而能够制作具有 由本发明的电荷传输性清漆形成的电荷传输性薄膜的PLED元件。具体地，在阳极基板上涂 布本发明的电荷传输性清漆，采用上述的方法制作空穴注入层，在其上依次形成空穴传输 性高分子层、发光性高分子层，进而蒸镀阴极电极，制成PLED元件。
[0099] 作为使用的阴极和阳极材料，能够使用与上述0LED元件制作时同样的阴极和阳 极材料，能够进行同样的洗净处理、表面处理。
[0100] 作为空穴传输性高分子层和发光性高分子层的形成法，可列举如下方法：通过在 空穴传输性高分子材料或发光性高分子材料、或者在它们中加入了掺杂剂的材料中加入溶 剂而溶解，或者均匀地分散，在空穴注入层或空穴传输性高分子层上涂布后，分别烧成，从 而成膜。
[0101] 作为空穴传输性高分子材料，可列举聚[(9,9_二己基芴基-2,7-二基）-共-(N， N' -双{对-丁基苯基} -1，4-二氨基亚苯基）]、聚[(9，9-二辛基芴基-2，7-二基）-共-(N，N'-双{对-丁基苯基亚联苯基-4,4-二胺）]、聚[(9,9_双{1'_戊烯_5'_基} 芴基_2,7_二基）-共_(N，N'-双{对-丁基苯基}-1，4_二氨基亚苯基）]、聚[N，N'-双 (4-丁基苯基）-N，N'-双（苯基）-联苯胺]-用聚硅倍半氧烷封端、聚[(9,9-二辛基芴 基_2,7_二基）-共-(4,4'-(N-(对-丁基苯基））二苯基胺）]等。
[0102] 作为发光性高分子材料，可列举聚（9,9_二烷基芴）（PDAF)等聚芴衍生物、聚 (2-甲氧基_5_(2'-乙基己氧基）-1，4_亚苯基亚乙烯基）（MEH-PPV)等聚亚苯基亚乙烯基 衍生物、聚（3-烷基噻吩）（PAT)等聚噻吩衍生物、聚乙烯基咔唑（PVCz)等。
[0103] 作为溶剂，能够列举甲苯、二甲苯、氯仿等，作为溶解或均一分散法，可列举搅拌、 加热搅拌、超声波分散等方法。
[0104] 作为涂布方法，并无特别限定，可列举喷墨法、喷涂法、浸渍法、旋涂法、转印印刷 法、辊涂法、毛刷涂布等。再有，涂布优选在氮、氩等非活性气体下进行。
[0105] 作为烧成的方法，可列举在非活性气体下或真空中、用烘箱或热板加热的方法。
[0106] 实施例
[0107] 以下列举实施例和比较例，对本发明更具体地说明，但本发明并不限定于下述的 实施例。再有，使用的装置如下所述。
[0108] (1)iH-NMR测定7y制高分辨力核磁共振装置
[0109] (2)基板洗净：长州产业（株）制造基板洗净装置（减压等离子体方式）
[0110] ⑶清漆的涂布：S力寸（株）制造旋涂器MS-A100
[0111] (4)膜厚测定：（株）小坂研究所制造微细形状测定机寸一7r/ -夕''ET-4000
[0112] (5)EL元件的制作：长州产业（株）制多功能蒸镀装置系统C-E2L1G1-N
[0113] (6)EL元件的亮度等的测定：（有）亍y夕? 7 -少卜'、制I-V-L测定系统
[0114] [1]化合物的合成
[0115] [合成例1] 4-(二苯基氨基）苯胺的合成
[0116]
[0117] 在对-溴三苯基胺（10. 0g、30. 8毫摩尔）和Pd(dba)2(0. 887g、l. 54毫摩 尔）的甲苯溶液（77mL)中滴入LiN(SiMe3)2(33.9mL、l摩尔/L甲苯溶液）。接下来，将 t-Bu3P(0. 312g、l. 54毫摩尔）加入反应混合液中后，在室温下搅拌20小时。
[0118] 搅拌结束后，加入1摩尔/L盐酸，酸性化，使反应停止。向其中加入甲苯，分液抽 提，将甲苯层按2摩尔/L氢氧化钠水溶液、水的顺序洗涤后，从洗涤后的甲苯层将溶剂馏 除，得到了粗产物。
[0119] 最后，使用醋酸乙酯和己烷的混合溶剂进行重结晶，得到了 4_(二苯基氨基）苯胺 (收量：6. 16g、收率：77% )。以下示出1H-NMR的测定结果。
[0120] iH-NMlUCDCU:S7. 22-7. 16 (m，4H)，7. 06-7. 01 (m，4H)，6. 96 (d，J= 8. 8Hz，2H)，6 .91-6. 88 (m, 2H), 6. 65 (d,J= 8. 8Hz, 2H), 3. 60 (bs, 2H,NH2)
[0121][合成例2]N，N'_双（对-(二苯基氨基）苯基）联苯胺的合成[012。1
[0123] 在4,4'-二溴联苯（2. 00g、6. 41毫摩尔）和4-(二苯基氨基）苯胺（3. 50g、13. 5 毫摩尔）的甲苯溶液（52mL)中依次加入t-BuONa(1. 85g、19. 2毫摩尔）、Pd(dba) 2 (0? 0737g、 0. 128毫摩尔）和t-Bu3P(0. 0207、0. 103毫摩尔），升温到70°C后，搅拌20小时。
[0124] 搅拌结束后，在反应混合液中加入水，使反应停止，向其中加入醋酸乙酯和己烷， 滤取析出的固体。使得到的固体溶解于四氢呋喃，将不溶物通过过滤除去，从滤液中将溶剂 馏除，得到了粗产物。
[0125] 最后，将得