陶瓷热敏电阻器包封方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种陶瓷电阻器包封方法，特别是涉及一种陶瓷热敏电阻器包封方 法，属于热敏电阻器制造技术领域。
【背景技术】
[0002] 近年来，随着光纤通信技术的进一步发展，对电信语音线卡电路保护的抗雷性能 及包封层抗电强度的要求越来越高，国内陶瓷热敏电阻器生产厂家，因为下述两项测试包 封层抗电强度DC1000V，维持1分钟，漏电流< IOmA以及2~4KV，10/700 μ s，间隔时间60s， 10次，PTC不能产生闪络跳火或者裂片的高性能指标所困扰而失之交臂。
[0003] 包封层抗电强度取决于二大因素，其一是包封材料自身的抗电特性，其二是包封 层的厚度。当因素1确定后，因素2的均匀性犹为重要。
[0004] 传统的陶瓷热敏电阻器的包封业内大都采用湿式浸涂法工艺，此工艺操作简单， 但由于陶瓷热敏电阻器的芯片制造的特殊性，使得经焊接的芯片边缘往往浸涂包封料后边 缘裹覆层厚度的不确定性，导致了包封层抗电强度的波动性。
[0005] 因此如何突破包封产品边缘包封层厚度的一致性，达到所要求的抗电强度是生产 陶瓷热敏电阻器的关键工艺所在。
【发明内容】
[0006] 针对上述现有技术的不足，本发明的目的是提供一种陶瓷热敏电阻器包封方法， 解决产品边缘包封层厚度不均导致产品性能不佳的问题。
[0007] 本发明的技术方案是这样的：一种陶瓷热敏电阻器包封方法，包括采用湿式浸涂 法分别进行第一次包封和第二次包封以及固化步骤，所述第一次包封后将陶瓷热敏电阻器 进行第一次旋转，所述第二次包封后将陶瓷热敏电阻器进行第二次旋转，所述第一次旋转 和第二次旋转的转动平面与重力方向平行，所述陶瓷热敏电阻器平行于转动平面。
[0008] 进一步的，所述第一次旋转和第二次旋转的转动方向相反。
[0009] 优选的，所述第一次旋转转动速度为5~8转/分钟，所述第二次旋转转动速度为 8~12转/分钟。
[0010] 优选的，所述第一次旋转转动时间为2~3分钟，所述第二次旋转转动时间为1~ 2分钟。
[0011] 优选的，所述第一次旋转和第二次旋转时，陶瓷热敏电阻器与旋转中心距离为 0 ~100cmD
[0012] 优选的，所述第一次包封和第二次包封时包封料粘度为2. 5~3. OdPa · s。
[0013] 本发明所提供的技术方案的有益效果是：通过两次垂直转动平面的旋转，使积聚 于陶瓷热敏电阻器中央的包封料相边缘流动，边缘处包封层自然平稳加厚，陶瓷热敏电阻 器包封层整体厚度均匀，使其符合电性能测试要求。
【附图说明】
[0014] 图1为实施例使用的旋转机构结构示意图。
[0015] 图2为引线架结构示意图。
【具体实施方式】
[0016] 下面结合实施例对本发明作进一步说明，但不作为对本发明的限定。
[0017] 实施例1，请结合图1及图2,本实施例涉及的陶瓷热敏电阻器的具体制造过程是 这样的，经过配料、湿法球磨、预烧、二次湿法球磨、制粒、成型、烧结得到基片。采用超声波 清洗对基片分别进行预清洗、清洗，并烘干使基片表面干净，无残留微粉及脏物。然后溅射 电极，溅射完成后的基片进行阻值分选、焊接电极、包封，制成成品。其中包封的工艺过程是
[0018] 1、配制包封基料：由自主研发的有机硅包封基料经球磨2小时后，熟化12小时。
[0019] 2、经熟化后的包封料放入包封机中，并自动翻滚2小时后，调节粘度2. 5dPa · s。
[0020] 3、将待包封的陶瓷热敏电阻器7引线条插入如图2所示的引线架5后浸涂步骤2 准备好的包封料，进行第一次包封。
[0021] 4、将引线架置入如图1所示的旋转机构，对陶瓷热敏电阻器7进行旋转，旋转机构 包括机架1、驱动轮2、转轴3和引线架支架4,引线架支架4固定在转轴3上，驱动轮2驱动 转轴3转动，进而带动引线架支架4翻转，引线架5是一个矩形框体，在上下两侧框体之间 设置横档6。待包封的陶瓷热敏电阻器7横向并排插入引线架5上，排列方向垂直于于横档 6。引线架5安置在引线架支架4时，使横档6平行于转轴3。如此，陶瓷热敏电阻器7的 转动平面与重力方向平行，并且引线架5上的陶瓷热敏电阻器7平行于转动平面。引线架 5单边长度一般不超过200cm，因此陶瓷热敏电阻器6与旋转中心距离为0~100cm。调旋 转机构转动速度为5转/分钟，旋转时间为2分钟。
[0022] 5、浸涂步骤2准备好的包封料，进行第二次包封。
[0023] 6、如步骤4对陶瓷热敏电阻器7进行第二次旋转，调旋转机构转动速度为8转/ 分钟，旋转时间为1分钟，旋转方向与步骤4相反。
[0024] 7、经包封后的PTC，进行145°C /45min固化。
[0025] 实施例2,经过配料、湿法球磨、预烧、二次湿法球磨、制粒、成型、烧结得到基片。采 用超声波清洗对基片分别进行预清洗、清洗，并烘干使基片表面干净，无残留微粉及脏物。 然后溅射电极，溅射完成后的基片进行阻值分选、焊接电极、包封，制成成品。其中包封的工 艺过程是
[0026] 1、配制包封基料：由自主研发的有机硅包封基料经球磨2小时后，熟化12小时。
[0027] 2、经熟化后的包封料放入包封机中，并自动翻滚2小时后，调节粘度3. OdPa · s。
[0028] 3、将待包封的陶瓷电阻器7引线条插入如图2所示的引线架5后浸涂步骤2准备 好的包封料，进行第一次包封。
[0029] 4、将引线架5置入如图1所示的旋转机构，对陶瓷热敏电阻器7进行旋转，调旋转 机构转动速度为8转/分钟，旋转时间为3分钟。
[0030] 5、浸涂步骤2准备好的包封料，进行第二次包封。
[0031] 6、如步骤4对陶瓷热敏电阻器7进行第二次旋转，调旋转机构转动速度为12转/ 分钟，旋转时间为2分钟，旋转方向与步骤4相同。
[0032] 7、经包封后的PTC，进行155°C /50min固化。
[0033] 实施例3,经过配料、湿法球磨、预烧、二次湿法球磨、制粒、成型、烧结得到基片。采 用超声波清洗对基片分别进行预清洗、清洗，并烘干使基片表面干净，无残留微粉及脏物。 然后溅射电极，溅射完成后的基片进行阻值分选、焊接电极、包封，制成成品。其中包封的工 艺过程是
[0034] 1、配制包封基料：由自主研发的有机硅包封基料经球磨2小时后，熟化12小时。
[0035] 2、经熟化后的包封料放入包封机中，并自动翻滚2小时后，调节粘度2. 8dPa · s。
[0036] 3、将待包封的陶瓷热敏电阻器7引线条插入如图2所示的引线架5后浸涂步骤2 准备好的包封料，进行第一次包封。
[0037] 4、将引线架置入如图1所示的旋转机构，对陶瓷热敏电阻器7进行旋转，调旋转机 构转动速度为6转/分钟，旋转时间为2分钟。
[0038] 5、浸涂步骤2准备好的包封料，进行第二次包封。
[0039] 6、如步骤4对陶瓷热敏电阻器7进行第二次旋转，调旋转机构转动速度为10转/ 分钟，旋转时间为2分钟，旋转方向与步骤4相反。
[0040] 7、经包封后的PTC，进行150°C /48min固化。
[0041] 上述实施例使用的旋转机构以及引线架仅作为一种示意，无论通过何种形式达到 与实施例相同的旋转都可实施本发明方法。
[0042] 对各实施例及现有技术生产的陶瓷热敏电阻器进行关键电性能项目测试，结果如 下。
[0043]
【主权项】
1. 一种陶瓷热敏电阻器包封方法，包括采用湿式浸涂法分别进行第一次包封和第二次 包封以及固化步骤，其特征在于：所述第一次包封后将陶瓷热敏电阻器进行第一次旋转，所 述第二次包封后将陶瓷热敏电阻器进行第二次旋转，所述第一次旋转和第二次旋转的转动 平面与重力方向平行，所述陶瓷热敏电阻器平行于转动平面。2. 根据权利要求1所述的陶瓷热敏电阻器包封方法，其特征在于：所述第一次旋转和 第二次旋转的转动方向相反。3. 根据权利要求1所述的陶瓷热敏电阻器包封方法，其特征在于：所述第一次旋转转 动速度为5~8转/分钟，所述第二次旋转转动速度为8~12转/分钟。4. 根据权利要求1所述的陶瓷热敏电阻器包封方法，其特征在于：所述第一次旋转转 动时间为2~3分钟，所述第二次旋转转动时间为1~2分钟。5. 根据权利要求1所述的陶瓷热敏电阻器包封方法，其特征在于：所述第一次旋转和 第二次旋转时，陶瓷热敏电阻器与旋转中心距离为〇~l〇〇cm。6. 根据权利要求1所述的陶瓷热敏电阻器包封方法，其特征在于：所述第一次包封和 第二次包封时包封料粘度为2. 5~3. OdPa ? s。
【专利摘要】本发明公开了一种陶瓷热敏电阻器包封方法，包括采用湿式浸涂法分别进行第一次包封和第二次包封以及固化步骤，所述第一次包封后将陶瓷热敏电阻器进行第一次旋转，所述第二次包封后将陶瓷热敏电阻器进行第二次旋转，所述第一次旋转和第二次旋转的转动平面与重力方向平行。采用该方法包封的陶瓷热敏电阻器包封层厚度均匀，提高了电性能测试通过率。
【IPC分类】H01C7/04, H01C7/02
【公开号】CN105047337
【申请号】CN201510299213
【发明人】何正安, 汪鹰, 孙振华
【申请人】常熟市林芝电子有限责任公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2015年6月3日