像素阵列基板、显示面板及其母板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种应用薄膜晶体管技术的像素阵列基板、显示面板及其母板。
【背景技术】
[0002]以薄膜晶体管工艺制作的像素阵列基板被广泛的用于显示面板的领域中。由于薄膜晶体管可以将集成电路实现于玻璃基板上，因此可以用来生产高整合度的显示面板。
[0003]然而，薄膜晶体管技术所制作的显示面板于长时间使用后，往往于边缘处有色偏的现象。究其原因，因为环境中的水汽从显示面板的像素阵列基板边缘处进入像素阵列基板，使得部分的薄膜晶体管中的氧化物半导体吸收水汽而使得特性劣化。因此，如何阻止水汽进入像素阵列基板以提高所生产的显示面板的寿命，是一个亟待解决的问题。
【发明内容】
[0004]有鉴于以上的问题，本发明提出一种像素阵列基板、显示面板及其母板设计，用以降低了水汽使内部电路劣化的机率。
[0005]本发明所公开的像素阵列基板，具有基板、薄膜晶体管、第一信号线、第二信号线、像素电极、第一导电图案与第一保护层。基板具有显示区与至少一周边线路区，显示区具有多个像素区。薄膜晶体管设置于基板上且位于至少一部分的像素区上，薄膜晶体管具有栅极、源极、漏极、绝缘层与氧化物半导体层，其中，绝缘层位于栅极与氧化物半导体层之间，且源/漏极与氧化物半导体层接触，而绝缘层延伸至周边线路区。第一信号线，设置于基板上且位于部分像素区上，并连接栅极。第二信号线设置于基板上且位于部分像素区上，并连接源极。像素电极设置于基板上且位于部分像素区上，并连接漏极。第一导电图案设置于周边线路区且邻近基板的边缘，其中，位于周边线路区的绝缘层与第一导电图案层重叠以构成标记，绝缘层具有第一开口，暴露出基板的内表面，且第一开口位于周边线路区上且环绕显示区，并避开标记。第一保护层形成于基板上，且形成于薄膜晶体管、标记、位于周边线路区上的绝缘层与第一开口上，其中第一保护层的介电常数大于绝缘层的介电常数，且绝缘层的介电常数小于6，大于I。
[0006]于一实施例中，还包含一第二导电图案层设置于所述多个周边线路区中，其中，该第二导电图案层与该第一导电图案层重叠，且位于该周边线路区上的该绝缘层、该第一导电图案层与该第二导电图案层重叠以构成该标记。
[0007]于一实施例中，在标记中的该绝缘层夹设于该第一导电图案层与该第二导电图案层之间。
[0008]于一实施例中，还包含一第二保护层，形成于该基板上，且形成于该薄膜晶体管、该标记与位于该周边线路区上的该绝缘层上，其中，该第二保护层夹设于该绝缘层与该第一保护层之间，该第二保护层具有一第二开口对应于该第一开口，以暴露出该基板的内表面，且该第一保护层形成该薄膜晶体管、该标记、位于该周边线路区上的该绝缘层、该第二保护层、该第一开口与该第二开口上。
[0009]于一实施例中，该第一保护层的介电常数大于该第二保护层的介电常数，且该第二保护层的介电常数与该绝缘层的介电常数小于6，大于I。
[0010]于一实施例中，还包含一介电层，形成于该基板上，且形成于该薄膜晶体管、该标记与位于该周边线路区上的该绝缘层上，其中，该介电层夹设于该第二保护层与该第一保护层之间，该第二保护层具有一第三开口对应于该第二开口，以暴露出该基板的内表面，且该第一保护层形成该薄膜晶体管、该标记、位于该周边线路区上的该绝缘层、该第二保护层、该第一开口、该第二开口与该第三开口上。
[0011 ] 于一实施例中，该介电层具有一第四开口，位于该标记的上方，该第一保护层形成于该第四开口上，且该第四开口不与该第一开口、该第二开口及该第三开口连通。
[0012]于一实施例中，该绝缘层的介电常数小于5，大于I。
[0013]于一实施例中，该标记位于该基板的四个角落，该第一开口具有两个第一部分与一第二部分，各该第一部分暴露出该基板边缘且其与该基板边缘具有大于O的距离，该第二部分分别连通各该第一部分，且邻近该标记，但不与该基板边缘重叠。
[0014]于一实施例中，该标记不位于该预切割区的四个角落，该第一开口具有二第一部分与一第二部分，各该第一部分暴露出该基板边缘且其与该基板边缘具有大于O的距离，该第二部分分别连通各该第一部分，且邻近该标记，但不与该基板边缘重叠。
[0015]于一实施例中，该绝缘层包含一栅极绝缘层或该栅极绝缘层与一蚀刻终止层的堆迭膜层。
[0016]本发明所公开的一种显示面板，包含:
[0017]如上任一所述的一种像素阵列基板；
[0018]一对向基板；
[0019]一框胶，设置于该像素阵列基板与该对向基板之间，其中，该框胶环绕该显示区以构成一空间，且该框胶位于该第一开口与该显示区之间；以及
[0020]一显示介质层，形成于该空间内。
[0021]于一实施例中，还包含至少一光间隙物设置于该对向基板与该像素阵列基板之间，且对应于该第一开口与该基板边缘具有大于O的距离的处。
[0022]本发明所公开的母板，具有基板、薄膜晶体管、第一信号线、第二信号线、像素电极、第一导电图案与第一保护层。基板具有多个显示单元，显示单元之间定义出预切割区，各显示单元包括显示区与周边线路区，其中显示区具有多个像素区。薄膜晶体管设置于基板上且位于至少一部分的像素区上，薄膜晶体管具有栅极、源极、漏极、绝缘层与氧化物半导体层，其中，绝缘层位于栅极与氧化物半导体层之间，且源/漏极与氧化物半导体层接触，而绝缘层延伸至各显示单元的周边线路区上。第一信号线设置于基板上且位于至少一部分像素区上，并连接栅极。第二信号线设置于基板上且位于至少一部分像素区上，并连接源极。像素电极设置于基板上且位于至少一部分像素区上，并连接漏极。第一导电图案设置于一部分预切割区上，且一部分第一导电图案位于周边线路区中，其中，位于周边线路区上的绝缘层与第一导电图案重叠以构成标记，绝缘层具有第一开口，暴露出基板的内表面，且第一开口位于周边线路区上且环绕显示区，并避开标记。第一保护层形成于基板上，且形成于薄膜晶体管、标记、位于周边线路区上的绝缘层与第一开口上，其中，第一保护层的介电常数大于绝缘层的介电常数，且绝缘层的介电常数小于6，大于I。
[0023]于一实施例中，还包含一第二导电图案层设置于一部分该预切割区上，且一部分该第二导电图案层位于所述多个周边线路区中，其中，该第二导电图案层与该第一导电图案层重叠，位于该周边线路区上的该绝缘层、该第一导电图案层与该第二导电图案层重叠以构成该标记。
[0024]于一实施例中，在标记中的该绝缘层夹设于该第一导电图案层与该第二导电图案层之间。
[0025]于一实施例中，还包含一第二保护层，形成于该基板上，且形成于该薄膜晶体管、该标记与位于该周边线路区上的该绝缘层上，其中，该第二保护层夹设于该绝缘层与该第一保护层之间，该第二保护层具有一第二开口对应于该第一开口，以暴露出该基板的内表面，且该第一保护层形成该薄膜晶体管、该标记、位于该周边线路区上的该绝缘层、该第二保护层、该第一开口与该第二开口上。
[0026]于一实施例中，该第一保护层的介电常数大于该第二保护层的介电常数，且该第二保护层的介电常数与该绝缘层的介电常数小于6，大于I。
[0027]于一实施例中，还包含一介电层，形成于该基板上，且形成于该薄膜晶体管、该标记与位于该周边线路区上的该绝缘层上，其中，该介电层夹设于该第二保护层与该第一保护层之间，该第二保护层具有一第三开口对应于该第二开口，以暴露出该基板的内表面，且该第一保护层形成该薄膜晶体管、该标记、位于该周边线路区上的该绝缘层、该第二保护层、该第一开口、该第二开口与该第三开口上。
[0028]于一实施例中，该介电层具有一第四开口，位于该标记的上方，该第一保护层形成于该第四开口上，且该第四开口不与该第一开口、该第二开口及该第三开口连通。
[0029]于一实施例中，该绝缘层的介电常数小于5，大于I。
[0030]于一实施例中，该标记位于该预切割区的四个角落，该第一开口具有两个第一部分与一第二部分，各该第一部分与该预切割区重叠，该第二部分分别连通各该第一部分，且邻近该标记，但不与该预切割区重叠。
[0031 ] 于一实施例中，该标记不位于该预切割区的四个角落，该第一开口具有两个第一部分与一第二部分，各该第一部分与该预切割区重叠，该第二部分分别连通各该第一部分，且邻近该标记，但不与该预切割区重叠。
[0032]于一实施例中，该绝缘层包含一栅极绝缘层或该栅极绝缘层与一蚀刻终止层的堆迭膜层。
[0033]本发明所公开的显示面板母板包含:
[0034]如上任一所述的一种母板；
[0035]一对向基板；
[0036]一框胶，设置于各该显示单元的该基板与该对向基板之间，其中，该框胶环绕各该显示单元的该显示区以构成一空间，且该框胶位于该第一开口与各该显示单元的该显示区之间；以及
[0037]一显示介质层，形成于该空间内。
[0038]于一实施例中，还包含至少一光间隙物设置于该对向基板与该基板之间，且对应于该预切割区。
[0039]综上所述，本发明所公开的像素阵列基板及其母板，由于介电常数较低的材料(例如绝缘层)的阻水能力有限，而介电常数较高的材料(第一保护层)适合用于隔绝外界环境水气，并配合开口的相关设计，因此不易于加工的过程中及使用的过程中吸收水汽，从而提高了像素阵列基板及其母板的良率与寿命。
[0040]以上的关于本
【发明内容】
的说明及以下的实施方式的说明是用以示范与解释本发明的精神与原理，并且提供本发明的专利申请范围更进一步的解释。
【附图说明】
[0041]图1是依据本发明一实施例的像素阵列基板母板俯视图。
[0042]图2A是对应于图1中剖切线AA’的部分剖面示意图。
[0043]图2B是对应于图1中剖切线BB’与DD’的部分剖面示意图。
[0044]图2C是对应于图1中剖切线CC’的部分剖面示意图。
[0045]图3是依据本发明另一实施例的母板俯视图。
[0046]图4是依据本发明另一实施例中图1的剖切线CC’的部分剖面示意图。
[0047]图5A是依据本发明再一