光半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种光半导体装置的制造方法。
【背景技术】
[0002] 公知有一种利用密封片来密封光半导体元件而制造光半导体装置的方法。
[0003]例如，提出有一种制造光半导体装置的方法：制造具有能够将光半导体元件密封 的密封树脂层的光半导体元件密封用片，之后，将该光半导体元件密封用片以与光半导体 元件搭载基板相对的方式载置，利用压力机对该光半导体元件密封用片进行加压，由此制 造光半导体装置（例如，参照下述专利文献1。）。
[0004] 专利文献1:日本特开2011-159874号公报
【发明内容】
[0005] 发明要解决的问题
[0006] 然而，在制造光半导体元件搭载基板时，首先，制造C阶段前的光半导体元件密封 用片，之后，将该光半导体元件密封用片出厂并输送。然后，在出厂目的地保存（保管）光 半导体元件密封用片之后，将该光半导体元件密封用片设置于载置有光半导体元件搭载基 板的压力机。之后，通过加压并利用光半导体元件密封用片来埋设被搭载在光半导体元件 搭载基板上的光半导体元件并使光半导体元件密封用片成为C阶段，从而利用光半导体元 件密封用片来密封光半导体元件。
[0007] 因此，即使在长时间输送和保存光半导体元件密封用片，也需要预先将光半导体 元件密封用片维持在能够密封光半导体元件的C阶段前的状态。这样一来，需要设计和管 理光半导体元件密封用片，以便在各种环境下均能长时间维持光半导体元件密封用片的C 阶段前的状态，因此，存在制造成本乃至管理成本增大这样的问题。
[0008] 本发明的目的在于，提供一种易于管理用于密封光半导体元件的、C阶段前的状态 的密封层并能够提高光半导体装置的制造效率的光半导体装置的制造方法。
[0009] 用于解决问题的方案
[0010] 本发明的一种光半导体装置的制造方法是利用密封层来密封光半导体元件而制 造光半导体装置的光半导体装置的制造方法，其特征在于，该光半导体装置的制造方法包 括密封层制造工序和密封工序，在该密封层制造工序中制造所述密封层，在该密封工序中 利用所述密封层来密封所述光半导体元件，从在所述密封层制造工序中制得所述密封层之 后到在所述密封工序中利用所述密封层来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24 小时以下。
[0011] 采用该方法，由于从在密封层制造工序中制得密封层之后到在密封工序中利用密 封层来密封了光半导体元件之前的这段时间为短时间，因此能够提高光半导体装置的制造 效率。
[0012] 另外，采用该方法，由于不必长时间维持密封层的C阶段前的状态，因此能够易于 设计和管理C阶段前的状态的密封层。因此，能够提高C阶段前的状态的密封层的设计和 管理的自由度。
[0013]另外，在本发明的光半导体装置的制造方法中，优选的是，在室温条件下输送利用 所述密封层制造工序制造出来的所述密封层并将所述密封层供给至所述密封工序。
[0014] 在密封层的输送和保管需要较长时间的情况下，为了防止密封层自C阶段前的状 态成为C阶段，需要将C阶段前的状态的密封层冷却（冷冻）为低温而进行输送和保管。
[0015] 但是，采用该方法，由于自C阶段前的状态之后到C阶段之前的这段时间为短时 间，因此能够在室温条件下输送利用密封层制造工序制造出来的C阶段前的状态的密封层 并将所述密封层供给至密封工序。因此，不需要用于所述冷却的工时和设备，其结果，能够 降低制造成本。
[0016] 另外，在冷却密封层的情况下，需要在使冷却了的密封层返回到室温之后利用该 密封层来密封光半导体元件，结果会存在如下情况：当使冷却了的密封层在短时间内返回 到室温时，会使密封层产生结露，若利用该结露了的密封层来密封光半导体元件，则会产生 空隙而使光半导体装置的可靠性降低。
[0017] 另一方面，若为了防止密封层的结露而使冷却了的密封层在经过长时间后返回到 室温，则会使光半导体装置的制造效率显著降低。
[0018] 但是，采用该方法，由于不需要所述冷却，因此，也不需要使冷却了的密封层返回 到室温，从而能够缩短制造时间。因此，能够降低制造成本。并且，由于还能够防止因所述 结露而产生的空隙，因此能够制造可靠性较高的光半导体装置。
[0019]另外，优选的是，本发明的该光半导体装置的制造方法是利用B阶段的密封片来 密封所述光半导体元件而制造所述光半导体装置的光半导体装置的制造方法，所述密封层 制造工序是制造B阶段的所述密封片的片制造工序，在所述密封工序中，利用B阶段的所述 密封片来密封所述光半导体元件，从在所述片制造工序中制得B阶段的所述密封片之后到 在所述密封工序中利用B阶段的所述密封片来密封了所述光半导体元件之前的这段时间 为24小时以下。
[0020] 采用该方法，由于从在片制造工序中制得B阶段的密封片之后到在密封工序中利 用B阶段的密封片来密封了光半导体元件之前的这段时间为短时间，因此能够提高光半导 体装置的制造效率。
[0021] 另外，采用该方法，由于不必长时间维持密封片的B阶段，因此，易于设计和管理B 阶段的密封片。因而，能够提高B阶段的密封片的设计和管理的自由度。
[0022] 并且，采用该方法，在密封工序中，由于利用B阶段的密封片来密封光半导体元 件，因此，与A阶段的密封片相比，能够利用处理性优异的B阶段的密封片来将光半导体元 件简单地密封起来。
[0023]另外，优选的是，在本发明的光半导体装置的制造方法中，利用所述片制造工序 制造出来的B阶段的所述密封片的在25°C的温度条件下的压缩弹性模量为0. 040MPa~ 0.145MPa〇
[0024] 采用该方法，由于能够使用的B阶段的密封片的压缩弹性模量的范围较大，因此 能够进一步提高B阶段的密封片的设计的自由度。
[0025]另外，优选的是，在本发明的光半导体装置的制造方法中，在25°C的温度条件下将 利用所述片制造工序制造出来的B阶段的所述密封片保存了 24小时之际的、25°C的温度条 件下的压缩弹性模量的增加量为〇. 〇15MPa~0. 120MPa。
[0026] 采用该方法，利用在25°C的温度条件下保存了 24小时之际的、25°C的温度条件下 的压缩弹性模量的增加量AM较大的B阶段的密封片也能够密封光半导体元件。也就是说， 能够使用快固化性的B阶段的密封片来缩短实现C阶段化所需要的时间。因此，能够缩短 光半导体装置的制造时间，其结果，能够降低制造成本。
[0027] 另外，优选的是，本发明的光半导体装置的制造方法是利用A阶段的密封层来密 封所述光半导体元件而制造所述光半导体装置的光半导体装置的制造方法，在所述密封层 制造工序中，制造A阶段的所述密封层，在所述密封工序中，利用A阶段的所述密封层来密 封所述光半导体元件，从在所述密封层制造工序中制得A阶段的所述密封层之后到在所述 密封工序中利用A阶段的所述密封层来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24小 时以下。
[0028] 采用该方法，由于从在密封层制造工序中制得A阶段的密封层之后到在密封工序 中利用A阶段的密封层来密封了光半导体元件之前的这段时间为短时间，因此能够提高光 半导体装置的制造效率。
[0029] 另外，采用该方法，由于不必长时间维持密封层的A阶段的状态，因此，易于设计 和管理A阶段的密封层。因而，能够提高A阶段的密封层的设计和管理的自由度。
[0030] 并且，采用该方法，由于在密封层制造工序中制造A阶段的密封层，在密封工序中 利用密封层来密封光半导体元件，因此，能够削减调制B阶段的密封层所花费的工时。因 此，能够使工时降低而提高光半导体装置的制造效率。
[0031] 发明的效果
[0032] 采用本发明，能够提高光半导体装置的制造效率。另外，能够提高密封层的设计和 管理的自由度。
【附图说明】
[0033] 图1表示作为本发明的光半导体装置的制造方法的第1实施方式的LED装置的制 造方法的流程图。
[0034] 图2表示用于实施图1所示的各工序的LED装置制造工厂的概略图。
[0035] 图3A~图3C表不位于用于实施片制造工序的片制造区域的各装置，图3A表不位 于清漆调制区域的混合容器，图3B表示位于涂敷区域的分配器，图3C表示位于B阶段化区 域的烘箱。
[0036] 图4A~图4C表示在输送工序中使用的支架，图4A是表示所有的架板被抬起的状 态，图4B表示一部分架板被按下而载置有密封片的状态，图4C表示所有架板被按下而载置 有密封片的状态。
[0037] 图5表示在输送工序中使用的盒体。
[0038] 图6表示在输送工序中使用的带盖容器。
[0039] 图7表示在输送工序中使用的、具有隔离膜的卷。
[0040] 图8表示在输送工序中使用的、具有间隔件的卷。
[0041] 图9表示在密封工序中使用的压力机。
[0042] 图10表示LED装置。
[0043] 图11表示密封片的表面温度与在将带盖容器载置在不锈钢台上后的经过时间之 间的关系。
[0044] 图12表示在第1实施方式的LED装置的制造方法的变形例中使用的密封片制造 单元的概略侧视图。
[0045] 图13表示作为本发明的光半导体装置的制造方法的第2实施方式的LED装置的 制造方法的流程图。
[0046] 图14表示用于实施图13所示的各工序的LED装置制造工厂的概略图。
[0047] 图15表示在密封工序中使用的层叠装置。
[0048] 图16表示LED装置。
【具体实施方式】
[0049] 第1实施方式
[0050] 参照图1~图10说明作为本发明的光半导体装置的制造方法的第1实施方式的 LED装置5的制造方法。
[0051] 如参照如图10那样，LED装置5的制造方法是利用作为密封层的B阶段的密封片 1来密封作为光半导体元件的LED4而制造LED装置5的方法。如图1所示，LED装置5的 制造方法包括制造作为密封层的B阶段的密封片1的片制造工序（密封层制造工序的一个 例子）和利用密封片1来密封LED4的密封工序。另外，LED装置5的制造方法包括将利用 片制造工序制造出来的密封片1输送至密封工序的输送工序。在LED4的制造方法中，依次 实施片制造工序、输送工序、以及密封工序。
[0052] 如图2所示，在LED装置制造工厂8内实施该LED装置5的制造方法。LED装置制 造工厂8包括片制造区域9、输送区域10以及密封区域11。
[0053] 所述所有的区域（片制造区域9、输送区域10以及密封区域11)设于例如同一工 厂的场地内、也就是说1个（同一）LED装置制造工厂8内。
[0054] 以下，详细叙述各工序和各区域。
[0055] 片制诰工序
[0056] 片制造工序是在片制造区域9中实施的。
[0057] 片制造区域9具有清漆调制区域9a、涂敷区域9b以及B阶段化区域9c。
[0058] 在片制造工序中，为了制造B阶段的密封片1，首先，例如，在清漆调制区域9a调制 密封树脂组合物。
[0059] 密封树脂组合物含有两阶段固化型树脂。密封树脂组合物优选由两阶段固化型树 脂构成。
[0060] 两阶段固化型树脂是具有两个阶段的反应机理、在第1阶段的反应中实现B阶段 化（半固化）、在第2阶段的反应中实现C阶段化（完全固化）的固化性树脂。
[0061] 此外，B阶段为两阶段固化型树脂在液状的A阶段和完全固化后的C阶段之间的 状态，为固化和凝胶化稍稍进行且压缩弹性模量比C阶段的弹性模量小的状态。
[0062] 作为两阶段固化型树脂，可列举出例如利用加热来进行固化的两阶段固化型热固 化性树脂，例如利用活性能量射线（例如，紫外线、电子束等）的照射来进行固化的两阶段 固化型活性能量射线固化性树脂等。优选可列举两阶段固化型热固化性树脂。
[0063]具体而言，作为两阶段固化型热固化型树脂，可列举出例如有机硅树脂、环氧树 月旨、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、密胺树脂、不饱和聚酯树脂等。从透光性和耐久性 的观点考虑，优选可列举两阶段固化型有机硅树脂。
[0064] 作为两阶段固化型有机硅树脂，可列举出例如具有缩合反应和加成反应这两个反 应系的缩合反应一加成反应固化型有机硅树脂等。
[0065] 作为这样的缩合反应一加成反应固化型有机硅树脂，可列举出：例如含有硅烷醇 基两末端聚硅氧烷、含烯基二烷氧基硅烷、有机氣聚硅氧烷、缩合催化剂以及氣化硅烷化催 化剂的第1缩合反应一加成反应固化型有机硅树脂；例如含有硅烷醇基两末端聚硅氧烷 (参照后述的式（1))、含乙烯系不饱和烃基硅化合物（参照后述的式（2))、含乙烯系不饱和 烃基硅化合物（参照后述的式（3))、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂 的第2缩合反应一加成反应固化型有机硅树脂；例如含有两末端硅烷醇型硅油、含烯基二 烷氧基烷基硅烷、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂的第3缩合反应一 加成反应固化型有机硅树脂；例如含有在1分子中具有至少两个烯基甲硅烷基的有机聚硅 氧烷、在1分子中具有至少两个氢化硅烷基的有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂以及固化 延迟剂的第4缩合反应一加成反应固化型有机硅树脂；例如含有在1分子中兼有至少两个 乙烯系不饱和烃基和至少两个氢化硅烷基的第1有机聚硅氧烷、不含有乙烯系不饱和烃基 且在1分子中具有至少两个氢化硅烷基的第2有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂以及氢化 硅烷化抑制剂的第5缩合反应一加成反应固化型有机硅树脂；例如含有在1分子中兼有至 少两个乙烯系不饱和烃基和至少两个硅烷醇基的第1有机聚硅氧烷、不含有乙烯系不饱和 烃基且在1分子中具有至少两个氢化硅烷基的第2有机聚硅氧烷、氢化硅烷化抑制剂以及 氢化硅