电荷传输性清漆的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电荷传输性清漆，更详细地说，涉及包含含有指定的苯胺衍生物的电 荷传输性物质、含有杂多酸的掺杂剂物质、和有机硅烷化合物的电荷传输性清漆。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光（以下称为有机EL)元件中，作为发光层、电荷注入层，使用包含有 机化合物的电荷传输性薄膜。
[0003] 该电荷传输性薄膜的形成方法大致分为以蒸镀法为代表的干法和以旋涂法为代 表的湿法。如果将干法和湿法比较，湿法能够高效率地以大面积制造平坦性高的薄膜，因此 在希望如有机EL元件等的薄膜的大面积化的领域中多采用湿法形成薄膜。
[0004] 鉴于这点，本发明人进行了用于采用湿法制作能够应用于各种电子器件的电荷传 输性薄膜的电荷传输性清漆的开发（参照专利文献1)。
[0005] 但是，近年来的有机EL元件领域中，由于器件的轻质化、薄型化的潮流，逐渐替代 玻璃基板而使用由有机化合物制成的基板，也需求能够在比以往低的温度下烧成、而且这 种情况下也给予具有良好的电荷传输性的薄膜的清漆，对于现有的清漆，尚未能充分应对 这些要求。
[0006] 现有技术文献
[0007] 专利文献
[0008] 专利文献1 :特开2002-151272号公报
【发明内容】
[0009] 发明要解决的课题
[0010] 本发明鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供能够在低于200°C的低温下烧成， 同时在这样的烧成条件下制作的薄膜具有高平坦性且具有高电荷传输性，应用于有机EL 元件的情况下能够发挥优异的亮度特性的电荷传输性清漆。
[0011] 用于解决课题的手段
[0012] 本发明人为了实现上述目的而反复深入研究，结果发现：通过使用包含含有指定 的苯胺衍生物的电荷传输性物质、含有杂多酸的掺杂剂物质、和有机硅烷化合物的电荷传 输性清漆，从而能够在不到200°C的低温下烧成，同时在这样的烧成条件下制作的薄膜具有 高平坦性和高电荷传输性，而且将该薄膜应用于空穴注入层的情况下，得到能够实现优异 的亮度特性的有机EL元件，完成了本发明。
[0013] SP，本发明提供：
[0014] 1.电荷传输性清漆，其特征在于，包含：含有式（1)所示的苯胺衍生物的电荷传输 性物质、含有杂多酸的掺杂剂物质、有机硅烷化合物、和有机溶剂，
[0015] [化 1]
[0016]
[0017] (式（1)中，X1表不-NY 1-、-0-、-S-、- (CR7R8)「或单键，Y1相互独立地表不氛原 子、可被Z 1取代的、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯基或碳原子数2~20的 炔基、或者可被Z2取代的、碳原子数6~20的芳基或碳原子数2~20的杂芳基，R 1~R8相 互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可 被Z 1取代的、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯基或碳原子数2~20的炔基、 可被Z2取代的、碳原子数6~20的芳基或碳原子数2~20的杂芳基、-NHY 2、-NY3Y4、-C(O) ￥5、-0￥ 6、-5丫7、-503丫8、-(：(0)0￥9、-0(：(0)￥ 1°、-(：(0)順￥11、或者-(：(0)附12￥13基，￥ 2~￥13相互 独立地表示可被Z1取代的、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯基或碳原子数 2~20的炔基、或者可被Z 2取代的、碳原子数6~20的芳基或碳原子数2~20的杂芳基， Z1表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z 3取代 的、碳原子数6~20的芳基或碳原子数2~20的杂芳基，Z2表示卤素原子、硝基、氰基、氨 基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z 3取代的、碳原子数1~20的烷基、碳原 子数2~20的烯基或碳原子数2~20的炔基，Z3表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟 基、硫醇基、磺酸基、或者羧酸基，1表示1~20的整数，m和η相互独立地表示0以上的整 数，满足1刍m+n刍20。不过，m或η为0时，X 1表示-NY L。）
[0018] 2. 1的电荷传输性清漆，其中，上述R1~R4为氢原子、素原子、可被Z1取代的碳 原子数1~10的烷基、或者可被Z 2取代的碳原子数6~14的芳基，上述R5和R6为氢原子、 卤素原子、可被Z 1取代的碳原子数1~10的烷基、可被Z 2取代的碳原子数6~14的芳基、 或者可被Z2取代的二苯基氨基，
[0019] 3. 1或2的电荷传输性清漆，其中，上述杂多酸包含磷钨酸，
[0020] 4. 1~3的任一项的电荷传输性清漆，其中，上述掺杂剂物质的质量（Wd)与上述电 荷传输性物质的质量（W h)之比（WD/WH)满足I. 0 = WD/WHf 11. 0，
[0021 ] 5. 1~4的任一项的电荷传输性清漆，其中，上述有机硅烷化合物为二烷氧基硅烷 化合物、三烷氧基硅烷化合物或四烷氧基硅烷化合物，
[0022] 6.使用1~5的任一项的电荷传输性清漆制作的电荷传输性薄膜，
[0023] 7.电子器件，其具有6的电荷传输性薄膜，
[0024] 8.有机电致发光元件，其具有6的电荷传输性薄膜，
[0025] 9. 8的有机电致发光元件，其中，上述电荷传输性薄膜为空穴注入层或空穴传输 层，
[0026] 10.电荷传输性薄膜的制造方法，其特征在于，将1~5的任一项的电荷传输性清 漆在基材上涂布，烧成，
[0027] 11. 10的电荷传输性薄膜的制造方法，其特征在于，在低于200°C下烧成，
[0028] 12.有机电致发光元件的制造方法，其中，使用6的电荷传输性薄膜。
[0029] 发明的效果
[0030] 本发明的电荷传输性清漆，即使在不到200°C的低温下烧成的情况下得到的薄膜 也具有高平坦性和高电荷传输性，将该薄膜应用于空穴注入层时得到能够实现优异的亮度 特性的有机EL元件。因此，通过使用本发明的电荷传输性清漆，能够实现制造工艺条件的 温和化产生的高收率化、低成本化、或者元件的轻质化、小型化等。
[0031] 此外，本发明的电荷传输性清漆，即使在使用了旋涂法、狭缝涂布法等能够大面积 地成膜的各种湿法的情况下也能够再现性良好地制造电荷传输性优异的薄膜，因此也能够 充分地应对近年来的有机EL元件的领域中的进展。
[0032] 进而，由本发明的电荷传输性清漆得到的薄膜也能够作为抗静电膜、有机薄膜太 阳能电池的阳极缓冲层等使用。
【具体实施方式】
[0033] 以下对本发明更详细地说明。
[0034] 本发明涉及的电荷传输性清漆包含：含有式（1)所示的苯胺衍生物的电荷传输性 物质、含有杂多酸的掺杂剂物质、有机硅烷化合物、和有机溶剂。
[0035] 其中，所谓电荷传输性，与导电性同义，与空穴传输性同义。电荷传输性物质，可以 是其自身具有电荷传输性，也可以是与电子接受性物质一起使用时具有电荷传输性。电荷 传输性清漆，可以是其自身具有电荷传输性，也可以是由其得到的固形膜具有电荷传输性。
[0036] [化 2]
[0037]
[0038] 式（1)中，乂1表示-附1-、-0-、-3-、-(〇^ 8)「或单键，但111或11为0时表示-附1-。
[0039] Y1相互独立地表示氢原子、可被Z 1取代的、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~ 20的烯基或碳原子数2~20的炔基、或者可被Z 2取代的、碳原子数6~20的芳基或碳原 子数2~20的杂芳基。
[0040] 作为碳原子数1~20的烷基，可以是直链状、分支状、环状的任一种，可列举例如 甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛 基、正壬基、正癸基等碳原子数1~20的直链或分支状烷基；环丙基、环丁基、环戊基、环己 基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、双环丁基、双环戊基、双环己基、双环庚基、双环辛基、 双环壬基、双环癸基等碳原子数3~20的环状烷基等。
[0041] 作为碳原子数2~20的烯基的具体例，可列举乙烯基、正-1-丙烯基、正-2-丙烯 基、1-甲基乙烯基、正-1-丁烯基、正-2-丁烯基、正-3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲 基_2_丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基_2_丙烯基、正-1-戊烯基、 正-1-癸烯基、正-1-二十碳烯基等。
[0042] 作为碳原子数2~20的炔基的具体例，可列举乙炔基、正-1-丙炔基、正-2-丙 炔基、正-1- 丁炔基、正-2- 丁炔基、正-3- 丁炔基、1-甲基-2-丙炔基、正-1-戊炔基、 正-2-戊炔基、正-3-戊炔基、正-4-戊炔基、1-甲基-正-丁炔基、2-甲基-正-丁炔基、 3-甲基-正-丁炔基、1，1_二甲基-正-丙炔基、正-1-己炔基、正-1-癸炔基、正-1-十五 碳炔基、正-1-二十碳炔基等。
[0043] 作为碳原子数6~20的芳基的具体例，可列举苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、 2_蒽基、9_蒽基、1-菲基、2_菲基、3_菲基、4_菲基、9_菲基等。
[0044] 作为碳原子数2~20的杂芳基的具体例，可列举2-噻吩基、3-噻吩基、2-呋喃基、 3-呋喃基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、3-异噁唑基、4-异噁唑基、5-异噁唑基、2-噻 唑基、4-噻唑基、5-噻唑基、3-异噻唑基、4-异噻唑基、5-异噻唑基、2-咪唑基、4-咪唑基、 2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基等。
[0045] R7和R 8相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、 磺酸基、羧酸基、可被Z1取代的、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯基或碳