原 子数2~20的炔基、可被Z 2取代的、碳原子数6~20的芳基或碳原子数2~20的杂芳 基、-NHY2、-NY3Y 4、-C (0) Y5、-0Y6、-SY7、-SO3Y' -C (0)0Y9、-OC (O)Y1?、-C(O)NHY11'或者-C(O) NY12Y13基，Y 2~Y 13相互独立地表示可被Z 1取代的、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~ 20的烯基或碳原子数2~20的炔基、或者可被Z 2取代的、碳原子数6~20的芳基或碳原 子数2~20的杂芳基。
[0046] 作为卤素原子，可列举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
[0047] 此外，作为R7~R8和Y2~Y 13的烷基、烯基、炔基、芳基和杂芳基，可列举与上述同 样的基团。
[0048] 这些中，作为R7和R8,优选氢原子、或者可被Z1取代的碳原子数1~20的烷基，更 优选氢原子、或者可被Z1取代的甲基，最优选都为氢原子。
[0049] 1表示-(CR7R8)-所示的2价的亚烷基的重复单元数，为1~20的整数，优选1~ 10,更优选1~5,进一步优选1~2,最优选1。
[0050] 再有，1为2以上的情况下，多个R7可彼此相同，也可不同，多个R8也可彼此相同， 也可不同。
[0051] 特别地，作为X1，优选-NY1-或单键。此外，作为Υ1，优选氢原子、或者可被Z 1取代 的碳原子数1~20的烷基，更优选氢原子、或者可被Z1取代的甲基，最优选氢原子。
[0052] R1~R 6相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、 磺酸基、羧酸基、可被Z1取代的、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯基或碳原 子数2~20的炔基、可被Z 2取代的、碳原子数6~20的芳基或碳原子数2~20的杂芳 基、-ΝΗΥ2、-NY3Y 4、-C (0) Υ5、-0Υ6、-SY7、-SO3Y' -C (0)0Y9、-OC (O)Y1?、-C(O)NHY11'或者-C(O) NY12Y13基（Y2~Y13表示与上述相同的含义。），作为这些卤素原子、烷基、烯基、炔基、芳基 和杂芳基，可列举与上述同样的基团。
[0053] 特别地，式⑴中，作为R1~R4,优选氢原子、卤素原子、可被Z 1取代的碳原子数 1~10的烷基、或者可被Z2取代的碳原子数6~14的芳基，更优选氢原子、氟原子、或者可 被氟原子取代的碳原子数1~10的烷基，最优选全部为氢原子。
[0054] 此外，作为R5和R 6,优选氢原子、卤素原子、可被Z1取代的碳原子数1~10的烷 基、可被Z2取代的碳原子数6~14的芳基、或者可被Z2取代的二苯基氨基（Y3和Y 4为可被 Z2取代的苯基的-NY 3Y4基），更优选氢原子、氟原子、或者可被氟原子取代的二苯基氨基，进 一步优选同时为氢原子或二苯基氨基。
[0055] 而且，这些中，优选R1~R4为氢原子、氟原子、可被氟原子取代的碳原子数1~10 的烷基、R5和R6为氢原子、氟原子、可被氟原子取代的二苯基氨基、X 1为-NY L或单键、并且 Y1为氢原子或甲基的组合，更优选R 1~R4为氢原子、R5和R6同时为氢原子或二苯基氨基、 X1为-NH-或单键的组合。
[0056] 式（1)中，m和η相互独立地表示0以上的整数，满足1兰m+n兰20,如果考虑得 到的薄膜的电荷传输性和苯胺衍生物的溶解性的平衡，优选满足2 S m+n S 8,更优选满足 2兰m+n兰6,进一步优选满足2兰m+n兰4。
[0057] 再有，上述Y1~Y 13和R1~R8的烷基、烯基和炔基可被作为卤素原子、硝基、氰基、 氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z 3取代的、碳原子数6~20的芳基或 碳原子数2~20的杂芳基的Z1取代，上述Y 1~Y 13和R 1~R 8的芳基和杂芳基可被作为卤 素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z 3取代的、碳原子 数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯基或碳原子数2~20的炔基的Z2取代，这些基团 可进一步被作为卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、或羧酸基的Z 3取 代（作为??素原子，可列举与上述同样的基团。）。
[0058] 特别地，Y1~Y 13和R 1~R 8中，取代基Z 1优选卤素原子、或者可被Z 3取代的碳原 子数6~20的芳基，更优选卤素原子、或者可被Z3取代的苯基，最优选不存在（即，为未取 代）。
[0059] 此外，取代基Z2优选卤素原子、或者可被Z 3取代的碳原子数1~20的烷基，更优 选卤素原子、或者可被Z3取代的碳原子数1~4的烷基，最优选不存在（即，为未取代）。
[0060] 而且，Z3优选卤素原子，更优选氟，最优选不存在（即，为未取代）。
[0061] Y1~Y13和R1~R8中，烷基、烯基和炔基的碳原子数优选为10以下，更优选为6以 下，进一步优选为4以下。
[0062] 此外，芳基和杂芳基的碳原子数优选为14以下，更优选为10以下，进一步优选为 6以下。
[0063] 本发明中使用的苯胺衍生物的分子量通常为300~5000,从提高溶解性的方面出 发，优选为4000以下，更优选为3000以下，进一步优选为2000以下。
[0064] 应予说明，作为本发明中使用的苯胺衍生物的合成法，并无特别限定，可列举在 7、、b 4 y ·才 7、、·亇 S 力少· y 寸工亍 4 ·才 7、、· 亇 A y (Bulletin of Chemical Society of Japan) (1994 年第 67 卷第 1749-1752 页）、シ > 七亍 4 y 夕· 7 夕；I/ X (Synthetic Metals) (1997 年、第 84 卷、第 119-120 页）、Thin Solid Films (2012 年、 520 (24) 7157-7163)、国际公开2008/032617号、国际公开2008-032616号、国际公开 2008-129947号等中记载的方法。
[0065] 以下在本发明中列举优选的苯胺衍生物，但并不限定于这些。
[0066] [化 3]
[0067]
(i)
[0070] 本发明的电荷传输性清漆包含杂多酸。
[0071] 所谓杂多酸，是具有代表性地由式（A)所示的Keggin型或式（B)所示的Dawson 型的化学结构表示的、杂原子位于分子的中心的结构，作为钒（V)、钼（Mo)、钨（W)等的含氧 酸的同多酸与异种元素的含氧酸缩合而成的多酸。作为这样的异种元素的含氧酸，主要可 列举硅（Si)、磷（P)、砷（As)的含氧酸。
[0072] [化 5]
[0073]
[0074] 作为杂多酸的具体例，可列举磷钼酸、硅钼酸、磷钨酸、硅钨酸、磷钨钼酸等，它们 可单独使用，也可将2种以上组合使用。再有，本发明中使用的杂多酸可作为市售品得到， 此外，也能够采用公知的方法合成。
[0075] 特别地，掺杂剂物质由1种杂多酸单独组成的情况下，这1种杂多酸优选磷钨酸或 磷钼酸，最优选磷钨酸。此外，掺杂剂物质由2种以上的杂多酸组成的情况下，这2种以上 的杂多酸的1种优选磷钨酸或磷钼酸，更优选磷钨酸。
[0076] 再有，杂多酸即使在元素分析等的定量分析中与通式所示的结构相比元素的数多 或者少，只要其作为市售品获得或者按照公知的合成方法适当地合成，都能够在本发明中 使用。
[0077] SP，例如，一般地，磷钨酸用化学式H3 (PW12O4q) · ηΗ20表示，磷钼酸用化学式 H3(PMo12O40) ·ηΗ20表示，BP使在定量分析中该式中的P(磷）、0(氧）或者W(钨）或Mo(钼） 的数多或者少，只要是其作为市售品获得或者按照公知的合成方法适当地合成，都能够在 本发明中使用。这种情况下，所谓本发明中规定的杂多酸的质量，不是合成物、市售品中的 纯粹的磷钨酸的质量（磷钨酸含量），而意指可作为市售品获得的形态和可采用公知的合 成法分离的形态下包含水合水、其他的杂质等的状态下的总质量。
[0078] 本发明中，通过使杂多酸、优选地磷钨酸以质量比计、相对于1的电荷传输性物 质、为I. 0~11. 0左右、优选地1. 5~10. 0左右、更优选地2. 0~9. 5左右、进一步优选地 2. 5~9. 0左右、进一步优选地3. 0~8. 5左右，从而能够再现性良好地得到在用于有机EL 元件的情况下给予高亮度的电荷传输性薄膜。
[0079] B卩，这样的电荷传输性清漆中，杂多酸的质量（Wd)与电荷传输性物质的质量（Wh) 之比满足I. 0刍WD/WH刍11. 0、优选地1. 5刍WD/WH刍10. 0、更优选地2. 0刍WD/WH刍9. 5、 进一步优选地2. 5兰WD/WH兰9. 0、进一步优选地3. 0兰WD/WH兰8. 5。
[0080] 本发明的电荷传输性清漆中，除了上述的苯胺衍生物、杂多酸以外，也能够使用公 知的其他的电荷传输性物质、掺杂剂物质。
[0081 ] 本发明的电荷传输性清漆包含有机硅烷化合物。
[0082] 作为该有机硅烷化合物，可列举二烷氧基硅烷化合物、三烷氧基硅烷化合物或四 烷氧基硅烷化合物，这些可单独使用，也可将2种以上组合使用。
[0083] 特别地，作为有机硅烷化合物，优选二烷氧基硅烷化合物或三烷氧基硅烷化合物， 更优选三烷氧基硅烷化合物。
[0084] 作为四烷氧基硅烷化合物、三烷氧基硅烷化合物和二烷氧基硅烷化合物，可列举 例如式（2)~（4)所示的化合物。
[0085] Si(OR9)4 (2)
[0086] SiR10 (OR9)3 (3)
[0087] Si(R10)2(OR9)2 (4)
[0088] 式中，R9相互独立地表示可被Z 4取代的、碳原子