平滑装置、平滑方法、薄膜晶体管、显示基板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种平滑装置、平滑方法、薄膜晶体管、显示基板及显示装置。
【背景技术】
[0002]在现有的显示器件中，某些膜层的表面粗糙度会影响显示器件的性能。例如，在现有的利用多晶娃层作为有源层的薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)中，由于多晶娃层中晶粒交汇的边界处(即晶界处)存在凸起，会导致多晶硅层的表面粗糙度较大，即有源层的表面粗糙度较大，这样，会导致TFT的漏电流较大；并且，为了平化有源层的表面粗糙度，需要形成较厚的栅绝缘层，然而，较厚的栅绝缘层又会降低TFT的反应速度、驱动电流和存储电容，还会使阈值电压的漂移现象变得更加明显。
[0003]目前，现有的降低多晶硅层的表面粗糙度的方法一般为利用酸溶液对多晶硅层进行刻蚀处理，然而，酸溶液在刻蚀多晶硅层中晶界处的凸起部位的同时，还会刻蚀多晶硅层中的凹陷部位，从而损坏多晶硅层的整体表面，进而会对TFT的性能造成影响。
[0004]因此，如何提供一种新的降低表面粗糙度的装置，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明实施例提供了一种平滑装置、平滑方法、薄膜晶体管、显示基板及显示装置，用以提供一种新的降低表面粗糙度的装置。
[0006]因此，本发明实施例提供了一种表面粗糙度的平滑装置，包括:腔体、等离子体产生部件、磁场产生部件、电场产生部件以及位于所述腔体内的载物台；
[0007]所述载物台，用于承载待平滑物；
[0008]所述等离子体产生部件，用于在所述腔体内产生等离子体；
[0009]所述磁场产生部件，用于在所述腔体内产生平行于所述待平滑物的表面的磁场，使所述等离子体受到平行于所述待平滑物的表面的方向的洛伦兹力；
[0010]所述电场产生部件，用于在所述腔体内产生垂直于所述待平滑物的表面的电场，使所述等离子体受到垂直于所述待平滑物的表面且指向所述待平滑物方向的电场力。
[0011]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述装置中，还包括:控制部件；
[0012]所述控制部件，用于在所述等离子体靠近所述待平滑物的表面时控制所述磁场产生部件增强所述磁场的强度，同时控制所述电场产生部件减弱所述电场的强度。
[0013]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述装置中，所述磁场产生部件，包括:位于所述腔体的外表面的第一电磁线圈和第二电磁线圈，以及与所述第一电磁线圈电性连接的第一电源和与所述第二电磁线圈电性连接的第二电源；所述第一电磁线圈与所述第二电磁线圈关于所述腔体的中心轴对称；
[0014]所述第一电源，用于对所述第一电磁线圈加载第一电信号，使所述第一电磁线圈产生磁场；
[0015]所述第二电源，用于对所述第二电磁线圈加载第二电信号，使所述第二电磁线圈产生与所述第一电磁线圈产生的磁场方向相反的磁场。
[0016]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述装置中，所述控制部件，具体用于在所述等离子体靠近所述待平滑物的表面时控制所述第一电源增大所述第一电信号的强度以及控制所述第二电源增大所述第二电信号的强度。
[0017]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述装置中，所述电场产生部件，包括:位于所述载物台背离所述待平滑物的一侧的电极和与所述电极电性连接的第三电源；
[0018]所述第三电源，用于对所述电极加载与所述等离子体所带的电荷的极性相反的第三电信号。
[0019]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述装置中，所述控制部件，具体用于在所述等离子体靠近所述待平滑物的表面时控制所述第三电源减小所述第三电信号的强度。
[0020]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述装置中，所述等离子体产生部件，包括:耦合天线和三销钉调配器；
[0021]所述耦合天线和所述三销钉调配器，用于调节电磁波在所述腔体内的分布，使所述电磁波激励所述腔体内的气体形成等离子体。
[0022]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述装置中，所述腔体，包括:可彼此分离的两部分。
[0023]本发明实施例还提供了一种表面粗糙度的平滑方法，包括:
[0024]将待平滑物置于腔体内的载物台上；
[0025]对所述腔体进行抽真空处理；
[0026]利用等离子体产生部件在所述腔体内产生等离子体，利用磁场产生部件在所述腔体内产生平行于所述待平滑物的表面的磁场，利用电场产生部件在所述腔体内产生垂直于所述待平滑物的表面的电场。
[0027]本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层、源极和漏极，所述有源层为经过本发明实施例提供的上述表面粗糙度的平滑装置处理后的多晶硅层。
[0028]本发明实施例还提供了一种显示基板，包括:衬底基板和位于所述衬底基板上方的本发明实施例提供的上述薄膜晶体管。
[0029]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括:本发明实施例提供的上述显示基板。
[0030]本发明实施例提供的一种平滑装置、平滑方法、薄膜晶体管、显示基板及显示装置，该平滑装置包括:腔体、等离子体产生部件、磁场产生部件、电场产生部件以及位于腔体内的载物台；等离子体产生部件产生的等离子体在磁场产生部件产生的磁场的作用下受到平行于待平滑物的表面的洛伦兹力，在电场产生部件产生的电场的作用下受到垂直于待平滑物的表面且指向待平滑物方向的电场力；这样，等离子体在洛伦兹力和电场力的共同作用下向靠近待平滑物的方向运动，并在等离子体到达待平滑物的表面时，可以使等离子体选择性地与待平滑物上凸起部位的原子发生反应，从而可以在不损坏待平滑物的整体表面的前提下，降低待平滑物的表面粗糙度。
【附图说明】
[0031]图1为本发明实施例提供的表面粗糙度的平滑装置的结构示意图；
[0032]图2为本发明实施例提供的表面粗糙度的平滑装置中的等离子体在到达待平滑物的表面时所受到的洛伦兹力的方向的示意图；
[0033]图3为本发明实施例提供的表面粗糙度的平滑方法的流程图。
【具体实施方式】
[0034]下面结合附图，对本发明实施例提供的一种平滑装置、平滑方法、薄膜晶体管、显示基板及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0035]附图中各部件的形状和尺寸不反映其真实比例，目的只是示意说明本
【发明内容】
。
[0036]本发明实施例提供的一种表面粗糙度的平滑装置，如图1所示，包括:密闭的腔体1、等离子体产生部件2、磁场产生部件3、电场产生部件4以及位于腔体I内的载物台5 ;
[0037]载物台5，用于承载待平滑物6 ;
[0038]等离子体产生部件2，用于在腔体I内产生等离子体；
[0039]磁场产生部件3，用于在腔体I内产生平行于待平滑物6的表面的磁场，使等离子体受到平行于待平滑物6的表面的方向的洛伦兹力；
[0040]电场产生部件4，用于在腔体I内产生垂直于待平滑物6的表面的电场，使等离子体受到垂直于待平滑物6的表面且指向待平滑物6方向的电场力。
[0041]本发明实施例提供的上述表面粗糙度的平滑装置，等离子体产生部件产生的等离子体在磁场产生部件产生的磁场的作用下受到平行于待平滑物的表面的洛伦兹力，在电场产生部件产生的电场的作用下受到垂直于待平滑物的表面且指向待平滑物方向的电场力；这样，等离子体在洛伦兹力和电场力的共同作用下向靠近待平滑物的方向运动，并在等离子体到达待平滑物的表面时，可以使等离子体选择性地与待平滑物上凸起部位的原子发生反应，从而可以在不损坏待平滑物的整体表面的前提下，降低待平滑物的表面粗糙度。
[0042]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述装置中，腔体可以包括可彼此分离的两部分，例如，腔体可以设置有