晶片的加工方法及中间部件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及晶片的加工方法及在该加工方法中使用的中间部件，所述晶片的各器件具有多个凸点。
【背景技术】
[0002]在半导体晶片的表面上形成有IC(Integrated Circuit:集成电路)、LSI (largescale integrat1n:大规模集成电路)等大量器件，且一个个器件通过形成为格子状的多条分割预定线(间隔道)而划分，通过磨削装置对该半导体晶片的背面进行磨削而加工成规定的厚度之后，通过切削装置(Dicing(划线)装置)沿分割预定线进行切削而被分割成一个个器件，分割出的器件广泛应用于携带电话、电脑等各种电子设备中。
[0003]对晶片的背面进行磨削的磨削装置具有:卡盘工作台，其保持晶片；以及磨削单元，其以能够旋转的方式安装有磨轮，上述磨轮具有对保持在该卡盘工作台上的晶片进行磨削的磨具，该磨削装置能够高精度地将晶片磨削成期望的厚度。
[0004]由于要想对晶片的背面进行磨削，必须借助卡盘工作台对形成有多个器件的晶片的表面侧进行吸引保持，所以为了不损伤器件一般会在晶片的表面粘贴保护带(例如参照日本特开平5-198542号公报)。
[0005]近年来，电子设备具有小型化、薄型化的倾向，要求组装于电子设备的半导体器件也同样小型化、薄型化。但是，如果对晶片的背面进行磨削而使之薄化到例如100 μπι以下甚至50 μπι以下，则因为刚性显著降低而非常难以进行其后的操作。而且，根据情况还会存在晶片广生弯曲、因为弯曲而晶片自身破损的担忧。
[0006]为了解决这种问题而采用晶片承载系统(WSS)。在WSS中，预先将晶片的表面侧使用粘合剂粘贴到具有刚性的保护部件上之后，再对晶片的背面进行磨削使之薄化到规定的厚度(例如，参照日本特开2004-207606号公报)。
[0007]专利文献1:日本特开平5-198542号公报
[0008]专利文献2:日本特开2004-207606号公报
[0009]但是，将晶片从保护带或WSS的保护部件剥离而不使其破损比较困难，尤其是近年来，因为具有晶片的大口径化和最终厚度薄化的倾向，将晶片从保护部件剥离而不使其破损的难度增加。并且，还存在使晶片从保护部件剥离后在器件的表面残留糊或粘合剂的问题。
[0010]尤其是在各器件上形成有多个凸点的晶片中，由于凸点的凹凸，不但难以将晶片平坦地粘贴在保护部件上，而且还存在糊或粘合剂残留于凸点间的问题。
【发明内容】
[0011]本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种晶片的加工方法，其在剥离保护部件时不会使糊或粘合剂残留于凸点间，而且还容易剥离保护部件。
[0012]根据技术方案I所述的发明，提供一种晶片的加工方法，所述晶片在表面上具有:中央区域，在该中央区域配设有多个器件，所述多个器件分别形成有多个凸点；以及外周剩余区域，其围绕该中央区域，其特征在于，该晶片的加工方法具有:中间部件准备步骤，准备中间部件，所述中间部件具有与晶片的该中央区域对应的柔软部件、以及配设于该柔软部件的外周边缘的粘合部件；粘贴步骤，经由该粘合部件将该中间部件粘贴到承载板上，并且在使晶片的该中央区域与该柔软部件抵接的状态下经由该粘合部件将晶片粘贴到已粘贴在该承载板上的中间部件上；磨削步骤，在实施了该粘贴步骤之后对晶片的背面进行磨削；以及剥离步骤，在实施了该磨削步骤之后，将晶片从该承载板上剥离。
[0013]根据技术方案3所述的发明，提供一种中间部件，在晶片的加工方法中使用该中间部件，所述晶片的表面具有:中央区域，在该中央区域配设有多个器件，所述多个器件分别形成有多个凸点；以及外周剩余区域，其围绕该中央区域，其特征在于，该中间部件具有:柔软部件，其与晶片的该中央区域对应；以及粘合部件，其与配设于该柔软部件的外周边缘的晶片的该外周剩余区域对应。
[0014]根据本发明的晶片的加工方法，经由中间部件将晶片粘贴到承载板上，其中中间部件具有:柔软部件，其与所粘贴的晶片的中央区域对应；以及粘合部件，其配设于柔软部件的外周边缘。
[0015]因此，因为经由中间部件将晶片粘贴到承载板上，并且晶片的中央区域与中间部件之间不存在糊或者粘合剂，所以将晶片从承载板上剥离时不会使凸点间残留糊或者粘合剂。
[0016]因为通过配设于柔软部件的外周边缘的粘合部件将晶片粘合到承载板上，所以也容易从承载板上剥离晶片。并且，因为在柔软部件与晶片的中央区域抵接的状态下将晶片粘贴到承载板上，所以凸点的凹凸被柔软部件吸收，从而在使晶片的背面平坦化的状态下粘贴到承载板上。
【附图说明】
[0017]图1是适用于实施本发明的加工方法的晶片的立体图。
[0018]图2是在粘贴步骤中进行粘贴的晶片、中间部件以及承载板的剖视图。
[0019]图3(A)是在柔软部件的整个周面上配设有粘合部件的中间部件的俯视图，图3 (B)是在柔软部件的外周的多个位置配设有粘合部件的中间部件的俯视图。
[0020]图4是实施粘贴步骤后的晶片、中间部件以及承载板的剖视图。
[0021]图5(A)是在承载板上粘贴有保护带的状态下的剖视图，图5(B)是示出使用刀头切削装置切削保护带使之平坦化的情况的局部剖面侧视图。
[0022]图6是示出磨削步骤的立体图。
[0023]图7是示出转印步骤的剖视图。
[0024]图8是示出剥离步骤的第I实施方式的剖视图。
[0025]图9是示出剥离步骤的第2实施方式的剖视图。
[0026]标号说明
[0027]11:半导体晶片；12:承载板；14:中间部件；15:器件；16:柔软部件；17:凸点；18:粘合部件；19:中央区域(凸点形成区域);20:带；21:外周剩余区域(凸点未形成区域)；22:切削单元；30:刀头工具；36:切削单元；42:磨轮；46:磨具；50、50A:切削单元；54:切削刀具。
【具体实施方式】
[0028]下面参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。参照图1，示出适用于通过本发明的加工方法进行加工的半导体晶片(下文中有时简称为“晶片”)11的立体图。
[0029]半导体晶片11具有表面Ila和背面11b，在表面Ila上正交形成有多条间隔道(分割预定线)13，在通过间隔道13划分的各区域中分别形成有器件15。半导体晶片11例如由厚度为700 μπι的硅晶片构成。
[0030]如图1的放大图所示，在各器件15的四边形成有多个突起状的凸点17。因为在各器件15的四边形成有凸点17，所以半导体晶片11具有:形成有凸点17的中央区域(凸点形成区域)19 ;以及外周剩余区域(外周凸点未形成区域)21，其围绕中央区域19。
[0031]参照图2，示出晶片11、粘贴到晶片11的表面Ila上的承载板12、以及中间部件14的剖视图。承载板12例如由硅晶片或者玻璃晶片构成。
[0032]此外，在晶片11的外周部形成有从表面至背面的圆弧状的倒角部He，如果在之后说明的磨削步骤中对晶片11的背面Ilb进行磨削使晶片11形成为规定的厚度，则会因倒角部Ile的一部分而在晶片11的外周部上形成锐边。作为其对策，优选至少在实施磨削步骤之前实施边缘修剪，即借助切削刀具将晶片11的倒角部He的一部分去除成圆形。
[0033]中间部件14由柔软部件16和粘合部件18构成，其中柔软部件16由橡胶或者海绵橡胶等形成，粘合部件18配设于柔软部件16的外周。粘合部件18的厚度tl是I?5mm，更优选是2?3mm左右。粘合部件18例如由粘合剂形成，当在实施下文中说明的粘贴步骤后要对晶片11进行热处理的情况下，作为粘合部件18