半导体发光器件的制作方法

文档序号:9378305阅读:185来源:国知局
半导体发光器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体发光器件,特别是涉及一种半导体发光器件。
【背景技术】
[0002]上世纪60年代第一只LED产品在美国诞生,它的出现给人们的生活带来了很多光彩,由于LED具有寿命长、低功耗、绿色环保等优点,与之相关的技术发展得非常迅速。它已经成为“无处不在”的、与人类生活息息相关的光电器件和光源,比如手机的背光,交通信号灯,大屏幕全彩显示屏和景观亮化用灯等等。
[0003]随着以GaN(氮化镓)材料P型掺杂的突破为起点的第三代半导体材料的兴起,伴随着以III族氮化物为基础的高亮度发光二级管(Light Emitting D1de,LED)的技术突破,用于新一代绿色环保固体照明光源的氮化物LED正在成为新的研究热点。目前,LED应用的不断升级以及市场对于LED的需求,使得LED正朝着大功率和高亮度的方向发展。其中研究热点之一是高压直流LED技术,它是采用多颗芯片组成一个总发光二极管形式,即多颗LED串联形成一个LED。
[0004]目前高压LED技术属于新兴技术范畴,其技术存在一些问题:
LED芯片的出光效率有待提升,理论上用蓝光LED激发黄色荧光粉合成白光的发光效率高达每瓦300多流明,但是现在的实际效率还不到理论值的一半,大概是理论值的三分之一左右,其中一个重要原因是一部分从激活区发出的光无法从LED芯片内部逃逸出来。金属电极,芯片材料本身和基材对光的吸收和遮挡使得LED光效的损失很大。
[0005]另外,LED芯片出光效率低的另外一个原因是外延材料的折射率远大于空气折射率,而传统的LED芯片的图形往往采用矩形单元的布局,矩形芯片的侧面光取出角度很小,从而使有源区产生的光由于全内反射不能从LED中有效的发射出去,导致LED的外量子效率较低。

【发明内容】

[0006]本发明的目的在于提供一种半导体发光器件,以解决现有半导体发光器件中的前述技术问题,例如LED器件出光效率低的技术问题以及制造成本较高的问题。
[0007]为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种半导体发光器件,包括透明基材以及安装于所述透明基材上的复数半导体发光芯片,该复数半导体发光芯片之间通过形成于所述透明基材上的导电体串联和/或并联,并且至少在相邻半导体发光芯片之间的透明基材上开设有至少用以使射入所述透明基材的至少部分光线自透明基材中射出的凹槽。
[0008]优选的,所述凹槽为V型槽。
[0009]尤为优选的,所述V型槽相对两侧槽壁之间的夹角为25° ~65°。
[0010]优选的,所述半导体发光芯片倒装于所述透明基材上。
[0011]进一步的,所述半导体发光芯片的外延层的P、N半导体层上的电极区域分别经导电触点与导电体电性连接。
[0012]其中,所述透明基材或所述半导体发光芯片的衬底的材质至少可选自玻璃、蓝宝石、碳化硅或有机透明体,且不限于此。
[0013]其中,所述导电体至少可选用透明导电层或金属导电体,所述透明导电层的材质至少可选自氧化铟锡、氧化锌、石墨烯或碳纳米管,且不限于此。
[0014]其中,所述金属导电体,例如金属线的材质至少可选自Cr、Al、Ag、N1、Au或它们之间的某种组合,且不限于此。
[0015]但尤其优选的,所述导电体采用透明导电层。
[0016]优选的,所述半导体发光芯片具有三角形横截面和/或梯形纵向截面。
[0017]进一步的,所述半导体发光器件还包括至少用以包裹任一半导体发光芯片的封装层,所述内和/或表层分布有荧光粉。
[0018]进一步的,所述的半导体发光器件还包括用以整体封装所述半导体发光器件的封装层,所述封装层内和/或表层分布有荧光粉。
[0019]与现有技术相比,本发明的优点包括:
(1)本发明的半导体发光器件中,衬底、基材、导电层均可采用透明材质,避免了电极、基材和衬底对出光的阻挡,实现了空间全角度的出光,提高了出光效率;
(2)LED芯片采用了更有利于侧壁出光的三角形横向截面及梯形纵向截面,显著提升了每个芯片的出光效率;
(3)LED芯片之间的透明基材上开设有凹槽,特别是V型凹槽,可以大幅增加出光面积,进一步提高半导体发光器件的出光效率。
【附图说明】
[0020]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1所示为本发明具体实施例中一种半导体发光器件的结构示意图;
图2所示为本发明具体实施例中另一种半导体发光器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0022]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本发明的【具体实施方式】进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本发明的实施方式仅仅是示例性的,并且本发明并不限于这些实施方式。
[0023]在此,还需要说明的是,为了避免因不必要的细节而模糊了本发明,在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤,而省略了与本发明关系不大的其他细节。
[0024]参图1所示,半导体发光器件包括透明基材1,透明基材I的材质选自透明玻璃、蓝宝石、碳化硅或有机透明体,有机透明体包括PC (聚碳酸酯)、PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)等。优选的,透明基材I的材质为价格低廉且容易获取的玻璃。
[0025]透明基材I上倒装设有多个半导体发光芯片,例如LED芯片3 (图中示有2个),LED芯片3包括透明衬底以及
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