薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
【背景技术】
[0002]随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，己经取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器技术领域中，薄膜晶体管液晶显示器 TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑等领域。
[0003]相比于传统的薄膜晶体管，有机薄膜晶体管的制作成本更低，具有更广泛的应用价值。但是有机薄膜晶体管中由于采用有机材料作为半导体层，源漏电极的载流子进入到半导体层的难度较大，造成源漏电极与半导体层之间的接触电阻过大，降低了薄膜晶体管的电学性能。
【发明内容】
[0004]本发明的一个目的在于克服上述问题。
[0005]第一方面，本发明提供了一种薄膜晶体管，包括:有机半导体层和源漏电极层，其特征在于，还包括金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层设置在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间，功函高于所述源漏电极层的功函。
[0006]进一步的，所述金属氧化物绝缘层的厚度在0.1nm-1Onm之间。
[0007]进一步的，所述源漏电极层的材质为铜、铝、锌或银，所述金属氧化物绝缘层的材质为氧化钼、氧化镍、氧化钨或五氧化二钒。
[0008]进一步的，所述有机半导体层的材质为并五苯、6，13-双(三异丙娃基乙炔基)并五苯、富勒烯衍生物、聚3-己基噻吩、聚噻吩类衍生物或和小分子噻吩衍生物。
[0009]进一步的，还包括:过渡金属层，所述过渡金属层设置在所述源漏电极层和所述金属氧化物绝缘层之间，功函高于所述源漏电极层的功函。
[0010]进一步的，所述过渡金属层的材质为金或铂。
[0011]进一步的，所述过渡金属层的厚度为所述源漏电极层的厚度的1/2-1/10。
[0012]进一步的，所述过渡金属层的厚度为所述源漏电极层的厚度的1/4。
[0013]进一步的，所述有机薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
[0014]第二方面，本发明还提供了一种制作上述任一项所述的有机薄膜晶体的制作方法，包括形成有机半导体层和源漏电极层的步骤，其特征在于，还包括:在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间形成金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层的功函高于所述源漏电极层的功函。
[0015]进一步的，还包括:
[0016]在所述源漏电极层和所述金属氧化物绝缘层之间形成过渡金属层，所述过渡金属层的功函高于所述源漏电极层的功函。
[0017]进一步的，所述在所述源漏电极层和所述金属氧化物绝缘层之间形成过渡金属层包括:
[0018]采用真空热蒸镀沉积工艺形成金属氧化物绝缘层。
[0019]第三方面，本发明还提供了一种阵列基板，包括上述任一项所述的薄膜晶体管。
[0020]第四方面，本发明还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0021]本发明提供的薄膜晶体管中，在有机半导体层和源漏电极之间设置有功函高于源漏电极的金属氧化物绝缘层。功函较高的金属氧化物绝缘层能够产生界面偶极势皇以降低源漏电极中的载流子进入到有机半导体层中的难度，从而能够减小源漏电极层与半导体层之间的接触电阻，提高薄膜晶体管的电学性能。
【附图说明】
[0022]图1为本发明实施例一提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0023]图2-图5为本发明实施例一提供的薄膜晶体管的制作流程图；
[0024]图6为发明实施例二提供的一种薄膜晶体管的结构示意图。
【具体实施方式】
[0025]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例，都属于本发明保护的范围。
[0026]第一方面，本发明提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括:有机半导体层和源漏电极层，还包括:金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层设置在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间，功函高于所述源漏电极层的功函。
[0027]本发明提供的薄膜晶体管中，在有机半导体层和源漏电极之间设置有功函高于源漏电极的金属氧化物绝缘层。功函较高的金属氧化物绝缘层能够产生界面偶极势皇以降低源漏电极中的载流子进入到有机半导体层中的难度，从而减小源漏电极与半导体层之间的接触电阻，提高薄膜晶体管的电学性能。
[0028]第二方面，本发明还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，可用于制作上述的薄膜晶体管，该方法包括:形成有机半导体层和源漏电极层的步骤以及在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间形成金属氧化物绝缘层的步骤，所述金属氧化物绝缘层的功函高于所述源漏电极层的功函。
[0029]在具体实施时，本发明所提供的薄膜晶体管的具体结构可能有多种，比如可以为底栅型薄膜晶体管或者为顶栅型薄膜晶体管，另外除了上述的有机半导体层之外，还一般包括栅极、栅绝缘层、像素电极等基本结构，下面结合附图对本发明提供的薄膜晶体管的结构以及相应的制作方法进行详细说明。
[0030]实施例一
[0031]如图1所示，为本发明实施例一提供的薄膜晶体管的结构示意图，该薄膜晶体管为顶栅型结构。具体来说，包括:基底1、形成在基底I上的源电极2a和漏电极2b、形成在源电极2a和漏电极2b之上的金属氧化物绝缘层3、形成在金属氧化物绝缘层3之上的有机半导体层4、形成在有机半导体层4之上的栅绝缘层5、形成在栅绝缘层5之上的栅极6。
[0032]其中，这里的金属氧化物绝缘层3的功函高于这里的源电极2a和漏电极2b的功函。这样，功函较高的金属氧化物绝缘层3能够产生界面偶极势皇以降低源漏电极中的载流子进入到有机半导体层中的难度，从而减小造成源漏电极与半导体层之间的接触电阻，提高薄膜晶体管的电学性能。
[0033]在具体实施时，这里的金属氧化物绝缘层3的厚度可以在0.1nm到1nm之间，此时能够使源漏电极与半导体层之间的接触电阻得到较大幅度的降低。当然这里的金属氧化物绝缘层3的厚度为其他数值也能够一定程度上降低源漏电极与半导体层之间的接触电阻，相应的技术方案也应该落入本发明的保护范围。
[0034]进一步的，这里的源漏电极的材质可以具体为铜、铝、锌或银等成本较低的金属(一般为低功耗的金属)，而金属氧化物绝缘层的材质则可以为氧化钼、氧化镍、氧化钨或五氧化二钒等功函较高的材料。这样，由于铜、铝、锌或银以及氧化钼、氧化镍、氧化钨和五氧化二钒均较为便宜，能够降低薄膜晶体管的制作成本。
[0035]在具体实施时，这里的有机半导体层4的材质可以为并五苯(pentacene)、6，13-双(三异丙娃基乙炔基)并五苯(Tips-pentacene)、富勒稀衍生物比如[6，6]v_苯基 C61-丁酸甲酯([6，6] v-phenyl C61-butyric acid methyl ester，PCBM)、聚 3_ 己基噻吩(P3HT)、聚噻吩类衍生物比如聚(2，5-双(3-十四烷基噻吩-2-基)噻吩并[3，2-B]噻吩)(poly(2, 5-bis(3-tetradecylth1phen-2-yl)thieno[3, 2~b]th1phene, pBTTT)和小分子噻吩衍生物比如2，7烷基I [I]苯噻吩[3，2-b][l]苯并噻吩(2，7-alkyl [I]benzothieno [3, 2_b] [l]benzoth1phene，C8BTBT)中的一种。
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