基板处理装置以及基板处理方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施方式涉及基板处理装置以及基板处理方法。
【背景技术】
[0002]基板处理装置是在半导体或液晶面板等的制造工序中，将处理液(例如，抗蚀剂剥离液或清洗液等)供给至晶片或液晶基板等基板的表面并对基板表面进行处理的装置。在该基板处理装置中，一种进行自旋(spin)处理的基板处理装置被提出(例如，参考专利文献I)，该自旋处理使基板以水平状态旋转，将处理液从与此基板表面的中央对置的一个喷嘴供给至基板表面，通过由旋转所产生的离心力使此处理液扩散至基板表面。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献I日本特开2002 - 336761号公报
[0006]发明所要解决的课题
[0007]在上述的基板处理装置中，向基板中心附近供给新的处理液(新鲜的处理液)，但供给至基板中心附近的处理液由于离心力而流向基板周缘部，因此，变成了向基板周缘部供给已进行了反应或者污染的处理液(旧的处理液)。因此，在基板中心部和基板周缘部，处理上产生差异。为了抑制该处理差异，继续供给处理液直到基板周缘部的处理结束，但与之相应地，处理时间变长，而且处理液的消耗量也变大。
【发明内容】
[0008]本发明所要解决的课题是提供一种能够实现处理时间的缩短以及处理液消耗量的削减的基板处理装置以及基板处理方法。
[0009]实施方式的基板处理装置具备:支承部，在平面内支承基板；旋转机构，以与通过支承部支承的基板的表面相交的轴为旋转轴，使支承部旋转；多根喷嘴，设置为从通过支承部支承的基板的中心向周缘排列，将处理液分别排出至通过旋转机构而旋转的支承部上的基板的表面；以及控制部，根据形成于通过旋转机构而旋转的支承部上的基板表面的处理液的液膜厚度，使多根喷嘴分别以不同的排出定时排出处理液。。
[0010]实施方式的基板处理方法具有:使基板在平面内旋转的工序；以及根据形成于旋转的基板表面的处理液的液膜厚度，从自基板的中心向周缘排列的多根喷嘴，分别以不同的排出定时排出处理液的工序。
[0011]发明的效果
[0012]根据本发明，能够实现处理时间的缩短以及处理液消耗量的削减。
【附图说明】
[0013]图1为表示第一实施方式的基板处理装置的示意构成的图。
[0014]图2为表不第一实施方式的各喷嘴的排出定时的时间图。
[0015]图3为表示第一实施方式的晶片半径位置与接触角的关系的曲线图。
[0016]图4为表示第二实施方式的各喷嘴的排出定时的时间图。
[0017]图5为用于说明第二实施方式的外周喷嘴的排出定时的第一说明图。
[0018]图6为用于说明第二实施方式的外周喷嘴的排出定时的第二说明图。
[0019]图7为用于说明第二实施方式的外周喷嘴的排出定时的第三说明图。
[0020]图8为放大表示第二实施方式的外周喷嘴的下部的液膜厚的图。
[0021]图9为表示第二实施方式的外周喷嘴的下部的液膜厚与残留粒子数的关系的曲线图。
[0022]图10为表示第三实施方式的基板处理装置的示意构成的图。
[0023]图11为用于说明第三实施方式的喷嘴配置的说明图。
[0024]图12为用于说明其他实施方式的喷嘴排出顺序的说明图。
【具体实施方式】
[0025](第一实施方式)
[0026]参照图1?图3对第一实施方式加以说明。
[0027]如图1所示，第一实施方式的基板处理装置I具备:作为处理室的处理箱2 ;杯体3，设于此处理箱2内；支承部4，在此杯体3内以水平状态支承基板W ;旋转机构5，使此支承部4在水平面内旋转。而且，基板处理装置I具备:多根喷嘴6a、6b以及6c，将处理液分别供给至支承部4上的基板W的表面；摆动机构7，支承这些喷嘴6a、6b以及6c并且使其移动到处理位置和待机位置；供液部8，将处理液供给至各喷嘴6a、6b和6c ;控制部9，对各部进行控制。
[0028]杯体3形成圆筒形状，从周围包围支承部4并将其容纳于内部。杯体3的周壁的上部朝径向内侧倾斜，以支承部4上的基板W露出的方式开口。该杯体3接收从旋转的基板W上流下或者飞散的处理液。另外，在杯体3的底部设有用于排出所接收的处理液的排出管(未作图不)。
[0029]支承部4位于杯体3内的中央附近，被设为可在水平面内旋转。该支承部4具有多个销等支承部件4a，通过这些支承部件4a，可拆装地保持晶片或液晶基板等基板W。
[0030]旋转机构5具有连结于支承部4的旋转轴和作为使其旋转轴旋转的驱动源的发动机(均未作图示)等，通过发动机的驱动，介由旋转轴使支承部4旋转。该旋转机构5与控制部9电连接，其驱动通过控制部9来控制。
[0031]各喷嘴6a、6b和6c沿着支承部4上的基板W的表面，从其基板W的中心朝向周缘排列，并被设置为位于支承部4上的基板W的表面上方。这些喷嘴6a、6b以及6c将由供液部8供给的处理液从支承部4上的基板W的上方朝向旋转中的基板W的表面排出，并供给至此基板表面。另外，在图1中，喷嘴根数是三根，但该根数是举例示出的，而并不限于此。
[0032]作为第一喷嘴的喷嘴6a设于与支承部4上的基板W的表面的中心附近对置的位置，作为第二喷嘴的喷嘴6b设于与支承部4上的基板W的表面的半径方向的中央附近对置的位置。此外，作为第三喷嘴的喷嘴6c设于与支承部4上的基板W的表面的周缘附近对置的位置。
[0033]在此，各喷嘴6a、6b和6c配置于沿着支承部4上的基板W的表面在半径方向上延伸的一条直线上。不过，这些喷嘴6a、6b以及6c的配置并不限于一条直线上，例如，可以以跨该条直线的方式交替配置，也可以分别配置于基板W的表面中直径不同的三个圆的圆周上。
[0034]另外，作为各喷嘴6a、6b和6c，理想的是:使用排出口径的直径为Imm以上的喷嘴(各喷嘴6a、6b和6c的排出口径彼此可以相同也可以不同)，此外，相对于基板W的表面的排出角度为90度以下。而且，理想的是:将各喷嘴6a、6b和6c与基板W的表面的分开距离设为3mm以上。
[0035]此外，在基板W的背面也需要处理的情况下，即在处理基板W的两面的情况下，除了上述的各喷嘴6a、6b和6c，例如，也可以在支承部4内设置朝向支承部4上的基板W的背面排出处理液的喷嘴，并从此喷嘴将处理液供给至旋转中的基板W的背面的中央。
[0036]摆动机构7包括:保持各喷嘴6a、6b和6c的保持头7a ;沿着支承部4上的基板W的表面可移动地支承此保持头7a和各喷嘴6a、6b和6c的臂7b ;在水平面内可旋转地支承此臂7b的支柱7c。该摆动机构7与控制部9电连接，其驱动通过控制部9来控制。
[0037]在此，通过上述摆动机构7，各喷嘴6a、6b和6c例如移动到向与支承部4上的基板W的表面对置的处理位置和从此处理位置退避并能够进行支承部4上的基板W的设置以及搬出的待机位置。
[0038]供液部8具备储存处理液的储存箱或作为驱动源的栗、作为调整供给量的调整阀的阀(均未作图示)等，通过栗的驱动将处理液供给至各喷嘴6a、6b和6c。该供液部8与控制部9电连接，其驱动通过控制部9来控制。
[0039]在此，作为处理液，例如，可以使用臭氧水或氢氟酸(HF)、超纯水(DIW)等，也能够根据处理内容