等离子体增强化学气相沉积法产生的不合格单晶硅片处理方法
【技术领域】
[0001]本发明属太阳能电池制作技术领域，具体涉及一种等离子体增强化学气相沉积法产生的不合格单晶硅片处理方法。
【背景技术】
[0002]目前能源危机日益严重，人们对新能源尤其是绿色可再生能源的关注度越来越高，其中首当其冲的就是光伏太阳能电池技术，随着太阳能电池技术的不断发展，光伏发电已经走进了千家万户的生活中。在生产太阳能电池的过程当中难免会产生一些不合格的半成品，这些半成品导致整线良率降低，产品成本大幅提高，通常生产企业采用将这些不合格的半成品丢弃的办法来处理，这无疑造成资源的极大浪费，因此有必要提出改进。
【发明内容】
[0003]本发明解决的技术问题:提供一种等离子体增强化学气相沉积法产生的不合格单晶硅片处理方法，针对等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)产生的达不到生产指标要求的单晶硅片进行二次制绒及返工处理，以达到提高整线的良率，降低生产成本，以及减少资源的浪费的目的。
[0004]本发明采用的技术方案:等离子体增强化学气相沉积法产生的不合格单晶硅片处理方法，包含下述步骤:
[0005]I)对等离子体增强化学气相沉积法产生的达不到生产指标要求的单晶硅片进行酸洗去除氮化硅膜；
[0006]2) 二次制绒前预清洗；
[0007]3)碱液二次制绒；
[0008]4)将二次制绒后的单晶硅片进行水洗，酸洗，再水洗，然后热水空气干燥，最后烘干;
[0009]5)对单晶硅片的扩散、去磷硅玻璃、等离子体增强气象化学沉积、丝网印刷和激光刻蚀的方法均按照常规工艺执行；
[0010]6)通过测试分选合格的单晶硅片。
[0011]上述步骤I)中，将需要处理的单晶硅片浸泡于10% -20%浓度的氢氟酸溶液中15-30min，反应温度60°C，在这个过程中保证需要处理的单晶硅片完全浸泡于氢氟酸液之中并且保持液体的循环，每处理100片单晶硅片需要补充80ml-100ml纯水，15ml-20ml氢氟酸；之后依次对单晶娃片进行5-10min的水洗，3_5min的热水空气干燥以及5_10min的烘干，其中热水空气干燥分为热水浸泡l_3min和热空气干燥l_3min两部分，其热水浸泡的温度为60°C，烘干温度为80°C，可以得到完全去除了表面氮化硅膜的单晶硅片。
[0012]上述步骤2)中，将需要处理的单晶硅片完全浸泡于5% -10%浓度的异丙醇溶液3-5min，反应温度60-70°C，每处理100片单晶硅片需要补充500ml-800ml纯水以及30ml_70ml 异丙醇。
[0013]上述步骤3)中，将经过预清洗的单晶硅片完全浸泡于氢氧化钾、碱制绒添加剂和纯水的混合液中，其中氢氧化钾浓度为2% _5%，碱制绒添加剂浓度为0.2% -0.5%，保持液体循环持续5-15min，反应温度80°C，每处理100片单晶硅片补充500ml-1000ml纯水，100ml-150ml氢氧化钾和5ml-10ml碱制绒添加剂。
[0014]上述步骤4)中，其中第一次水洗5-10min ;酸洗为氢氟酸与盐酸的混合液，时间3-5min，其中氢氟酸浓度为4% _6%，盐酸浓度为10% -15%，每处理100片单晶硅片需要补充40ml-50ml纯水、5ml-10ml氢氟酸和10ml-15ml盐酸；第二次水洗时间为5_10min ;热水空气干燥为热水浸泡l_3min和热空气干燥l_3min两部分，其温度为60°C ;烘干时间为5-10min，其温度为 80°C。
[0015]本发明与现有技术相比能够将原本无法继续使用的已经在表面镀有氮化硅膜的单晶硅片通过二次制绒方法转变为能够继续使用的单晶硅片，从而提高整线的良率，降低生产成本，有效减少资源的浪费。
【附图说明】
[0016]图1为本发明原理结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图1描述本发明的实施例。
[0018]实施例一:等离子体增强化学气相沉积法产生的不合格单晶硅片处理方法，包含下述步骤:
[0019]I)对等离子体增强化学气相沉积法产生的达不到生产指标要求的单晶硅片进行酸洗去除氮化硅膜；具体说，将100片等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)产生的不合格半成品单晶娃片浸泡于10%浓度的氢氟酸(HF)溶液中15min，反应温度60°C，在这个过程中保证需要处理的单晶硅片完全浸泡于氢佛(HF)酸液之中并且保持液体的循环，每处理100片单晶娃片补充80ml纯水，15ml氢氟酸(HF);之后依次对单晶娃片进行5min的水洗，3min的热水空气干燥以及5min的烘干，其中热水空气干燥分为热水浸泡Imin和热空气干燥Imin两部分，其热水浸泡的温度为60°C，烘干温度为80°C，可以得到完全去除了表面氮化硅膜的单晶硅片；
[0020]2) 二次制绒前预清洗；具体说，将需要处理的100片单晶硅片完全浸泡于5%浓度的异丙醇(IPA)溶液3min，反应温度60_70°C，每处理100片单晶硅片补充500ml纯水以及30ml 异丙醇(IPA);
[0021]3)碱液二次制绒；具体说，将经过预清洗的100片单晶硅片完全浸泡于氢氧化钾(KOH)、碱制绒添加剂和纯水的混合液中，其中氢氧化钾(KOH)浓度为2%，碱制绒添加剂浓度为0.2%，保持液体循环持续5min，反应温度80°C，每处理100片单晶硅片补充500ml纯水，10ml氢氧化钾和5ml碱制绒添加剂。
[0022]4)将二次制绒后的单晶硅片进行水洗，酸洗，再水洗，然后热水空气干燥，最后烘干；具体说，其中第一次水洗5min ;酸洗为氢氟酸(HF)与盐酸(HCl)的混合液，时间3min，其中氢氟酸(HF)浓度为4%，盐酸浓度为10%，每处理100片单晶娃片需要补充40ml纯水、5ml氢氟酸(HF)和1ml盐酸(HCl);第二次水洗时间为5min ;热水空气干燥为热水浸泡2min和热空气干燥2min两部分，其温度为60°C ;烘干时间为5min，其温度为80°C ；
[0023]5)对单晶硅片的扩散、去磷硅玻璃、等离子体增强气象化学沉积、丝网印刷和激光刻蚀的方法均按照常规工艺执行，此处不再赘述；其中在等离子体增强气象化学沉积(PECVD)处产生了 2片破片；
[0024]6)通过测试分选合格的单晶硅片。
[0025]经过分选测试得到了平均转化效率达到18.2%的合格成品电池片98片(正常生产所产出的合格电池片平均转化效率为18.4% )，成功将原本100片不合格半成品转变为98片合格成品电池片，工艺过程中产生2片破片，破片率为2.00%，属于可接受范围之内，足以证明本发明所涉及的针对等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)产生的达不到生产指标要求的单晶硅片进行二次制绒及返工处理的方法，可以达到提高整线的良率，降低生产成本，以及减少资源的浪费的目的。
[0026]实施例二:等离子体增强化学气相沉积法产生的不合格单晶硅片处理方法，包含下述步骤:
[0027]I)对等离子体增强化学气相沉积法产生的达不到生产指标要求的单晶硅片进行酸洗去除氮化硅膜；具体说，将100片等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)产生的不合格半成品单晶娃片浸泡于16%浓度的氢氟酸(HF)溶液中20min，反应温度为60°C，在这个过程中保证需要处理的单晶硅片完全浸泡于氢氟酸(HF)溶液之中并且保持液体的循环，每处理100片单晶硅片需要补充90ml纯水，18ml氢氟酸；之后依次对单晶硅片进行7min的水洗，3.5min的热水空气干燥以及7min的烘干，其中热水空气干燥分为热水浸泡2min和热空气干燥2min两部分，其热水浸泡的温度为60°C，烘干温度为80°C，可以得到完全去除了表面氮化硅膜的单晶硅片；
[0028]2) 二次制绒前预清洗；具体说，将需要处理的单晶硅片完全浸泡于8%浓度的异丙醇(IPA)溶液4min，反应温度65°C，每处理100片单晶硅片需要补充700ml纯水以及50ml异丙醇；
[0029]3)碱液二次制绒；具体说，将经过预清洗的100