一种硅基oled显示像素的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于有机发光显示技术领域，具体地说涉及一种硅基OLED显示像素的制 备方法。
【背景技术】
[0002] 随着多媒体技术的发展对平板显示设备性能的要求越来越高，近年发展出以下三 种主要显示技术：等离子显示器、场发射显示器和有机电致发光显示器。其中有机电致发光 显示器是基于有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode，简称0LED)制得的显示设 备，其具有反应速度快、对比度高、视角广等特点。此外，OLED面板具有自发光的特点，不需 要使用背光板，因此节约了背光模块的成本，并且比传统液晶面板做的更轻薄。
[0003] 显示器全彩色技术是显示行业的核心技术，许多全彩色化技术也应用到了有机发 光显示器上。通常有下面三种表现形式：RGB像素独立发光，光色转换（Color Conversion) 和彩色滤光膜（Color Filter) AGB像素独立发光结构为三色像素直接发光结构，发光能量 无过滤层损失，RGB三色有机发光材料有电流发光效率上的差异，通过不同面积比例的RGB 像素搭配能够消除这种差异，减少显示图像色偏，同时可以扩大显示色域。
[0004] 现有技术中RGB三种颜色像素区尺寸精度和定位精度难于精确控制，导致混色比 不够合理，从而图像颜色产生偏差、失真。
【发明内容】
[0005] 为此，本发明所要解决的技术问题在于现有OLED显示装备中RGB像素区尺寸精度 和定位精度不足，导致混色比不合理，显示器图像颜色失真，从而提出一种RGB像素区配比 精度高、混色比合理的硅基OLED显示像素的制备方法。
[0006] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种硅基OLED显示像素的制备方法，其包括 像素背板工艺和有机发光层工艺，其中所述像素背板工艺包括：
[0007] (1)对基片进行金属电极层镀膜，所述镀膜为在金属电极上依次制作Ti/Al/Pt三 层金属堆叠电极，得到金属电极层；
[0008] (2)涂光刻胶，在所述金属电极层上涂覆光刻胶；
[0009] (3)曝光，将步骤（2)中涂覆有光刻胶的基片在曝光机上曝光；
[0010] (4)显影，将步骤（3)中曝光后的基片低转速下旋转喷洒显影液，然后纯水冲洗， 并在高转速下甩干；
[0011] (5)刻蚀，除去无光刻胶覆盖部分的金属电极层；
[0012] (6)清洗，首先将步骤（5)中经过刻蚀的半成品采用N-甲基吡咯烷酮液体浸泡，然 后用去离子水浸泡清洗，清洗后高速甩干，再烘干；
[0013] (7)真空退火，将步骤（6)中清洗烘干后的半成品在真空热板上放置，即得到具有 精细像素电极的娃基背板半成品；
[0014] 所述有机发光层工艺包括：
[0015] (8)有机遮罩对位校准，将步骤（7)中得到的具有精细像素电极的硅基背板半成 品在有机镀膜机台上在xy方向上与刻蚀图样进行CCD图像对位重合；
[0016] (9)三次有机蒸镀，分别在所述像素电极上蒸镀红、绿、蓝三色有机发光像素单 元；
[0017] (10) ITO镀膜，在步骤（9)得到的有机发光像素表面镀ITO膜；
[0018] (11)阻隔层镀膜，在步骤（10)中得到ITO膜的上表面制作厚度Al2O 3阻隔层，即 得到具有红、绿、蓝三基色有机发光像素单元的背板结构。
[0019] 所述的硅基OLED显示像素的制备方法，所述步骤（2)中，所述有机遮罩的开口尺 寸小于所述有机发光像素电极的尺寸，所述光刻胶厚度为2300-27〇〇A。
[0020] 优选的，所述步骤（9)中，每次蒸镀前需要进行有机遮罩对位校准。
[0021] 优选的，完成步骤（9)所述的蒸镀后，在所述有机发光像素单元表面蒸镀一层Mg/ Ag膜，所述Mg/Ag膜厚度为50-350 & Mg层和Ag层蒸镀速率比为10:0. 5。
[0022] 优选的，所述曝步骤（3)曝光前包括前烘烤的步骤，所述步骤（4)显影之后包括后 烘烤的步骤。
[0023] 优选的，所述有机发光像素单元由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层、主体 发光层、电子传输层和电子注入层。
[0024] 优选的，所述Ti/Al/Pt三层金属堆叠电极中，Ti层、Al层和Pt层厚度分别为 迦〇4、 500Jl和_又，三层金属的镀膜速率分别为Ti层1.5又/8, Al层Pt层 IA^fSo
[0025] 优选的，所述像素电极单边尺寸小于I ym时，所述步骤（2)中所述光刻胶上下表 面还要分别涂敷顶部抗反射膜和底部抗反射膜。
[0026] 优选的，所述有机遮罩在z方向上与所述基片间留有0. 7 ym的空隙。
[0027] 优选的，所述步骤（10)中ITO镀膜采用磁控溅射镀膜设备，靶材为掺杂10% In2O3 的 Sn02。
[0028] 优选的，所述的硅基OLED显示像素的制备方法，所述步骤（11)中，Al2O 3阻隔层厚 度为2400-2600Aa
[0029] 本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点，本发明所述的硅基OLED显 示像素的制备方法，包括像素背板工艺和有机发光层工艺，所述像素背板工艺通过金属电 极层镀膜、涂光刻胶、曝光、显影、刻蚀、清洗、真空退火形成了精细的像素结构，为输入信号 提供了接入点，利用真空环境退火改善了底层电极的性能，降低了电极的方块电阻，提高了 不同区域电极电阻率的一致性，从而提高了器件整体发光的亮度一致性。所述有机发光层 工艺中，在每次蒸镀有机发光像素单元前均进行有机遮罩对位校准，有机遮罩在xy方向上 与像素背板工艺中制作的像素电极精确对准，且有机遮罩的开口尺寸略小于像素电极的尺 寸，避免了不同像素单元间镀膜窜扰，有机遮罩在z方向上与像素电极间留有空隙，防止了 对像素电极或对已蒸镀的像素单元造成污染。同时由于制得的有机发光像素单元尺寸和定 位精确，三种颜色的混色比优异，使得图像颜色正常、不失真。
【附图说明】
[0030] 为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合 附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0031] 图1是本发明所述的硅基OLED显示像素的制备方法中像素背板工艺的流程图。
【具体实施方式】
[0032] 实施例
[0033] 如图1所示，本实施例提供了一种硅基OLED显示像素的制备方法，其包括像素背 板工艺和有机发光层工艺，其中所述像素背板工艺包括：
[0034] (1)对单晶硅基片进行金属电极层镀膜，镀膜前进行基片预处理：将所述单晶硅 基片在超声清洗设备中于80°C下用去离子水超声清洗2min，然后将所述基片在1500rpm/ min的转速下采用去离子水冲洗lmin，清洗后以2500rpm的转速高速甩干lmin，再进入氮气 保护烘箱，烘烤3min。使用磁控溅射镀膜设备，依次制作Ti/Al/Pt三层金属堆叠电极，厚 度分别为2〇〇1、500: 和60人，镀膜速率为、 3i/S和1人/s，得到金属电极 层；
[0035] (2)涂光刻胶，在所述金属电极层上涂覆一层光刻胶，所述光刻胶厚度为 2300-2700 A，本实施例中为2500人，所述光刻胶为FUTURREX公司的NR9-3000PY型负性 光刻胶，涂覆时，涂胶盘转速为3300rpm，涂覆时间为40s ;
[0036] (3)前烘烤，将步骤（2)中得到的涂覆有光刻胶的基片在氮气保护热盘上于80°C 下烘烤3min，然后自然冷却到室温。
[0037] (4)曝光，将步骤（3)中经过前烘烤的基片在I-Iine曝光机上以280mJ/cm2曝光 能量曝光IOOms ;
[0038] (5)显影，将步骤⑷