电子部件密封用树脂片、树脂密封型半导体装置及树脂密封型半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及电子部件密封用树脂片、树脂密封型半导体装置及树脂密封型半导体 装置的制造方法。
【背景技术】
[0002] W往，在半导体装置的制造中，在引线框、电路基板等各种基板上搭载半导体忍片 后，W覆盖半导体忍片等电子部件的方式进行树脂密封。在如此制造的树脂密封型半导体 装置中，存在密封树脂的吸水性高和可靠性降低的问题。因此，W往，通过使用吸水性低的 密封树脂来实现树脂密封型半导体装置的可靠性的提高。
[0003] 另一方面，W往，已知具有耐透湿性的聚丙締系树脂片（例如，参照专利文献1)。 专利文献1记载的聚丙締系树脂片用于各种包装、容器。
[0004] 现有技术文献 阳00引专利文献
[0006] 专利文献1:日本特开平07-148853号公报
【发明内容】
[0007] 发明所要解决的问题
[0008]但是，即使在树脂密封型半导体装置的制造中使用吸水性低的密封树脂，也存在 有时无法提高可靠性的问题。
[0009]本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供能够提高树脂密封型半导体装 置的可靠性的电子部件密封用树脂片、及可靠性高的树脂密封型半导体装置。
[0010] 用于解决问题的手段
[0011] 本申请发明人为了解决上述现有问题进行了研究，结果发现，在树脂密封型半导 体装置中，密封树脂的透湿度与可靠性相关，从而完成了本发明。
[0012] 目P，本发明所设及的电子部件密封用树脂片为用于制造树脂密封型半导体装置的 电子部件密封用树脂片，其特征在于，含有相对于电子部件密封用树脂片整体为70~93重 量％的无机填充剂，将厚度设为250ym时的热固化后的透湿度在溫度85°C、湿度85%、168 小时的条件下为300g/m2 ? 24小时W下。
[0013]W往认为，树脂密封型半导体装置的可靠性依赖于密封树脂的吸水性，关于透湿 度没有进行过研究。因此，发生过尽管密封树脂的吸水性低、却无法确保树脂密封型半导体 装置的可靠性的情况。本发明人进行深入研究的结果发现，密封树脂的透湿度低时，树脂密 封型半导体装置的可靠性提高。本发明人推测其理由在于，密封树脂的透湿度低时，水难W 从外部达到电子部件。目P，在使用即使吸水性低、但透湿度高的密封树脂的情况下，水最终 还是会到达电子部件，因此树脂密封型半导体装置的可靠性降低。
[0014]根据上述构成，含有相对于电子部件密封用树脂片整体为70~93重量％的无机 填充剂，将厚度设为250ym时的热固化后的透湿度在溫度85°C、湿度85 %、168小时的条件 下为300g/m2 ? 24小时W下，因此，水难W从外部到达电子部件。结果，能够提高树脂密封 型半导体装置的可靠性。需要说明的是，将透湿度的评价条件设定为溫度85°C、湿度85%、 168小时的原因在于，该条件符合半导体封装体的耐针焊可靠性试验（MSL试验）中最严格 的吸湿条件即Level1的条件。
[0015] 需要说明的是，在厚度不为250ym的情况下，通过下式1进行换算，得到在溫度 85°C、湿度85%、168小时的条件下将厚度设为250ym时的透湿度。
[0016] (式l)A-(250-D)XO. 101
[0017] (A:透湿度、D:样品厚度Um))
[0018] 上述构成中，优选将厚度设为250ym时的热固化后的透湿度在溫度60°C、湿度 90%、168小时的条件下为lOOg/m2 ? 24小时W下。将厚度设为250ym时的热固化后的透 湿度在溫度60°C、湿度90%、168小时的条件下为lOOg/m2 ? 24小时W下时，能够进一步提 高树脂密封型半导体装置的可靠性。需要说明的是，将透湿度的评价条件设定为溫度60°C、 湿度90%、168小时的原因在于，该条件为半导体封装体的高溫高湿放置试验中最严格的 条件之一。
[0019] 需要说明的是，在厚度不为250ym的情况下，通过下式2进行换算，得到在溫度 60°C、湿度90%、168小时的条件下将厚度设为250ym时的透湿度。
[0020] (式 ^A-(250-D)XO.OlO 阳OW(A:透湿度、D:样品厚度Um))
[0022] 上述构成中，优选通过混炼挤出进行制造。本发明的电子部件密封用树脂片含有 相对于电子部件密封用树脂片整体为70~93重量％的无机填充剂，因此难W成形为片状。 因此，通过利用混炼挤出进行制造，能够制成孔隙（气泡）等少的均匀的片。结果，能够进 一步实现低透湿性。
[0023] 另外，本发明所设及的树脂密封型半导体装置的特征在于，具备被粘物、W倒装忍 片连接方式连接于上述被粘物的半导体忍片、和对上述半导体忍片进行密封的电子部件密 封用树脂片，上述电子部件密封用树脂片含有相对于电子部件密封用树脂片整体为70~ 93重量％的无机填充剂，将厚度设为250ym时的热固化后的透湿度在溫度85°C、湿度 85%、168小时的条件下为300g/m2 ? 24小时W下，在上述被粘物与上述半导体忍片之间形 成有空隙。
[0024] 加速度传感器、压力传感器、巧螺仪传感器等MEMS(MicroElectroMechanical Systems,微机电系统）、弹性表面波滤波器（surfaceacousticwavefilte;r、SAW过滤器） 中，有的在结构上需要在被粘物与半导体忍片之间形成有空隙。但是，一旦水从外部侵入到 运样的空隙中则难W排除，该水会导致树脂密封型半导体装置的可靠性降低。
[0025]根据上述构成，电子部件密封用树脂片含有相对于电子部件密封用树脂片整体为 70~93重量％的无机填充剂，将厚度设为250ym时的热固化后的透湿度在溫度85°C、湿 度85%、168小时的条件下为300g/m2 ? 24小时W下，因此，水难W从外部侵入到被粘物与 半导体忍片之间的空隙。结果，能够提高树脂密封型半导体装置的可靠性。
[00%]另外，本发明所设及的树脂密封型半导体装置的特征在于，具有上述的电子部件 密封用树脂片。
[0027] 根据上述构成，电子部件密封用树脂片含有相对于电子部件密封用树脂片整体为 70~93重量％的无机填充剂，将厚度设为250ym时的热固化后的透湿度在溫度85°C、湿 度85%、168小时的条件下为300g/m2，24小时W下，因此，水难W从外部到达电子部件。结 果，能够提高树脂密封型半导体装置的可靠性。
[0028] 另外，本发明所设及的树脂密封型半导体装置的制造方法的特征在于，包括W覆 盖W倒装忍片连接方式连接于被粘物上的半导体忍片的方式从半导体忍片侧层叠电子部 件密封用树脂片的工序，上述电子部件密封用树脂片含有相对于电子部件密封用树脂片 整体为70~93重量％的无机填充剂，将厚度设为250ym时的热固化后的透湿度在溫度 85°C、湿度85%、168小时的条件下为300g/m2 ? 24小时W下。
[0029] 根据上述构成，上述电子部件密封用树脂片含有相对于电子部件密封用树脂片 整体为70~93重量％的无机填充剂，将厚度设为250ym时的热固化后的透湿度在溫度 85°C、湿度85%、168小时的条件下为300g/m2 ? 24小时W下，因此，所制造的树脂密封型半 导体装置中，水难W从外部到达电子部件。结果，能够提高树脂密封型半导体装置的可靠 性。
【附图说明】
[0030] 图1为表示本实施方式所设及的电子部件密封用树脂片的一例的截面示意图。
[0031] 图2为用于说明本实施方式所设及的树脂密封型半导体装置的制造方法的截面 不意图。
[0032] 图3为用于说明本实施方式所设及的树脂密封型半导体装置的制造方法的截面 不意图。
[0033] 图4为用于说明本实施方式所设及的树脂密封型半导体装置的制造方法的截面 不意图。
[0034] 图5为用于说明本实施方式所设及的树脂密封型半导体装置的制造方法的截面 不意图。
[0035] 图6为用于说明本实施方式所设及的树脂密封型半导体装置的制造方法的截面 不意图。
【具体实施方式】
[0036] 参照附图对本发明的实施方式进行说明，但本发明不限定于运些例子。图1为表 示本实施方式所设及的电子部件密封用树脂片的一例的截面示意图。需要说明的是，本说 明书中，在图中省略了不需要说明的部分，另外，有为了易于说明而放大或缩小等来进行图 示的部分。
[0037](电子部件密封用树脂片）
[003引如图1所示，电子部件密封用树脂片2具有片状的形态。电子部件密封用树脂片 2用于树脂密封型半导体装置（例如，图6所示的树脂密封型半导体装置50)的制造。 [0039] 电子部件密封用树脂片2的将厚度设为250ym时的热固化后的透湿度在溫度 85°C、湿度85%、168小时的条件下为300g/m2 ? 24小时W下，优选为200g/m2 ? 24小时W下，更优选为lOOg/m2 -24小时W下。另外，上述透湿度越小越优选，但例如为Ig/m2 -24小 时W上。由于将厚度设为250iim时的热固化后的透湿度在溫度85°C、湿度85%、168小时 的条件下为300g/m2 ? 24小时W下，因此水难W从外部到达电子部件。结果，能够提高具有 电子部件密封用树脂片2的树脂密封型半导体装置的可靠性。 W40] 另外，电子部件密封用树脂片2的将厚度设为250ym时的热固化后的透湿度在溫 度60°C、湿度90%、168小时的条件下