5-;甲基苯等）、面代芳香族控类（氯苯、漠 苯、邻二氯苯、间二氯苯、对二氯苯等）、酸类（乙酸、异丙酸、叔下基甲基酸、四氨巧喃、二嗯 烧、1,2-二甲氧基乙烧、1,2-二乙氧基乙烧等）、酬类（丙酬、甲基乙基酬、甲基异下基酬、二 正下基酬、环己酬等）、酷胺类（N，N-二甲基甲酯胺、N，N-二甲基乙酷胺等）、内酷胺和内醋 类（N-甲基化咯烧酬、丫-下内醋等）、脈类（N，N-二甲基咪挫嘟酬、四甲基脈等）、亚讽类 (二甲基亚讽、环下讽等）、腊类（乙腊、丙腊、下腊等）等。运些溶剂可1种单独地使用，也 可将2种W上混合使用。
[0092] 反应溫度可在从使用的溶剂的烙点到沸点的范围内适当地设定，特别地，优选 O~200°C左右，更优选20~150°C。
[0093] 反应结束后，按照常规方法进行后处理，能够得到目标的N，N' -二芳基联苯胺衍 生物。
[0094] 作为本发明中能够适合使用的低聚苯胺衍生物，可列举W下化合物，但并不限定 于运些。 阳0巧][化8]
[0097] 作为本发明中能够适合使用的N，N' -二芳基联苯胺衍生物，可列举W下的化合 物，但并不限定于运些。 阳09引[化9]
[0100][渗杂剂] 阳101] 本发明的电荷传输性清漆包含渗杂剂。渗杂剂，只要在清漆中使用的至少1种溶 剂中溶解，则并无特别限定，无机系的渗杂剂、有机系的渗杂剂都能够使用。 阳102] 作为无机系的渗杂剂，可列举氯化氨（盐酸）、硫酸、硝酸、憐酸等无机酸；氯化侣 (III) (AlCls)、四氯化铁（IV)OICIa)、S漠化棚度B。)、S氣化棚酸络合物度Fs?OEtz)、氯 化铁（III) (FeCls)、氯化铜（n)脚化)、五氯化錬（V)(訊化）、五氣化錬（V) (SbFs)、五氣化 神（V) (AsFg)、五氣化憐（PFg)、S(4-漠苯基）侣六氯錬酸盐灯BPAH)等金属面化物；C12、 B。、12、IC1、ICI3、I化、IF4等面素；憐钢酸、憐鹤酸等杂多酸等。 阳103] 作为有机系的渗杂剂，可列举苯横酸、甲苯横酸、对-苯乙締横酸、2-糞横酸、4-径 基苯横酸、5-横基水杨酸、对-十二烷基苯横酸、二己基苯横酸、2, 5-二己基苯横酸、二下基 糞横酸、6, 7-二下基-2-糞横酸、十二烷基糞横酸、3-十二烷基-2-糞横酸、己基糞横酸、 4- 己基-1-糞横酸、辛基糞横酸、2-辛基-1-糞横酸、己基糞横酸、7-己基-1-糞横酸、6-己 基-2-糞横酸、二壬基糞横酸、2, 7-二壬基-4-糞横酸、二壬基糞二横酸、2, 7-二壬基-4， 5- 糞二横酸、国际公开第2005/000832号中记载的1,4-苯并二嗯烧二横酸化合物、国际公 开第2006/025342号中记载的芳基横酸化合物、国际公开第2009/096352号中记载的芳基 横酸化合物、聚苯乙締横酸等芳基横酸化合物；10-精脑横酸等非芳基横酸化合物；7, 7,8， 8-四氯基酿二甲烧（TCNQ)、2,3-二氯-5,6-二氯基-1,4-苯酿值D曲等有机氧化剂。运些 无机系和有机系的渗杂剂可1种单独地使用，也可将2种W上组合使用。
[0104] 运些中，优选芳基横酸化合物，更优选由式（7)表示的芳基横酸化合物。
[0105] [化 10]
[0107] (式中，M表示氧原子，A表示糞环或蔥环，B表示2~4价的全氣联苯，P表示与 A键合的横酸基数，是满足1 ^P^ 4的整数，q表示B与M的键合数，是满足2~4的整 数。）
[0108] 作为本发明中能够适合使用的渗杂剂，可列举W下的化合物，但并不限定于此。 阳 109][化 11]
[0111] 本发明中，W物质的量比（摩尔比）计，相对于1的由式（1)表示的低聚苯胺衍生 物，能够使由式（2)表示的N，N'-二芳基联苯胺衍生物为0.Ol~100左右，通过使其为优 选地0. 1~30左右、更优选地0. 8~20左右，能够再现性良好地得到用于有机化元件的 情况下给予高亮度的电荷传输性薄膜。目P，对于本发明的电荷传输性清漆，由式（2)表示的 N，N'-二芳基联苯胺衍生物的物质的量（MJ与由式（1)表示的低聚苯胺衍生物的物质的 量（Mhi)之比满足0.Ol兰Mh2/Xi兰100、优选地0. 1兰Mh2/Mhi兰30、更优选地0. 8兰Mhz/ M…兰20。
[0112] 此外，本发明中，W物质的量比（摩尔比）计，相对于1的电荷传输性物质（是指 由式（1)表示的低聚苯胺衍生物和由式（2)表示的N，N'-二芳基联苯胺衍生物。下同。）， 能够使渗杂剂、优选地芳基横酸化合物、更优选地由式（7)表示的芳基横酸化合物、进一步 优选地由式（8)表示的芳基横酸化合物为0.Ol~100左右，通过使其为优选地0. 1~10 左右、更优选地0. 3~5左右，能够再现性良好地得到用于有机化元件的情况下给予高亮 度的电荷传输性薄膜。目P，对于本发明的电荷传输性清漆，渗杂剂的物质的量（Md)与电荷 传输性物质的物质的量（Mh)之比满足0.01兰Md/Mh兰100、优选地0. 1兰Md/Mh兰10、更优 选地0. 3兰Md/Mh兰5。
[0113] 在本发明的电荷传输性清漆中，除了上述的低聚苯胺衍生物、N，N' -二芳基联苯胺 衍生物W外，也能够使用公知的其他的电荷传输性物质。
[0114] [有机溶剂]
[0115] 作为调制本发明的电荷传输性清漆时使用的有机溶剂，能够使用可使电荷传输性 物质和渗杂剂良好地溶解的高溶解性溶剂。作为运样的高溶解性溶剂，可列举例如N，N-二 甲基甲酯胺、N，N-二甲基乙酷胺、N-甲基化咯烧酬、1，3-二甲基-2-咪挫嘟酬、二甘醇单甲 基酸等。运些溶剂能够1种单独地使用，或者能够将2种W上混合使用，其使用量，相对于 清漆中使用的溶剂全体，能够为5~100质量％。应予说明，电荷传输性物质和渗杂剂优选 都在上述溶剂中完全地溶解，或者成为了均匀地分散的状态，更优选完全地溶解。
[0116] 此外，本发明的电荷传输性清漆可含有至少1种25°C下具有10~200mPa?S、特 别地35~ISOmPa?S的粘度、常压（大气压）下沸点50~300°C、特别地150~250°C的 高粘度有机溶剂。由此，清漆的粘度的调整变得容易，其结果，再现性良好地给予平坦性高 的薄膜，根据使用的涂布方法的清漆调制成为可能。
[0117] 作为高粘度有机溶剂，可列举环己醇、乙二醇、乙二醇二缩水甘油酸、1，3-辛二醇、 二甘醇、二丙二醇、S甘醇、S丙二醇、1，3-下二醇、2, 3-下二醇、1,4-下二醇、丙二醇、己二 醇等，但并不限定于运些。运些溶剂可1种单独地使用，也可将2种W上混合使用。
[0118] 相对于本发明的清漆中使用的溶剂全体的高粘度有机溶剂的添加比例，优选为固 体不析出的范围内，只要固体不析出，添加比例优选5~80质量％。
[0119] 此外，为了对于基板的润湿性的提高、溶剂的表面张力的调整、极性的调整、沸点 的调整等，也能够相对于清漆中使用的溶剂全体W1~90质量％、优选地1~50质量％的 比例混合其他溶剂。
[0120] 作为其他溶剂，可列举例如乙二醇单下基酸、二甘醇二乙基酸、二甘醇二甲基酸、 二甘醇单乙基酸乙酸醋、二甘醇单下基酸乙酸醋、二丙二醇单甲基酸、丙二醇单甲基酸、丙 二醇单甲基酸乙酸醋、二甘醇单乙基酸、双丙酬醇、丫-下内醋、乳酸乙醋、乙酸正己醋等，但 并不限定于运些。运些溶剂能够1种单独地使用，或者将2种W上混合使用。 阳121] 本发明的清漆的粘度，根据制作的薄膜的厚度、固形分浓度等适宜地设定，通常在 25°C下为 1~50mPa?S。
[0122]此外，本发明中的电荷传输性清漆的固形分浓度，考虑清漆的粘度和表面张力等、 制作的薄膜的厚度等，适宜地设定，通常为0.1~10.0质量％左右，如果考虑提高清漆的涂 布性，优选为0. 5~5. 0质量％，更优选为1. 0~3. 0质量％。
[0123] [电荷传输性薄膜]
[0124] 通过将本发明的电荷传输性清漆在基材上涂布、烧成，从而能够在基材上形成电 荷传输性薄膜。
[01巧]作为清漆的涂布方法，并无特别限定，可列举浸溃法、旋涂法、转印印刷法、漉涂 法、毛刷涂布、喷墨法、喷涂法等，优选根据涂布方法来调节清漆的粘度和表面张力。
[0126] 此外，使用本发明的清漆的情况下，对烧成气氛也无特别限定，不仅是大气气氛， 在氮等非活性气体、真空中也能够得到具有均匀的成膜面和高电荷传输性的薄膜。
[0127] 烧成溫度，考虑得到的薄膜的用途、对得到的薄膜赋予的电荷传输性的程度等，在 大致100~260°C的范围内适宜地设定，在将得到的薄膜用作有机化元件的空穴注入层的 情况下，优选140~250°C左右，更优选145~240°C左右。再有，烧成时，为了显现更高的 均匀成膜性，在基材上使反应进行，可给予2阶段W上的溫度变化。加热可使用例如热板、 烘箱等适当的设备进行。
[0128] 对电荷传输性薄膜的膜厚并无特别限定，在有机化元件内作为空穴注入层使用 的情况下，优选5~200nm。作为使膜厚变化的方法，有使清漆中的固形分浓度变化、使涂布 时的基板上的溶液量变化等方法。 阳129][有机化元件]
[0130]作为使用本发明的电荷传输性清漆制作OL邸元件时的使用材料、制作方法，可列 举下述的使用材料、制作方法，但并不限定于运些。 阳131] 对于使用的电极基板，优选预先进行采用洗剂、醇、纯水等的液体洗净而净化，例 如，对于阳极基板，优选在使用前即刻进行UV臭氧处理、氧-等离子体处理等表面处理。不 过，阳极材料W有机