274 毫摩尔）和 0. 354g(0. 392 毫摩尔）（实施例 1-5); 0. 071g(0. 104 毫摩尔）、0. 078g(0. 233 毫摩尔）和 0. 351g(0. 388 毫摩尔）（实施例 1-6); W及0. 088g(0. 128毫摩尔）、0. 065g(0. 192毫摩尔）和0. 347g(0. 385毫摩尔）（实施例 1-7)W外，采用与实施例1-1同样的方法调制电荷传输性清漆。 阳177][比较例1-1]
[0178] 在氮气氛下使按照国际公开第2008/032616号记载的方法制造的由式（9)表示的 N，N' -二芳基联苯胺衍生物BO. 189g(0. 345毫摩尔）和芳基横酸CO. 31Ig(0. 345毫摩尔） 的混合物溶解于1,3-二甲基-2-咪挫嘟酬17. 5g。向其中加入环己醇3. 5g和丙二醇3. 5邑， 进一步揽拌。使用孔径0. 2ym的PTFE制过滤器将得到的溶液过滤，得到了电荷传输性清 漆。 阳1巧][化14]
阳181][比较例1-2]
[0182] 在氮气氛下使苯胺衍生物AO. 031g(0. 045毫摩尔）、N，N' -二芳基联苯胺衍生物 BO. 166g(0. 303毫摩尔）和芳基横酸CO. 304g(0. 336毫摩尔）的混合物溶解于1,3-二甲 基-2-咪挫嘟酬17. 5g。向其中加入环己醇3. 5g和丙二醇3. 5g，进一步揽拌。使用孔径 0. 2ym的PTFE制过滤器将得到的溶液过滤，得到了电荷传输性清漆。 阳183][比较例1-3]
[0184] 使用N，N' -二苯基联苯胺0. 742g、l，3-二甲基-2-咪挫嘟酬17. 5g、环己醇3. 5g 和丙二醇3. 5g，尝试了清漆的调制，但清漆悬浊，未能得到可用于有机化元件用的电荷传 输性薄膜的形成的均匀的清漆。
[0185] [3]电荷传输性薄膜的制作和薄膜的透明性评价
[0186] [实施例2-1~2-7和比较例2-1~2-2] 阳187] 使用旋涂器分别将实施例1-1~1-7和比较例1-1~1-2中得到的清漆涂布于石 英基板后，在大气中50°C下干燥5分钟，进而在230°C下烧成15分钟，在石英基板上形成了 膜厚30nm的均匀的薄膜。再有，石英基板是在使用等离子体洗净装置（150W、30秒）将表 面上的杂质除去后使用。
[0188] 测定制作的薄膜的透射率。透射率是扫描作为可见光区域的波长400~800nm。 将400、500、600、700和800皿下的透射率W及400~800皿的平均透射率示于表1。
[0189] [表U
阳1川如表1中所示，使用实施例1-1~1-7的电荷传输性清漆制作的薄膜，与使用包含 将共辆体系切断的低聚苯胺化合物作为电荷传输性物质的清漆（比较例1-1~1-2)制作 的薄膜相比，在可见区域中显示高透射率。 阳19引[4]有机化元件的制造和特性评价阳193][实施例3-1]
[0194] 使用旋涂器将实施例1-1中得到的清漆涂布于ITO基板后，在50°C下干燥5分钟， 进而，在大气气氛下、230°C下烧成15分钟，在ITO基板上形成了 30nm的均匀的薄膜。作为 ITO基板，使用将铜锡氧化物（口0)在表面上W膜厚150nm图案化的25mmX25mmX0. 7t的 玻璃基板，在使用前通过〇2等离子体洗净装置（150W、30秒）将表面上的杂质除去。
[0195]接下来，对于形成了薄膜的ITO基板，使用蒸锻装置（真空度1.OX10 5pa)，依次 层叠N，N'-二（1-糞基）-N，N'-二苯基联苯胺（a-NPD)、S(8-径基哇嘟合）侣（III) (Al屯)、氣化裡、和侣的薄膜，得到了有机化元件。此时，关于蒸锻速率，对于a-NPD，A1q3 和侣，在0. 2nm/秒下，对于氣化裡，在0. 02nm/秒的条件进行，膜厚分别为30皿、40皿、0. 5皿 和 120nm。
[0196] 再有，为了防止空气中的氧、水等的影响导致的特性劣化，用密封基板将有机化 元件密封后，评价其特性。密封按W下的顺序进行。 阳197] 在氧浓度化pmW下、露点-85°CW下的氮气氛中，将有机化元件收入密封基板之 间，使用粘接材料（十方化个厶テックス（株）制造XNR5516Z-B1)将密封基板贴合。此时， 将捕水剂（父^二ッ夕（株）制造皿-071010W-40)与有机化元件一起收入密封基板内。 对于贴合的密封基板，照射UV光（波长：365皿、照射量：6,000mJ/cm2)后，在80°C下退火处 理I小时，使粘接材料固化。
[0198] [实施例3-2~3-7和比较例3-1~3-2]
[0199] 除了代替实施例1-1中得到的清漆而分别使用了实施例1-2~1-7、比较例1-1~ 1-2中得到的清漆W外，采用与实施例3-1同样的方法制作有机化元件。
[0200] [比较例3-引 阳201] 除了代替使用清漆形成薄膜而采用WN，N' -二苯基联苯胺作为蒸锻源的蒸锻法 (蒸锻速率0. 2nm/秒）在ITO基板上形成了只包含N，N' -二苯基联苯胺的30nm的均匀的 薄膜W外，采用与实施例3-1同样的方法制作有机化元件。 阳202] 测定制作的有机化元件的驱动电压5V下的电流密度和亮度。将结果示于表2。 阳20引[表引
阳20引如表2中所示，实施例的有机化元件显示比比较例的元件高的亮度。
【主权项】
1.电荷传输性清漆，其特征在于，包含：含有由式（1)表示的低聚苯胺衍生物的电荷传 输性物质、含有由式（2)表示的N，K -二芳基联苯胺衍生物的电荷传输性物质、掺杂剂和 有机溶剂，式中，R1各自独立地表示氢原子、可被Z1取代的碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~ 20的烯基或碳原子数2~20的炔基、或者可被Z2取代的碳原子数6~20的芳基或碳原子 数2~20的杂芳基， R2~R7各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺 酸基、羧酸基、可被Z1取代的碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯基或碳原 子数2~20的炔基、可被Z 2取代的碳原子数6~20的芳基或碳原子数2~20的杂芳 基、-順丫1、-附2丫 3、-(：(0)￥4、-0￥5、-5￥6、-50 3￥7、-(：(0)0￥8、-0(：(0)￥9、-(：(0)順￥ 1°或者-(：(0) NY11Y12 基， Y1~Y 12各自独立地表示可被Z 1取代的碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯 基或碳原子数2~20的炔基、或者可被Z2取代的碳原子数6~20的芳基或碳原子数2~ 20的杂芳基， Z1表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z 3取 代的碳原子数6~20的芳基或碳原子数2~20的杂芳基， Z2表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z 3取 代的碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯基或碳原子数2~20的炔基， Z3表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基或羧酸基， η表示2~20的整数，式中，R8~R 15各自独立地表示氢原子、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯 基或碳原子数2~20的炔基， Ar1和Ar 2各自独立地表示由式（3)或（4)表示的基团，式中，R16~R25各自独立地表示氢原子、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的 烯基或碳原子数2~20的炔基， X1和X2各自独立地表示氢原子、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯基、碳 原子数2~20的炔基、二苯基氨基、1-萘基苯基氨基、2-萘基苯基氨基、二（1-萘基）氨基、 二（2-萘基）氨基或1-萘基_2_萘基氨基。2. 使用权利要求1所述的电荷传输性清漆制作的电荷传输性薄膜。3. 电子器件，其具有权利要求2所述的电荷传输性薄膜。4. 有机电致发光元件，其具有权利要求2所述的电荷传输性薄膜。5. 权利要求4所述的有机电致发光元件，其中，上述电荷传输性薄膜为空穴注入层或 空穴传输层。6. 电荷传输性薄膜的制造方法，其特征在于，将权利要求1所述的电荷传输性清漆在 基材上涂布、烧成。7. 有机电致发光元件的制造方法，其特征在于，使用权利要求2所述的电荷传输性薄 膜。
【专利摘要】电荷传输性清漆，其包含：含有由式(1)表示的低聚苯胺衍生物的电荷传输性物质、含有由式(2)表示的N，Nˊ-二芳基联苯胺衍生物的电荷传输性物质、掺杂剂和有机溶剂。(式(1)中，R1表示氢、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，R2～R7表示氢、卤素、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、烷基、烯基、炔基、芳基、杂芳基、-NHY1、-NY2Y3、-C(O)Y4、-OY5、-SY6、-SO3Y7、-C(O)OY8、-OC(O)Y9、-C(O)NHY10或-C(O)NY11Y12基)。(式(2)中，R8～R15表示氢、烷基、烯基或炔基，Ar1和Ar2表示由式(3)或(4)表示的基团)。
【IPC分类】H01B1/12, C09D179/00, H01L51/50, H01B5/14, C09D5/24, H05B33/10, C07C211/54, C08G73/00, H01B1/20
【公开号】CN105190929
【申请号】CN201480016652
【发明人】中家直树, 森山彰治
【申请人】日产化学工业株式会社
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2014年3月17日
【公告号】WO2014148415A1