O稀释工艺对阻挡膜性能的改进的制作方法
【专利说明】用于薄膜封装的N;0稀釋工艺对阻挡膜性能的改进
[0001] 发巧的背景
技术领域
[0002] 本文所公开的实施方式总体设及使用化学气相沉积（CVD)处理的薄膜沉积。更具 体地，实施方式总体设及用于将阻挡层沉积到大面积基板上的方法。
【背景技术】
[0003] 有机发光二极管（OLED)用于制造电视机屏、计算机显示器、移动电话、其他手持 设备或用于显示信息的其他设备。典型OL邸可包括定位于两个电极之间的有机材料层， 所有运些有机材料层W形成具有可单独供电的像素的矩阵显示面板的方式沉积在基板上。 OL邸通常置于两个玻璃面板之间，并且玻璃面板边缘是密封的，W将OL邸封装在所述玻璃 面板中。
[0004] 封装通过使用UV固化环氧树脂（UV-cured巧oxyresin)的珠状物固定的玻璃盖 来将活性材料密封在惰性环境内实现。刚性封装不适用于柔性显示器，在柔性显示器中， 必须使用耐用且柔性的封装保护活性OL邸材料免受水气和氧。一种方法是使用多层封装 结构作为防止水气和氧渗透的阻挡层。可将无机层结合于多层封装结构中，W作为主要阻 挡层。出于应力释放W及水/氧扩散通道去禪合层（water/o巧gendiffusionchannels decouplinglayer)目的，也可结合有有机层。 阳〇化]氮化娃（SiN)已知是良好阻挡材料，因此SiN在多层封装结构中示为有可能作为 无机阻挡层。然而，低溫（例如，低于100摄氏度）下沉积的SiN膜具有较高应力，运会引 起多膜堆叠配置中发生膜剥离（也被称为分层（delamination))或失配的问题。因为OL邸 器件的一些层的敏感性，随后沉积在OL邸材料上的层将需要在较低溫度下（诸如在低于 l〇〇°C的溫度下）进行沉积。
[0006] 因此，需要将封装/阻挡膜沉积到大面积基板上且具有改进防水性能W保护在封 装/阻挡膜下方的器件的方法。
【发明内容】
[0007] 描述一种用于将无机层沉积到基板上的方法和装置。所述无机层可W是各种显示 应用中使用的多层封装结构的部分。所述多层封装结构包括一或多个无机层作为阻挡层W 改进防水性能。无机层的一或多个是由氧渗杂氮化娃组成。氧渗杂氮化娃提供低的水蒸汽 透过率，同时维持低的应力，从而防止多层封装结构的剥离或失配。
[0008] 在一个实施方式中，OL邸器件可W包括：OL邸结构，所述OL邸结构形成在基板上； W及多层封装层，所述多层封装层形成在所述OL邸结构上。所述多层封装层可包括一或多 个无机层，所述一或多个无机层形成在OL邸结构及基板的暴露表面上，其中一或多个无机 层中的至少一层包含渗杂有一氧化二氮（成〇)的氮化娃。
[0009] 在另一实施方式中，OL邸器件可W包括：OL邸结构，所述OL邸结构形成在基板上； W及多层封装层，所述多层封装层形成在所述OL邸结构上。所述多层封装结构可包括：第 一无机层，所述第一无机层形成在OL邸结构及基板的暴露表面上；一或多个有机层，所述 一或多个有机层形成在所述第一无机层上；W及一或多个第二无机层，所述一或多个第二 无机层形成在所述一或多个有机层中的至少一层上，其中所述一或多个第二无机层中的至 少一层包含渗杂有含氧气体的氮化娃。
[0010] 在另一实施方式中，沉积封装结构的方法可包括：将基板定位在处理腔室内；在 基板表面上形成OL邸结构；使包含一氧化二氮和硅烷化合物的沉积气体流入所述处理腔 室中，其中所述一氧化二氮和所述硅烷化合物W从约0. 3:1至约3:1的比率来传送；W及从 所述沉积气体在所述OL邸结构及所述基板的所述表面上沉积无机层，所述无机层包含氧 渗杂氮化娃。
【附图说明】
[0011] 因此，为了详细理解本发明的上述特征结构的方式，上文简要概述的本发明的更 具体的描述可W参考实施方式进行，一些实施方式图示在附图中。然而，应当注意，附图仅 图示了本发明的典型实施方式，并且因此不应被视为本发明的范围的限制，因为本发明的 实施方式可W允许其他等效实施方式。
[0012] 图1是可用于一或多个实施方式的工艺腔室。
[0013] 图2是根据一个实施方式的OL邸器件的横截面示意图，所述OL邸器件具有多层 封装结构沉积在顶部上。
[0014] 图3是根据一个实施方式的描绘在基板上形成多层封装结构工艺的流程图。
[0015] 为了促进理解，已尽可能使用相同元件符号指定各图所共有的相同元件。一个实 施方式中公开的要素可有利地用于其他实施方式，而无需具体地指明。
【具体实施方式】
[0016] 描述OL邸结构W及用于制造OL邸结构的方法，OL邸结构包括氧渗杂氮化娃阻挡 层。无机层可W是各种显示应用中使用的多层膜堆叠的部分。多层膜堆叠包括一或多个无 机层和一或多个有机层作为阻挡层W改进水性能。无机层的一或多层可由氧渗杂SiN组 成。氧渗杂SiN维持高的密度，同时表现出比标准SiN减小的应力。参考W下附图，更清楚 地描述本文所公开的实施方式。
[0017] 在下文中，本发明说明性地描述为用于处理系统，诸如可从作为位于加利福尼亚 州圣塔克拉拉市应用材料公司（AppliedMaterials,Inc.,SantaClara,CA)的子公司 的美商业凯科技股份有限公司（AKTAmerica,Inc.)获得的等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统。然而，应当理解，本发明也用于其他系统配置，包括其他制造商销售的那些。
[0018] 图1是可用于执行本文所述操作的工艺腔室的示意横截面图。装置包括腔室100， 在腔室100中，可在基板120上沉积一或多个膜。腔室100通常包括壁102、底部104W及 喷淋头（Showerhead) 106,它们共同限定工艺容积。基板支撑件118设置在工艺容积内。所 述工艺容积通过狭缝阀开口 108接取，使得基板120可传送入或传送出腔室100。基板支 撑件118可禪接到致动器116,W升高和降低基板支撑件118。升降杆122可移动地设置穿 过基板支撑件118,W将基板移向基板接收表面和从基板接收表面移离。基板支撑件118也 可包括加热和/或冷却元件124,W将基板支撑件118维持处于所需溫度。基板支撑件118 也可包括RF回程带126,W在基板支撑件118周围提供RF回程路径。
[0019] 喷淋头106可由紧固机构140来禪接到背板112。喷淋头106可由一或多个紧固 机构140来禪接到背板112,W有助于防止下垂（sag)和/或控制喷淋头106的直度/曲 度。
[0020] 气源132可禪接到背板112,W便经由喷淋头106中的气体通道将工艺气体提供给 介于喷淋头106与基板120之间的处理区域。气源132可W包括含娃气体供源、含氧气体 供源W及含碳气体供源等等。可与一或多个实施方式一起使用的典型工艺气体包括甲硅烷 仪成)、乙硅烷（disilane)、成0、氨（畑3)、&、Nz、或上述气体的组合。
[0021] 真空累110被禪接到腔室100,W将工艺容积控制在所需压力下。RF源128可通 过匹配网络150禪接到背板112和/或喷淋头106,W便将RF电流提供给喷淋头106。RF 电流在喷淋头106与基板支撑件118之间形成电场，使得等离子体可从介于喷淋头106与 基板支撑件118之间的气体产生。
[0022] 远程等离子体源130 (诸如，电感禪合远程等离子体源130)也可禪接在气源132 与背板112之间。介于处理基板之间，清洁气体可提供给远程等离子体源130,使得远程等 离子体产生。来自远程等离子体的自由基（radicals)可提供到腔室100,W便清洁腔室100 部件。清洁气体可进一步由提供给喷淋头106的RF源128激发。
[0023] 喷淋头106可另外地通过由喷淋头悬架