一种基于微同轴的vivaldi超宽带天线的制作方法

文档序号:9454871阅读:645来源:国知局
一种基于微同轴的vivaldi超宽带天线的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及微波天线领域,具体是一种基于微同轴的vivaldi超宽带天线。
【背景技术】
[0002] 近年来,射频微系统(RF Microsystems)的发展极大地促进了射频/微波系统的 多功能化和小型化,同时对天线与电路的集成也提出了更高要求,射频/微波传输线和馈 电线要求更大带宽、更低损耗和更小型化。但是,由于现有微波集成电路中多采用基于平面 印刷电路板(PCB)技术的微带、共面波导和带线等开腔形式的平面半开放结构。在进行天 线馈电和微波信号互联时,能量耦合和辐射损耗较大,信号互联时驻波较差,且应用频率受 限。因此,平面工艺的馈电技术较难进一步实现射频/微波系统的集成化与微型化,也难以 将vivaldi天线超宽带性能更好的发挥出来。

【发明内容】
[0003] 本发明的目的是提供一种基于微同轴的vivaldi超宽带天线,以解决 现有技术存在的问题。
[0004] 为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案为: 一种基于微同轴的vivaldi超宽带天线,其特征在于:包括有微波基板,微波基板顶面 前段设置上设置有金属辐射面,由微波基板、金属辐射面构成天线辐射单元,金属辐射面前 端向金属辐射面中开有具有特定曲率的辐射开口,金属辐射面后方的微波基板后段中刻蚀 有ID形槽,形槽中设置有形状匹配的带状的内导体,内导体㈡形下侧前端水平向前超 出上侧前端,内导体D形上、下侧前端分别连接有倾斜的过渡结构,内导体:_:形上侧通过 连接的过渡结构与金属辐射面后端底部连接,内导体D形内壁与微波基板之间支撑有光 刻胶支柱,还包括套在内导体外的外导体,外导体内壁与内导体之间亦支撑有光刻胶支柱, 外导体后端开有天线槽口,由内导体、外导体、光刻胶支柱、过渡结构构成微同轴馈电单元, 所述微波基板底面还设置有微波电路单元,微波电路单元由微波芯片和微带线构成,微波 芯片的输入输出端通过微带线与内导体下侧前端的过渡结构连接,微波芯片的地与外导体 连接。
[0005] 所述的一种基于微同轴的vivaldi超宽带天线,其特征在于:金属福射面中福射 开口为喇叭口形,。喇叭口位于金属辐射面前端,喇叭口两侧为指数曲线。
[0006] 所述的一种基于微同轴的vivaldi超宽带天线,其特征在于:通过微同轴对天线 进行馈电,使得天线的辐射面在微带板的一面,微波电路在微带板的另一面,提升了微波电 路的集成性。
[0007] 所述的一种基于微同轴的vivaldi超宽带天线,所述微波芯片通过焊盘焊接在微 波基板底面,信号通过微同轴引出,并通过微同轴传输至背面的天线,进而将电磁波辐射出 去。
[0008] 所述的一种基于微同轴的vivaldi超宽带天线,其特征在于:通过电铸和紫外线 光刻技术,综合应用SU8光刻胶和BPN光刻胶,在微带板内部刻蚀出同轴结构,内同轴通过 SU8光刻胶支撑。
[0009] 本发明提出一种基于微同轴馈电结构的超宽带vivaldi天线,以微波基板作为微 同轴馈电单元和天线的载体,微同轴馈电单元、金属福射面在微波基板上实现;微波基板底 面的芯片与天线之间微波信号高性能、高可靠和超宽带互连,已在2~24GHz宽带微波系统 测试中表现出了良好的传输性能,带内插损小于〇. 5dB。
[0010] 本发明依靠微同轴内导体直接馈电形式,实现了 vivaldi超宽带馈电结构,与现 有技术相比,本发明提供了一种无需阻抗匹配电路、体积较小、性能可靠、带宽较宽的高性 能馈电结构,实现了微波系统的高集成度和高性能。
【附图说明】
[0011] 图1为本发明所述vivaldi天线福射面与微同轴馈电结构正面俯视图; 图2为本发明所述天线背面同轴引出及芯片电路示意图; 图3为本发明所述微同轴馈电vivaldi天线整体侧视图; 图4为本发明所述微同轴馈电vivaldi天线同轴部分侧视图。
【具体实施方式】
[0012] 参见图1-图4所示,一种基于微同轴的vivaldi超宽带天线,包括有微波基板1, 微波基板1顶面前段设置上设置有金属辐射面2,由微波基板1、金属辐射面2构成天线辐 射单元,金属辐射面2前端向金属辐射面中开有具有特定曲率的辐射开口 10,金属辐射面2 后方的微波基板1后段中刻蚀有D形槽,?:形槽中设置有形状匹配的带状的内导体3,内 导体3 D形下侧前端水平向前超出上侧前端,内导体3;觀:形上、下侧前端分别连接有倾斜 的过渡结构5,内导体3 形上侧通过连接的过渡结构5与金属辐射面2后端底部连接, 内导体3 w形内壁与微波基板1之间支撑有光刻胶支柱9,还包括套在内导体3外的外导 体4,外导体4内壁与内导体3之间亦支撑有光刻胶支柱,外导体4后端开有天线槽口 11, 由内导体3、外导体4、光刻胶支柱9、过渡结构5构成微同轴馈电单元,微波基板1底面还 设置有微波电路单元6,微波电路单元6由微波芯片7和微带线8构成,微波芯片7的输入 输出端通过微带线8与内导体3下侧前端的过渡结构连接,微波芯片7的地与外导体4连 接。
[0013] 金属辐射面2中辐射开口 10为喇叭口形。喇叭口位于金属辐射面前端,喇叭口两 侧为指数曲线。
[0014] 天线通过其覆地面安装在外导体4后端的天线槽口 11中并与外导体4接触连接, 天线的槽线与内导体3后端连接。
[0015] 微波芯片7为微波功率放大芯片,微波芯片7通过焊盘焊接在微波基板1底面。
[0016] 本发明由由以下三个主要部分构成天线辐射单元,微同轴馈电单元和微波电路单 元构成。
[0017] 天线辐射单元主要由微波基板1、金属辐射面2构成。设计特定曲率的辐射开口曲 线和特点厚度的微波基板,以保证在2GHz-24GHz全频段范围内,电磁波的辐射方向图能够 达到要求的指标。阵列天线单元具体设计指标见表1。
[0018]
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