用于处理基板的设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本文描述的发明构思的实施例涉及一种基板处理设备，尤其涉及一种用于清洗基板的基板处理设备。
【背景技术】
[0002]由于半导体器件的高密度、高集成度和高性能，因而电路图案可按比例迅速缩小。污染物材料，例如颗粒、有机污染物、金属污染物和类似的材料可显著影响器件特性和产量。因此，在半导体制造工艺中，用于清除附着在基板表面上的各种污染物材料的清洗工艺可为非常重要的，基板清洗工艺可在用于制造半导体器件的每个单元工艺之前或之后被执行。
[0003]在公开号为2011-0116469的韩国专利中，示出了一种基板清洗设备，该设备包括具有3阶层(step)收集槽的容器。在该基板清洗设备中，用于清洗工艺的溶液可彼此独立地排出，且可分别通过形成在处理容器处的溶液路径排出。在该基板清洗设备中，收集槽的入口可上下叠放。所有收集槽可由驱动器驱动，以调节基板和收集槽之间的垂直高度，从而在执行工艺时，使得处理溶液可能不流入选定的收集槽而是流入其他任意的收集槽。
【发明内容】
[0004]本发明构思的实施例提供一种能够有效收集处理溶液的基板处理设备。
[0005]此外，本发明构思的实施例提供一种能够在基板处理工艺中，防止处理溶液不流入目标收集槽而流入到其他任意收集槽中的基板处理设备。
[0006]此外，本发明构思的实施例提供一种具有新结构收集槽的基板处理设备，上述收集槽能够在基板处理工艺中独立地收集多种处理溶液。
[0007]本发明构思的实施例一方面的目的是提供一种基板处理设备，该基板处理设备包括处理容器，所述处理容器在其内具有处理空间，且包括围绕所述处理空间的多个收集槽，所述收集槽被设置为使得用于将流体输入到所述处理空间的入口竖直地叠放在彼此上；支撑单元，所述支撑单元在所述处理空间中支撑基板；溶液供应单元，所述溶液供应单元将处理溶液供应到由所述支撑单元支撑的所述基板；以及升降单元，所述升降单元分别与所述收集槽连接，且分别将所述收集槽升起和降下。所述升降单元的每一个包括:基部，所述基部具有环形形状且与相应的收集槽连接；升降载荷，所述升降载荷与所述基部连接；以及驱动器，所述驱动器将所述升降载荷升起和降下。
[0008]所述基部可与所述收集槽的外壁固定连接。所述升降载荷可包括:竖直载荷，所述竖直载荷的长度方向设置在上、下方向上；以及轮缘(flange)，所述轮缘在远离所述支撑单元的方向上从所述竖直载荷延伸。所述驱动器可安装轮缘上，所述轮缘设置在各升降单元中与所述驱动器对应的升降单元不同的升降单元上。
[0009]设置在不同的升降单元上的轮缘可为邻近于具有所述驱动器的升降单元、且设置在具有所述驱动器的升降单元下方的升降单元的轮缘。
[0010]所述收集槽可包括:第一收集槽以及围绕所述第一收集槽的第二收集槽。所述基部可包括:第一基部，所述第一基部固定到所述第一收集槽的外壁上；以及第二基部，所述第二基部置于所述第一基部的内部，且固定到所述第二收集槽的外壁上。所述竖直载荷可包括:第一竖直载荷，所述第一竖直载荷与所述第一基部连接，所述第一竖直载荷的长度方向设置在上、下方向上；以及第二竖直载荷，所述第二竖直载荷与所述第二基部连接，且设置在从所述支撑单元到所述第一竖直载荷的方向上，所述第二竖直载荷的长度方向设置在上、下方向上。所述轮缘可包括:第一轮缘，所述第一轮缘在远离所述支撑单元的方向上从所述第一竖直载荷延伸。
[0011]所述收集槽还可包括围绕所述第二收集槽的第三收集槽。所述基部还可包括第三基部，所述第三基部被置于所述第二基部的内部，且固定在所述第三收集槽的外壁上。所述竖直载荷还可包括第三竖直载荷，所述第三竖直载荷与所述第三基部连接，且设置在从所述支撑单元到所述第二竖直载荷的方向上，所述第三竖直载荷的长度方向设置在上、下方向上。所述轮缘还可包括第二轮缘，所述第二轮缘在远离所述支撑单元的方向上从所述第三竖直载荷延伸，且设置在所述第一轮缘的上方。
[0012]所述驱动器可包括:第一驱动器，所述第一驱动器与所述第一竖直载荷的底面连接，且将所述第一收集槽向上和向下移动；以及第二驱动器，所述第二驱动器与所述第二竖直载荷的底面连接，且与所述第一轮缘的上部固定连接以将所述第二收集槽向上和向下移动。
[0013]所述收集槽还可包括围绕所述第二收集槽的第三收集槽，所述基部还可包括第三基部，所述第三基部被置于所述第二基部的内部，且固定在所述第三收集槽的外壁上。所述竖直载荷还可包括第三竖直载荷，所述第三竖直载荷与所述第三基部连接，且设置在从所述支撑单元到所述第二竖直载荷的方向上，所述第三竖直载荷的长度方向设置在上、下方向上。所述轮缘还可包括第二轮缘，所述第二轮缘在远离所述支撑单元的方向上从所述第三竖直载荷延伸，且设置在所述第一轮缘的上方。所述驱动器还可包括第三驱动器，所述第三驱动器与所述第三竖直载荷的底面连接，且与所述第二轮缘的顶端部固定连接以将所述第三收集槽向上和向下移动。
[0014]所述第一基部可包括第一内侧壁，所述第一内侧壁在长度方向上与所述第一收集槽的外壁的底端部连接；第一外侧壁，所述第一外侧壁在远离所述支撑单元的方向上与所述第一内侧壁间隔分开，且平行于所述第一内侧壁；以及第一底壁，所述第一底壁与所述第一内侧壁的底面和所述第一外侧壁的底面连接，且水平设置。所述第二基部可包括第二内侧壁，所述第二内侧壁在长度方向上与所述第二收集槽的外壁的底端部连接；第二外侧壁，所述第二外侧壁在远离所述支撑单元的方向上与所述第二内侧壁间隔分开，且平行于所述第二内侧壁；以及第二底壁，所述第二底壁与所述第二内侧壁的底面和所述第二外侧壁的底面连接，且水平设置。所述第三基部可包括第三内侧壁，所述第三内侧壁在长度方向上与所述第三收集槽的外壁的底端部连接；第三外侧壁，所述第三外侧壁在远离所述支撑单元的方向上与所述第三内侧壁间隔分开，且平行于所述第三内侧壁；以及第三底壁，所述第三底壁与所述第三内侧壁的底面和所述第三外侧壁的底面连接，且水平设置。
[0015]所述第一基部可具有顶端开放的第一空间，且所述第一空间由所述第一内侧壁、所述第一外侧壁和所述第一底壁围成。所述第二基部可具有顶端开放的第二空间，且所述第二空间由所述第二内侧壁、所述第二外侧壁和所述第二底壁包围，所述第三基部可具有顶端开放的第三空间，且所述第三空间由所述第三内侧壁、所述第三外侧壁和所述第三底壁围绕。所述第二基部可置于所述第一空间中，所述第三基部可置于所述第二空间中。
[0016]所述处理容器还可包括基槽，所述基槽围绕所述收集槽，且以圆形的形式设置。
[0017]所述收集槽可包括用于将收集的溶液排放到外部的排出管线。
[0018]所述排出管线可从所述收集槽的底面连接到外部，在所述基槽中，排出管线可连接到与设置所述收集槽的排出管线的位置相对的位置，且设置为连接到外部。
[0019]所述基板处理设备还可包括气流供应单元，所述气流供应单元将下降气流供应到所述处理空间，所述收集槽可包括出口，所述出口通过由所述气流供应单元提供的下降气流将气流排出。
[0020]所述基板处理设备还可包括辅助收集槽，所述辅助收集槽设置在所述收集槽的外部；以及辅助驱动器，所述辅助驱动器将所述辅助收集槽向上和向下移动。
[0021]所述基板处理设备还可包括辅助轮缘，所述辅助轮缘在远离所述支撑单元的方向上从所述第三竖直载荷延伸，且所述辅助驱动器固定连接在所述辅助轮缘上。
【附图说明】
[0022]根据以下参照附图的说明书，上述对象和特征以及其他对象和特征将变得明显，其中，贯穿各附图，相似的附图标记指代相似的部件，除非另有说明，其中，
[0023]图1为根据本发明构思的示例性实施例的基板处理设备的平面图；
[0024]图2为根据本发明构思的示例性实施例的基板处理设备的剖面图；
[0025]图3为示意性示出图2的基板处理设备的处理容器和升降单元的示意图；
[0026]图4-图7为示意性示出升降单元的驱动的示意图；以及
[0027]图8为不意性不出图2的基板处理设备的另个实施例的不意图。
【具体实施方式】
[0028]将参照附图详细描述实施例。然而，本发明的构思可以各种不同的形式体现，且不应当被解释为仅限于示出的实施例。而是，这些实施例作为示例被提供，使得对于本领域技术人员而言，该公开是彻底且完整的，并充分地表达了本发明构思的概念。相应地，对于本发明构思的一些实施例，并没有描述已知工艺、构件和技术。除非另有说明，贯穿附图和书面描述，相似的附图标记表示相似的构件，因此将不会重复描述。在附图中，为清楚起见，层和区域的尺寸和相对尺寸可能被放大。
[0029]应当理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可能在本文中使用以描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应受限于这些术语。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层和/或部分与另一个区域、层或部分进行区分。因此，以下所述的第一构件、第一组件、第一区域、第一层和/或第一部分可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层和/或第二部分，而不背离本发明的教导。
[0030]为了便于描述，本文可使用空间相对术语，例如“在…下面(beneath) ”、“在…下方(below) ”、“下面的(lower) ”、“在…之下(under) ”、“在…上方(above) ”、“上面的(upper)”等，以描述如附图中所示的一个构件或特征与另一个(多个)构件或(多个)特征之间的关系。应当理解的是，除附图中描述的方位以外，空间相对术语意图是包含设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的设备被倒置，描述为在其他构件或特征“下方(below)”或“下面(beneath)”或“之下(under) ”的构件将随之调整为在其他构件或特征的“上方”。因此，示例性术语“下方(below)”和“之下(under)”可包含上方和下方两个方位。