集成电路硅片分割方法

文档序号:9472837
集成电路硅片分割方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路硅片封装领域,特别是涉及一种集成电路硅片分割方法。
【背景技术】
[0002]目前硅片分割主要是通过划片方法来分割,划片工艺方法是把硅片用划片机切割成单个芯片,再用分片机或手工将芯片分开。分割芯片时采用金刚刀划片,但是金刚刀划片时易产生芯片边缘崩缺,可能接触到芯片保护环,甚至损伤芯片。
[0003]随着集成电路硅片制造工艺的不断发展,集成电路单位面积上芯片的数量越来越多,单位面积芯片制作的成本越来越低。为了降低成本,减小划片槽宽度是有效可行的方法之一,但带来的是分割芯片工艺的挑战,随着划片槽越来越窄,传统金刚刀分割芯片的方法受到越来越多限制。

【发明内容】

[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种集成电路硅片分割方法,能够将芯片分割开,且芯片边缘整齐,无崩缺、裂纹等缺陷。
[0005]为解决上述技术问题,本发明的集成电路硅片分割方法,包括如下步骤:
[0006]步骤一、通过蚀刻工艺方法将硅片划片槽内的介质材料蚀刻掉;
[0007]步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉,介质材料和硅材料蚀刻后,在划片槽内形成一定深度的沟道;
[0008]步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜(晶背研磨用紫外光膜),通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度,使附在研磨UV膜上的芯片自然分割开;
[0009]步骤四、对分割开的硅片进行倒膜,在硅片背面贴上绷架UV膜,并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射,使得研磨UV膜黏性下降;
[0010]步骤五、撕掉硅片研磨UV膜,得到已分割的芯片供后道工序封装。
[0011]采用本发明方法,能使划片槽刻蚀整齐光滑,芯片边缘无崩缺、裂纹等缺陷,可以实现无损伤分割芯片,保证芯片质量。
[0012]采用本发明的方法,省去了划片步骤,降低了划片周期和成本,大大提高了生产效率。
【附图说明】
[0013]下面结合附图与【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0014]图1-5是所述集成电路娃片分割方法一实施例TJK意图;
[0015]图6是所述集成电路硅片分割方法流程示意图。
【具体实施方式】
[0016]参见图1-5并结合图6所示,所述集成电路硅片分割方法在下面的实施例中,具体步骤如下:
[0017]步骤一、通过蚀刻工艺将硅片划片槽中介质材料蚀刻掉(结合图2所示);所述硅片由介质材料I和硅材料2组成(结合图1所示),所述划片槽中介质材料为金属层的介电质,如二氧化硅和氮化硅等介质层。
[0018]步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉,介质材料和硅材料蚀刻后,在划片槽内形成一定深度的沟道(结合图3所示),沟道深度约为180μπι?200 μ m。所述硅穿孔工艺方法为深反应离子蚀刻工艺方法,能够将硅片深挖一定深度,该深度需大于减薄后的硅片厚度,在划片槽区域形成“深沟道”。
[0019]步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜4,通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度,约为150μπι?170 μ m,附在研磨UV膜4上的电路芯片自然分割开(结合图4所示)。所述减薄工艺方法为粗磨和细磨,将硅片减薄到适合封装的厚度。
[0020]步骤四、对分割开的硅片进行倒膜,在硅片背面贴上绷架UV膜5 (结合图5所示),并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射,通过紫外光照射使得研磨UV膜黏性下降。
[0021]步骤五、撕掉硅片研磨UV膜,得到已分割的芯片供后道封装。
[0022]图1-5中,3表不光阻。
[0023]以上通过【具体实施方式】对本发明进行了详细的说明,但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下,本领域的技术人员还可做出许多变形和改进,这些也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种集成电路硅片分割方法,其特征在于,包括如下步骤: 步骤一、通过蚀刻工艺方法将硅片划片槽内的介质材料蚀刻掉; 步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉,介质材料和硅材料蚀刻后,在划片槽内形成一定深度的沟道; 步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜,通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度,使附在研磨UV膜上的芯片自然分割开; 步骤四、对分割开的硅片进行倒膜,在硅片背面贴上绷架UV膜,并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射,使得研磨UV膜黏性下降; 步骤五、撕掉硅片研磨UV膜,得到已分割的芯片供后道工序封装。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述划片槽内的介质材料为金属层的介电质。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述硅穿孔工艺方法为深反应离子蚀刻工艺方法,将硅片挖至一定深度,该深度需大于减薄后硅片的厚度,在划片槽区域内形成所述的沟道。
【专利摘要】本发明公开了一种集成电路硅片分割方法,步骤一、通过蚀刻工艺方法将硅片划片槽内的介质材料蚀刻掉;步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉,介质材料和硅材料蚀刻后,在划片槽内形成一定深度的沟道;步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜,通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度,使附在研磨UV膜上的芯片自然分割开;步骤四、对分割开的硅片进行倒膜,在硅片背面贴上绷架UV膜,并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射,使得研磨UV膜黏性下降;步骤五、撕掉硅片研磨UV膜,得到已分割的芯片供后道工序封装。本发明能够将芯片分割开,且芯片边缘整齐,无崩缺、裂纹等缺陷。
【IPC分类】H01L21/78
【公开号】CN105226017
【申请号】CN201410226459
【发明人】肖海滨, 金玮
【申请人】上海华虹集成电路有限责任公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2014年5月27日
再多了解一些
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