封装基板及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种封装基板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]新一代的电子产品不仅追求轻薄短小，更朝多功能与高性能的方向发展，因此，集成电路(Integrated Circuit,简称IC)技术不断地高密度化与微型化，以期在有限的晶片空间容纳更多的电子元件，而其后端的封装基板及其构装技术亦随之进展，以符合此新一代电子产品的发展趋势。
[0003]传统的封装基板采用转换铸模(Transfer Molding)或注射铸模(Inject1nMolding)等方式来制作其中的铸模化合物层；例如，图1A?IC为现有封装基板制作方法的不同步骤产品的结构剖面图。如图1A所示，承载板11之上形成有导电层12及金属柱状物13，当要在导电层12及这些金属柱状物13上制作铸模化合物层时，会先将承载板11的表面划分成多个区域，再依序于各区域分别进行铸模成形，例如，转换铸模。如图1B所示，可先针对承载板11左侧第一区域的导电层12及这些金属柱状物13制作铸模化合物层14，然后再针对该承载板11右侧第二区域的该导电层12及该等金属柱状物13制作另一铸模化合物层14。如此会有间隙形成于不同区域的铸模化合物层14之间，这将造成该封装基板后续工艺的介电材料加工以及部分的承载板11裸露而致的化学污染；此外，这种多次铸模成形的方式将会拉长封装工艺的所需时间。因此，有必要发展新的封装基板技术，以改善上述的问题。
【发明内容】
[0004]为达成此目的，根据本发明的一目的，一实施例提供一种封装基板，其包括:一承载板；一第一导线层，形成于该承载板上；一导柱层，包含数个金属柱状物，并形成于该第一导线层上；一铸模化合物层，形成于该第一导线层上，包覆该承载板上所有的该第一导线层与上述金属柱状物，只露出这些金属柱状物的一端面；一第二导线层，形成于该铸模化合物层与所述金属柱状物的露出端面上；以及一防焊层，形成于该第二导线层上。
[0005]根据本发明的另一目的，另一实施例提供一种封装基板的制作方法，包括下列步骤:(A)提供一承载板；(B)形成一第一导线层于该承载板上；(C)形成一导柱层于该第一导线层上，该导柱层包含数个金属柱状物；(D)形成一铸模化合物层于该承载板上，该铸模化合物层包覆该承载板上所有的该第一导线层与所述金属柱状物；(E)移除部分的该铸模化合物层，以露出所述金属柱状物；(F)形成一第二导线层于该铸模化合物层与所述金属柱状物的露出部分上；以及(G)形成一防焊层于该第二导线层上；其中，该制造方法的步骤(D)只进行一次即可。
[0006]在一实施例中，步骤(B)可包括:形成一第一光阻层于该承载板上，并图案化该第一光阻层；形成一第一金属层于该第一光阻层上；以及移除该第一光阻层，并同时进行该第一金属层的图案化，藉以形成该第一导线层。
[0007]在一实施例中，步骤(C)可包括:形成一第二光阻层于该承载板上，并图案化该第二光阻层；形成一第二金属层于该第二光阻层上；以及移除该第二光阻层，并同时进行该第二金属层的图案化，藉以形成所述金属柱状物。
[0008]在一实施例中，步骤(D)可包括:提供一铸模容器，并放置一铸模化合物于该铸模容器中；以及压合该铸模容器与该承载板，并同时进行该铸模化合物的固化，藉以形成该铸模化合物层。
[0009]在一实施例中，步骤(D)可包括:提供一铸模容器及一粉状或片状的铸模化合物；加热融化使该铸模化合物变成流体，并注入该铸模容器中；以及压合该铸模容器与该承载板，并同时进行该铸模化合物的固化，藉以形成该铸模化合物层。
[0010]在一实施例中，该铸模化合物的材料可包含酉分酸基树脂(Novolac-Based Resin)、环氧基树脂(Epoxy-Based Resin)、或石圭基树脂(Silicone-Based Resin)。
[0011]在一实施例中，步骤(E)可包括:自上而下研磨该铸模化合物层，直到所述金属柱状物的上端面露出。
[0012]在一实施例中，步骤(F)可包括:形成一第三光阻层于该第一铸模化合物层上，并图案化该第三光阻层；形成一第三金属层于该第三光阻层上；以及移除该第三光阻层，并同时进行该第三金属层的图案化，藉以形成该第二导线层。
【附图说明】
[0013]图1A?IC为现有封装基板制作方法的不同步骤产品的结构剖面图；
[0014]图2为根据本发明实施例的封装基板的剖面示意图；
[0015]图3为本发明实施例的封装基板制作方法的流程示意图；
[0016]图4A?4F为对应本发明实施例制作方法各步骤的封装基板结构剖面图；
[0017]图5A?5B为本发明实施例的铸模化合物层藉由压合铸模(Compress1nMolding)制作的示意图。
[0018]附图标记说明:11_基板；12-导电层；13-金属柱状物；14-铸模化合物层；100-封装基板；110-承载板；120-第一导线层；130-导柱层；131-金属柱状物；140_铸模化合物层；141-铸模容器；142-封装胶体；150-第二导线层；160_防焊层。
【具体实施方式】
[0019]为对本发明的特征、目的及功能有更进一步的认知与了解，兹配合图式详细说明本发明的实施例如下。在所有的说明书及图示中，将采用相同的元件编号以指定相同或类似的元件。
[0020]在各个实施例的说明中，当一元素被描述是在另一元素的「上方/上」或「下方/下」，是指直接地或间接地在该另一元素的上或之下的情况，其可能包含设置于其间的其他元素；所谓的「直接地」是指其间并未设置其他中介元素。「上方/上」或「下方/下」等的描述是以图式为基准进行说明，但亦包含其他可能的方向转变。所谓的「第一」、「第二」、及「第三」是用以描述不同的元素，这些元素并不因为此类谓辞而受到限制。为了说明上的便利和明确，图式中各元素的厚度或尺寸，是以夸张或省略或概略的方式表示，且各元素的尺寸并未完全为其实际的尺寸。
[0021]图2为根据本发明实施例的封装基板100的剖面示意图。封装基板100包含:一承载板110、一第一导线层120、一导柱层130、一铸模化合物层140、一第二导线层150以及一防焊层160 ;其中，承载板110可以是金属基板或玻璃纤维基板，用以承载或支持其上的导电线路及电子元件；第一导线层120形成于承载板110上，并图案化成封装基板100的导电走线，例如，金属走线；导柱层130形成于第一导线层120上，并图案化成数个金属柱状物131，例如，铜柱，用以连接第一导线层120与第二导线层150 ;铸模化合物层140为第一导线层120与第二导线层150之间的绝缘层，其包覆承载板110上所有的第一导线层120与导柱层130，只露出金属柱状物131的一端面，使得金属柱状物131得以连接第一导线层120与第二导线层150 ;铸模化合物层140可由适合压缩成型(Compress1n Molding)技术的绝缘材料所组成，例如，酸酸基树脂(Novolac-Based Resin)、环氧基树脂(Epoxy-BasedResin)、或娃基树脂(Silicone-Based Resin);第二导线层150形成于铸模化合物层140与金属柱状物131的露出端面上，并图案化成封装基板100的另一导电走线，例如，金属走线；防焊层160形成于第二导线层150及铸模化合物层140上，用以保护第二导线层150不受外部物或后续工艺的伤害。封装基板100可以是使用铸模互连基板(Mold InterconnectSubstrate, HS)技术的晶片尺寸封装的覆晶基板(Flip-Chip Chip Size Package,简称FCCSP)。
[0022]图3为本发明实施例的封装基板制作方法200的流程示意图，而图4A?4F及图2为对应本实施例制作方法200各步骤S210?S270的封装基板100的结构剖面图。制作方法200的步骤详述如下。
[0023]步骤S210，如图4A所示，提供一承载板110，其可以是金属基板或玻璃纤维基板，用以承载或支持其上的导电线路及电子元件；例如，如图2所示的第一导线层120、导柱层130、铸模化合物层140、第二导线层150以及防焊层160。
[0024]步骤S220，如图4B所示，形成一第一导线层120于承载板110上，并图案化成封装基板100的导电走线。第一导线层120可藉由金属的电锻(Electrolytic Plating)或蒸镀(Evaporat1n)技术来制作，例如，铜或铝，而其导电走线的图案化可藉由光微影蚀刻(Photolithography)技术来制作。例如，旋转涂布一第一光阻层(未图示)于承载板110上，并以曝光显影的方式图案化该第一光阻层；形成一第一金属层(未图示)于该图案化后的第一光阻层上；藉由剥离法(Lift-off)，在移除该图案化后的第一光阻层的同时，一并将位于该图案化后的第一光阻层上的该第一金属层移除，而非位于该图案化后的第一光阻层上的该第一金属层则被保留下来，藉以达成该第一金属层的图案化而形成第一导线层120。
[0025]步骤S230，如图4C所示，形成一导柱层130于第一导线层120上，并图案化成数个金属柱状物131，例如，铜柱或铝柱，用以连接封装基板100的第一导线层120与后续工艺将要制作的第二导线层150。导柱层130可藉由金属的电镀或蒸镀技术来制作，例如，铜