包括用于顶侧和侧壁保护的模塑的半导体器件的制作方法
【专利说明】包括用于顶侧和侧壁保护的模塑的半导体器件
[0001]背景
[0002]领域
[0003]各种特征涉及包括用于顶侧和侧壁保护的模塑的半导体器件。
【背景技术】
[0004]典型的管芯是通过在基板的顶上沉积数个金属层和数个介电层来制造的。该管芯通过使用晶片级封装(WLP)工艺来制造。基板、金属层和介电层是形成管芯的电路元件的物体。晶片上通常制造多个管芯。图1解说了包括数个未切割管芯102的晶片100的平面图。每个未切割管芯包括基板、金属层和介电层。晶片100随后被切割成个体/单个管芯。图1还解说了纵向和横向刻线102-104。刻线是晶片100的为了制造个体管芯(例如管芯102)而被切割的部分
[0005]图2解说了晶片的侧视图。具体而言，图2解说了晶片200的一部分的侧视图。晶片200包括数个金属层和介电层202、焊盘204、钝化层206、第一绝缘层208、第一金属层210、第二绝缘层212、和凸块下金属化(UBM)层214。图2还解说了晶片200上的焊球216。具体而言，焊球216耦合至UBM层214。焊盘204、第一金属层210和UBM层214是导电材料(例如，铜)。第一绝缘层208和第二绝缘层212是用于再钝化的聚酰亚胺层(PI)、聚苯并噁唑(PBO)或其他聚合物层。图2还解说了晶片200的将会被切合以创建个体管芯的区域。晶片200的该区域由刻线218解说，该刻线218可以对应于图1的刻线104-106中的任一者。
[0006]在将晶片(例如，晶片100、200)切割成一个或多个管芯的过程期间，很多应力(例如，热应力、机械应力)被施加于管芯。管芯上的结果造成的应力可能会影响该管芯和/或封装的组件，包括金属层、介电层、钝化层、UBM层和/或焊球。管芯的金属层、介电层和钝化层特别易于受到应力所影响。特别地，低K (LK)电介质或者极低K (ELK)、或超低K (ULK)电介质在应力下趋于脆性并且可能很容易破裂/碎裂。该应力能够导致管芯的碎裂和/或破裂，这最终产生了有缺陷的管芯。
[0007]因此，需要用以阻止和/或防止管芯的破裂和/或碎裂的传播的设计。
[0008]概述
[0009]本文中所描述的各种特征、装置和方法提供了包括用于顶侧和侧壁保护的模塑的半导体器件。
[0010]第一示例提供了一种半导体器件，其包括基板、耦合到该基板的数个金属层和介电层，以及耦合到该数个金属层之一的焊盘。该半导体器件还包括耦合到该焊盘的第一金属层以及耦合到该第一金属重分布层的凸块下金属化(UBM)层。该半导体器件进一步包括覆盖管芯的第一表面以及覆盖该半导体器件的至少侧部的模塑层。
[0011]根据一方面，该模塑层是环氧树脂层。在一些实现中，该模塑层是透明环氧树脂层。
[0012]根据一方面，该半导体器件的第一表面是该半导体器件的顶侧。
[0013]根据一方面，该模塑层覆盖了该半导体器件的该至少侧部，从而数个金属层和介电层中的至少一者的侧部被用该模塑层覆盖。
[0014]根据一方面，该半导体器件进一步包括耦合到该数个金属层之一的钝化层、位于该钝化层与该第一金属重分布层之间的第一绝缘层、以及位于该第一金属重分布层与该模塑层之间的第二绝缘层。在一些实现中，该模塑层覆盖了该半导体器件的该至少侧部，从而钝化层的侧部被用该模塑层覆盖。在一些实现中，该模塑层覆盖了该管芯的该至少侧部，从而第一绝缘层的侧部被用该模塑层覆盖。在一些实现中，该模塑层覆盖了该半导体器件的该至少侧部，从而第二绝缘层的侧部被用该模塑层覆盖。在一些实现中，第一绝缘层是至少聚酰亚胺层、聚苯并噁唑(PbO)层和/或聚合物层中的一者。
[0015]根据一方面，该半导体器件是至少管芯、管芯封装、集成电路(IC)和/或中介体中的一者。
[0016]根据一个方面，该半导体器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
[0017]第二示例提供了一种设备，其包括基板、耦合到该基板的数个金属层和介电层、耦合到该数个金属层之一的焊盘、耦合到该焊盘的第一金属重分布层、耦合到该第一金属重分布层的凸块下金属化(UBM)层、以及用于在切割工艺期间保护该设备防止其破裂的装置，该用于保护的装置覆盖该设备的第一表面并覆盖该设备的至少侧部。
[0018]根据一方面，该用于保护的装置是环氧树脂层。在一些实现中，该用于保护的装置是透明环氧树脂层。
[0019]根据一方面，该装置的第一表面是该装置的顶侧。
[0020]根据一方面，该用于保护的装置覆盖了该装置的该至少侧部，从而该数个金属层和介电层中的至少一者的侧部被用该用于保护的装置覆盖。
[0021]根据一方面，该设备进一步包括耦合到该数个金属层之一的钝化层、位于该钝化层与该第一金属重分布层之间的第一绝缘层、以及位于该第一金属重分布层与该模塑层之间的第二绝缘层。在一些实现中，该用于保护的装置覆盖了该设备的该至少侧部，从而该钝化层的侧部被用该用于保护的装置覆盖。在一些实现中，该用于保护的装置覆盖了该设备的该至少侧部，从而第一绝缘层的侧部被用该用于保护的装置覆盖。在一些实现中，该用于保护的装置覆盖了该设备的该至少侧部，从而第二绝缘层的侧部被用该用于保护的装置覆盖。在一些实现中，第一绝缘层是至少聚酰亚胺层、聚苯并噁唑(PbO)层和/或聚合物层中的一者。
[0022]根据一个方面，该设备被纳入到以下至少一者中:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。
[0023]第三示例提供了一种用于提供半导体器件的方法。该方法提供基板。该方法还提供了耦合到该基板的数个金属层和介电层。该方法进一步提供了耦合到该数个金属层之一的焊盘。该方法提供了耦合到该焊盘的第一金属重分布层。该方法还提供了耦合到第一金属重分布层的凸块下金属化(UBM)层。该方法进一步提供了覆盖该半导体器件的第一表面并覆盖该半导体器件的至少侧部的模塑层。
[0024]根据一方面，该模塑层是环氧树脂层。在一些实现中，该模塑层是透明环氧树脂层。
[0025]根据一方面，该半导体器件的第一表面是该半导体器件的顶侧。
[0026]根据一方面，该模塑层覆盖了该半导体器件的该至少侧部，从而该数个金属层和介电层中的至少一者的侧部被用该模塑层覆盖。
[0027]根据一方面，该方法进一步包括提供耦合到该数个金属层之一的钝化层，提供位于该钝化层与该第一金属重分布层之间的第一绝缘层，以及提供位于该第一金属重分布层与该模塑层之间的第二绝缘层。在一些实现中，该模塑层覆盖了该半导体器件的该至少侧部，从而该钝化层的侧部被用该模塑层覆盖。在一些实现中，该模塑层覆盖了该半导体器件的该至少侧部，从而第一绝缘层的侧部被用该模塑层覆盖。在一些实现中，该模塑层覆盖了该半导体器件的该至少侧部，从而第二绝缘层的侧部被用该模塑层覆盖。在一些实现中，第一绝缘层是至少聚酰亚胺层、聚苯并嚼唑(PbO)层和/或聚合物层中的一者。
[0028]根据一方面，该半导体器件是至少管芯、管芯封装、集成电路(IC)和/或中介体中的一者。
[0029]根据一个方面，半导体器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
[0030]附图
[0031]在结合附图理解下面阐述的详细描述时，各种特征、本质和优点会变得明显，在附图中，相像的附图标记贯穿始终作相应标识。
[0032]图1解说了包括未切割管芯的晶片。
[0033]图2解说了管芯的侧视图。
[0034]图3解说了包括提供顶侧和侧壁保护的模塑层的管芯的示例。
[0035]图4解说了包括提供顶侧和侧壁保护的模塑层的管芯的另一示例。
[0036]图5A解说了用于提供/制造包括提供顶侧和侧壁保护的模塑层的管芯的示例性序列的一部分。
[0037]图5B解说了用于提供/制造包括提供顶侧和侧壁保护的模塑层的管芯的示例性序列的一部分。
[0038]图5C解说了用于提供/制造包括提供顶侧和侧壁保护的模塑层的管芯的示例性序列的一部分。
[0039]图f5D解说了用于提供/制造包括提供顶侧和侧壁保护的模塑层的管芯的示例性序列的一部分。
[0040]图5E解说了用于提供/制造包括提供顶侧和侧壁保护的模塑层的管芯的示例性序列的一部分。
[0041]图6解说了在晶片上的四道激光序列的不例性序列。
[0042]图7解说了在晶片上的二道激光序列的不例性序列。
[0043]图8解说了用于提供/制造包括提供顶侧和侧壁保护的模塑层的管芯的示例性方法。
[0044]图9解说了包括提供顶侧和侧壁保护的模塑层的管芯的另一示例。
[0045]图10解说了包括提供顶侧和侧壁保护的模塑层的管芯的另一示例。
[0046]图11解说了包括提供顶侧和侧壁保护的模塑层的管芯的另一示例。
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