用于制造发射电磁辐射的组件的方法和发射电磁辐射的组件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于制造发射电磁辐射的组件的方法和一种发射电磁辐射的组件。
【背景技术】
[0002]在传统的发射电磁辐射的组件，在下文中称为组件中能够经由相加的色彩混合产生白光。对此，例如能够将具有发光材料的材料施加到发射电磁辐射的器件，在下文中称作器件，例如LED上。也能够称作为用于转换的材料或转换材料的、具有发光材料的材料将由器件产生的电磁辐射在其波长方面进行转换。例如，借助于器件能够产生蓝光，所述蓝光能够借助于转换材料转换成黄光。随后，由转换的、例如黄光和未转换的、例如蓝光构成的混合显示为白色。
[0003]首先在具有多个器件的器件复合件中制造组件。器件复合件例如能够是晶片。晶片中的各个器件、例如LED的特性彼此不同。所述特性例如是物理特性，例如所产生的光的波长、正向电压和/或所产生的光的亮度。因此，在其他方面相同的边界条件下，晶片的一个器件能够产生具有与同一晶片的另一器件不同亮度的光。因此，器件的特性是单独的进而在下文中也称作器件单独的特性。
[0004]在从器件复合件中分割器件之后，能够将具有发光材料的材料，例如以发光材料层的方式、例如以发光材料小板的方式施加到器件上。组件中的一个由具有至少一个发光材料层的至少一个器件形成。当然，发光材料层能够不精确相同地施加到所有器件上。由此，对于白色转换所需的磷光体量能够在器件之间是不同的。
[0005]如果器件的特性彼此不同，那么在相应的组件中能够从中得出对于所产生的光的不同的色度坐标，即使发光材料量和/或例如发光材料层的厚度在相应的组件中是相同的也如此。如果发光材料量彼此之间也仅稍微不同，那么在相应的组件中同样能够得出对于所产生的光的不同的色度坐标，即使器件的特征是相同的也如此。
[0006]已知的是，尽管如此为了得到能实现相同的或至少非常相似的色度坐标的组件，将器件根据其器件单独的特性来分拣，例如分拣到所谓的储藏箱中。转换材料的施用例如经由丝网印刷或模制法进行，其中制造用于相应的器件几何结构的转换小板，并且同样根据其特性分拣到储藏箱中。例如，测量发光材料小板的转换度作为特性。于是确定:哪个发光材料小板匹配于哪个器件，由此尽可能多的组件产生具有期望颜色和/或期望色度坐标的光。接着，将匹配的发光材料小板粘结到正确的器件上。
[0007]此外已知的是，在器件的发光材料区域上产生发光材料层的仅一个子覆盖部，然而所述子覆盖部在几何方面总是相同的并且不匹配于器件的特性。
【发明内容】
[0008]在不同的实施例中提供用于制造发射电磁辐射的组件的方法。在方法中提供具有发射电磁辐射的器件的器件复合件。器件在器件复合件中物理上彼此耦联。对于器件分别确定至少一个器件单独的特性。根据器件的所确定的特性，构成用于覆盖器件复合件中的器件的结构掩模。结构掩模与器件相对应地具有结构掩模凹部，所述结构掩模凹部根据相应的器件的特性来器件单独地构成。结构掩模凹部将在结构掩模凹部中暴露的发光材料区域预设在器件上。在器件的发光材料区域上构成发光材料层。将结构掩模从器件复合件移除。从器件复合件中分割器件。由分割的器件中的至少一个和由至少一个在其上构成的第一发光材料层构成组件。
[0009]器件单独的结构掩模凹部的壁部形成器件复合件单独的结构掩模。换言之，对于每个器件复合件，例如对于每个晶片构成单独的结构掩模，更确切地说根据相应的器件复合件的器件的器件单独的特性构成。器件单独的结构掩模凹部引起，对于器件复合件中的每个器件能够单独地设定发光材料层进而也单独地设定发光材料量。例如，能够单独地在器件之间变化结构掩模凹部的直径、数量、大小、形状和/或侧长，由此能够改变暴露在结构凹部中的发光材料区域的面积大小进而能够改变在发光材料层的厚度相同情况下在结构凹部中构成的发光材料层的体积大小进而能够改变每个器件的发光材料量。借助于单独地构成发光材料层，发光材料层能够以匹配于相应的器件的方式构成，使得借助于同一器件复合件的不同的器件能够实现相同的或至少近似相同的色度坐标，即使器件的特性彼此不同也如此。能够弃用发光材料小板的测定和发光材料小板与和其匹配的器件的指派。
[0010]为了确定器件单独的结构凹部进而器件复合件单独的结构掩模，能够存储并且随后进一步处理对应于器件的特性的数据。根据数据，能够借助于适合的软件程序确定对于各个器件所需的发光材料量和/或发光材料层。然后，根据所需要的发光材料量或发光材料层，能够确定结构掩模凹部的形状和大小进而也确定结构掩模本身。
[0011]提供器件复合件例如能够意味着构成器件复合件。器件复合件例如由具有多个层和接触面的晶片构成。器件在器件复合件中物理上彼此耦联例如能够意味着其至少部分地一件式地构成。例如，器件的基板和/或器件的各个层能够在整个器件复合件上延伸。要确定的特性是器件单独的例如能够意味着:至少一个特性在器件之间是不同的。特性例如能够是正向电压、所产生的亮度和/或所产生的波长。例如，能够借助于器件复合件的两个器件在其他方面相同的测试条件下产生不同波长的和/或具有不同亮度的光。构成结构掩模例如能够意味着首先构成结构掩模并且然后将其设置在器件复合件上或结构掩模直接构成在器件复合件上。发光材料层也能够称作第一发光材料层。
[0012]结构掩模凹部延伸至器件的表面并且限定器件的发光材料区域。换言之，借助于结构掩模凹部预设，发光材料区域如何构成并且在何处将发光材料层施加到器件上以及在何处不施加发光材料层。
[0013]例如能够以刻蚀法将结构掩模从器件复合件移除。器件例如能够借助于切割或锯害J，例如借助于激光从器件复合件中分割。能够由一个、两个或更多分割的器件和由分别在其上构成的至少一个发光材料层构成组件。
[0014]在不同的实施方式中，将结构掩模直接构成在器件复合结构上。这能够有助于:精确地、简单地和/或成本适宜地构成结构掩模。对此替选地，首先能够构成结构掩模并且接着设置在器件复合件上。
[0015]在不同的实施方式中，结构掩模具有能光刻结构化的材料，所述材料首先面状地施加到器件复合件上。根据所确定的特性，将面状地施加的材料曝光。例如能够借助于激光直接曝光器根据代表特性的数据来进行曝光。接着(根据能光刻结构化的材料的种类)将结构掩模的曝光的区域或未曝光的区域移除，尤其使得产生结构掩模凹部。这能够有助于精确、简单和/或成本适宜地构成结构掩模。能光刻结构化的材料例如能够是漆和/或以膜的形式施加到器件复合件上。例如能够以预设的厚度施加能光刻结构化的材料。厚度能够处于例如10 μπι至200 μπι、例如40 μm至60 μm的范围中、例如大约为50 μmD
[0016]在不同的实施方式中，借助于印刷法结构化地将结构掩模施加到器件复合件上。这能够有助于精确、简单和/或成本适宜地构成结构掩模。将结构掩模结构化地施加例如能够意味着结构掩模的结构直接在将结构掩模的材料施加到器件复合件上时构成。这与将材料首先面状地施加并且接着将材料结构化相反。
[0017]在不同的实施方式中，借助于刮涂施加发光材料层。在随后移除结构掩模时，也能够将在结构掩模上的具有发光材料的材料移除。对此替选地，能够将在结构掩模上的具有发光材料的材料首先剥离并且随后能够将露出的结构掩模移除。作为用于发光材料层的材料例如能够使