形地被半导体晶体100的表面110的覆盖区域111包围。
[0026]接触面410在横向方向上具有接触直径124，该接触直径比所暴露的直径123小。接触面410的接触直径124大致对应于光刻胶层300中的开口 310的开口直径311。光刻胶层300中的开口 310的开口直径311因此确定接触面410的接触直径124。
[0027]金属层400具有导电材料。金属层400例如可以具有金或银。金属层400也可以包括诸如铂、钛或铬的增附剂，所述增附剂在施加剩余的金属层400之前被施加，以便改进金属层400的附着。
[0028]由金属层400形成的接触面410良好地电连接到半导体晶体100上。接触面410和半导体晶体100之间的比接触电阻优选地是低的。
[0029]通过欠蚀刻220光刻胶层300确保了:金属层400的布置在光刻胶层300上的部分不与金属层400的形成接触面410的部分连接。这使得能够根据剥离方法(Lift-off方法)剥离金属层400的布置在光刻胶层300上的部分。
[0030]图6以示意性剖面图示出在时间上跟随在图5的图示之后的处理状态中的半导体晶体100。光刻胶层300与金属层400的布置在光刻胶层300上的部分一起被移除了。在半导体晶体100的表面110上因此剩下具有开口 210的第一层200和布置在半导体晶体100的表面110的所暴露的横向区域120的接触区域121中的接触面410。
[0031]图7以示意性剖面图示出在时间上跟随在图6的图示之后的处理状态中的半导体晶体100。在半导体晶体100的表面110、接触面410和第一层200上已布置了第二层500。第二层500覆盖第一层200的背向半导体晶体110的一侧、半导体晶体100的表面110的所暴露的横向区域120的容差区域122、接触面410以及优选地也覆盖第一层200中的开口210的壁。
[0032]第二层500具有透明的、导电的材料。第二层500例如可以具有透明的、导电的氧化物，诸如被掺杂的氧化锌、氧化铟锌或氧化铟锡。该透明的、导电的材料在如下电磁波长范围中是透明的，该电磁波长范围包括由光电子器件发射的电磁辐射的波长，所述光电子器件由半导体晶体100来制造。该透明的、导电的材料例如可以具有每厘米1000的吸收系数。
[0033]第二层500的材料在半导体晶体100的表面110的容差区域122中几乎不电连接到半导体晶体100上。优选地，第二层500和半导体晶体100之间的比接触电阻是非常高的。第二层500和半导体晶体100之间的比接触电阻比接触面410和半导体晶体100之间的比接触电阻高至少一个数量级。在接触面410和第二层500之间存在良好地导电的连接。
[0034]图8以示意图示出在时间上跟随在图7的图示之后的处理状态中的半导体晶体100。在第二层500上施加了第三层600。第三层600用作反射层并且优选地具有金属。第三层600例如可以具有金或银。布置在第一层200和第三层600之间的第二层500可以用作第三层600的增附剂。
[0035]第三层600通过第二层500与接触面410导电连接。第三层600可以用于将到由半导体晶体100制造的光电子器件中的接触面410的电接触向外引导。
[0036]图9以示意性剖面图示出在时间上跟随在图8的图示之后的处理状态中的半导体晶体100。在图9中所示出的处理状态中半导体晶体100是很大程度上完成的光电子器件10的部分。光电子器件10例如可以是发光二极管器件。于是，半导体晶体100是LED芯片。
[0037]在第三层600上施加了第四层700。第四层700可以用作到光电子器件10的载体或衬底的连接层。
[0038]光电子器件10可以通过第三层600和接触面410以及位于中间的第二层500来电接触。接触面410具有接触直径124，该接触直径通过光刻胶层300的开口 310的开口直径311来确定，所述开口直径能够可再现地以高精度来调整。因此，根据图1至9所描述的方法允许以高精度可再现地构造接触面410的接触直径124。由此得出光电子器件10的正向电压的良好的可再现性。因为第二层500在半导体晶体100的表面110的所暴露的横向区域120的容差区域122中实际上不电连接到半导体晶体100上，正向电压几乎不受容差区域122的大小影响。在将开口 210安置在第一层200中时所暴露的横向区域120的所暴露的直径123因此实际上完全不影响光电子器件10的正向电压。
[0039]在光电子器件10的运行中在半导体晶体100中产生例如可见光的电磁辐射。通过表面110离开半导体晶体100的电磁福射通过第一层200和第三层600被反射回半导体晶体100中，以便提高光电子器件10的光输出。
[0040]在接触面410的区域中从半导体晶体100出射的电磁辐射通过第一表面110至少部分地被吸收。因为在构造接触面410时能够几乎不考虑校准容差，所以接触面410的接触直径124可以比较小地来选择，使得在接触面410处吸收的电磁辐射的份额总体上是低的。
[0041]在表面110的所暴露的横向区域120的容差区域122中从半导体晶体100出射的电磁辐射仅以比在接触面410的区域中显著更小的程度被吸收。即使表面110的所暴露的横向区域120的容差区域122中从半导体晶体100出射的电磁辐射也基本上在第三层600处被反射回半导体晶体100中。由此，光电子器件10的可实现的光输出很大程度上与容差区域122的大小无关并且因此也与所暴露的横向区域120的所暴露的直径123无关。
[0042]根据优选的实施例更详细地图解并且描述了本发明。尽管如此，本发明不限于所公开的示例。更确切地说，可以由本领域技术人员从中导出其它的变型方案，而不离开本发明的保护范围。
[0043]本专利申请要求德国专利申请102013104953.2的优先权，该德国专利申请的公开内容特此通过引用被接纳。
【主权项】
1.用于制造光电子器件(10)的方法， 具有以下步骤: -提供具有表面(110)的半导体晶体(100); -将具有电介质的第一层(200)施加到所述表面(I 10)上； -在所述第一层(200 )上施加以及结构化光刻胶层(300 )，其中所述光刻胶层(300 )被结构化，使得所述光刻胶层具有开口(310); -部分地溶解掉所述第一层，以便暴露所述表面(110)的横向区域(120); -在所述表面(I1)的横向区域(120、121)中施加具有第一金属的接触面(400); -移除所述光刻胶层(300); -施加第二层(500)，所述第二层具有光学透明的、导电的材料； -施加具有第二金属的第三层(600)。2.根据权利要求1所述的方法， 其中所述光刻胶层(300)具有正性抗蚀剂。3.根据前述权利要求之一所述的方法， 其中部分地溶解掉所述第一层(200 )通过湿化学蚀刻来进行。4.根据权利要求3所述的方法， 其中所述光刻胶层(300)在溶解掉所述第一层(200)期间被部分地欠蚀刻。5.光电子器件(10)， 具有带有表面(110)的半导体晶体(100)，所述表面具有第一横向区域(121)、第二横向区域(122)和第三横向区域(111)， 其中在所述第一横向区域(121)中在所述表面(110)上布置有具有第一金属的接触面(400)， 其中在所述第三横向区域(111)中在所述表面(110)上布置有具有电介质的第一层(200)， 其中在所述接触面(400)、所述第一层(200)和所述表面(110)的第二横向区域(122)上布置有第二层(500)，所述第二层具有光学透明的、导电的材料， 其中在所述第二层(500 )上布置有具有第二金属的第三层(600 )。6.根据权利要求5所述的光电子器件(10)， 其中在所述第二层(500)和所述半导体晶体(100)之间的比接触电阻比在所述接触面(400)和所述半导体晶体(100)之间的比接触电阻大至少一个数量级。7.根据权利要求5和6之一所述的光电子器件(10)， 其中所述第二横向区域(122)至少逐段环形地包围所述第一横向区域(121)。8.根据权利要求5至7之一所述的光电子器件(10)， 其中所述第三横向区域(111)至少逐段环形地包围所述第二横向区域(122)。9.根据权利要求5至8之一所述的光电子器件(10)， 其中所述光学透明的、导电的材料是透明的、导电的氧化物。10.根据权利要求5至9之一所述的光电子器件(10)， 其中所述第一金属和/或所述第二金属是金或银。11.根据权利要求5至10之一所述的光电子器件(10)，其中所述电介质具有Si02。
【专利摘要】用于制造光电子器件的方法包括以下步骤：提供具有表面的半导体晶体；将具有电介质的第一层施加到表面上；在第一层上施加以及结构化光刻胶层，其中光刻胶层被结构化，使得光刻胶层具有开口；部分地溶解掉第一层，以便暴露表面的横向区域；在表面的横向区域中施加具有第一金属的接触面；移除光刻胶层；施加第二层，所述第二层具有光学透明的、导电的材料；以及施加具有第二金属的第三层。
【IPC分类】H01L33/36
【公开号】CN105229805
【申请号】CN201480027681
【发明人】M.布勒尔, C.克莱姆普, W.施密德
【申请人】奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2014年4月24日
【公告号】DE102013104953A1, US20160064610, WO2014183969A1