影像传感芯片的封装方法以及封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及晶圆级半导体芯片的封装方法。
【背景技术】
[0002]现今主流的半导体芯片封装技术是晶圆级芯片尺寸封装技术(Wafer Level ChipSize Packaging, WLCSP)，是对整片晶圆进行封装并测试后再切割得到单个成品芯片的技术。利用此种封装技术封装后的单个成品芯片尺寸与单个晶粒尺寸差不多，顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。晶圆级芯片尺寸封装技术是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。
[0003]请参考图1，公开一种晶圆级影像传感芯片的封装结构，晶圆I与保护基板2对位压合，支撑单元3位于晶圆I与保护基板2之间使两者之间形成间隙，避免保护基板2与晶圆I直接接触，晶圆I包括多颗网格状排布的影像传感芯片10，影像传感芯片10包括影像传感区11以及焊垫12，多个支撑单元3网格状排布于保护基板2上且与影像传感芯片10对应，当保护基板2与晶圆I对位压合后，支撑单元3包围影像传感区11，晶圆I具有第一表面以及与所述第一表面相背的第二表面，影像传感区11以及焊垫12位于晶圆的第一表面侧。
[0004]为了实现焊垫12与其他电路电连接，在晶圆I的第二表面侧设置有朝向第一表面延伸的开孔22，开孔22与焊垫12对应且开孔22的底部暴露出焊垫12，在开孔22的侧壁设置有绝缘层23，绝缘层23上以及开孔22的底部设置有再布线层24，再布线层24与焊垫12电连接，焊球25与再布线层24电连接，通过焊球25电连接其他电路实现焊垫12与其他电路之间形成电连接。
[0005]为了便于将封装完成的影像传感芯片切割下来，于晶圆I的第二表面设置有朝向第一表面延伸的切割槽21。
[0006]在向晶圆I的第二表面排布焊球25之前，需要涂布防焊油墨26，通常在切割槽21以及开孔22中也填充了防焊油墨26以达到保护、绝缘的效果。
[0007]然而，由于防焊油墨26填满开孔22，在后续的回流焊以及信赖性测试中，防焊油墨26的热胀冷缩形成作用于再布线层24的力，在这种力的拉扯下，再布线层24容易与焊垫12脱离，导致不良，成为本领域技术人员噬待解决的技术问题。
【发明内容】
[0008]本发明解决的问题是通过本发明提供的晶圆级影像传感芯片封装方法以及影像传感芯片封装结构，消除再布线层与焊垫脱离的情况，解决不良，提高影像传感芯片封装结构的信赖性。
[0009]为解决上述问题，本发明提供一种影像传感芯片的封装方法，包括:提供晶圆，所述晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相背的第二表面，所述晶圆具有多颗网格排布的影像传感芯片，影像传感芯片具有影像传感区以及焊垫，所述影像传感区以及焊垫位于所述晶圆的第一表面侧；于所述晶圆的第二表面形成朝向第一表面延伸的开孔，所述开孔暴露出所述焊垫；于所述晶圆的第二表面形成朝向第一表面延伸的V型切割槽；在所述晶圆的第二表面涂布感光油墨，使感光油墨充满所述V型切割槽，且所述感光油墨覆盖所述开孔并在所述开孔中形成空腔。
[0010]优选的，采用刻蚀工艺同时在晶圆的第二表面形成所述V型切割槽以及所述开孔。
[0011]优选的，利用切刀从所述晶圆的第二表面切割形成所述V型切割槽。
[0012]优选的，在所述晶圆第二表面形成V型切割槽以及开孔之前还包括:提供保护基板，所述保护基板上设置有网格排布的支撑单元，每一支撑单元对应一个影像传感芯片；将所述晶圆的第一表面与所述保护基板对位压合，所述支撑单元位于所述晶圆与所述保护基板之间；对所述晶圆的第二表面进行研磨减薄。
[0013]优选的，在形成V型切割槽之后且在涂布感光油墨之前，利用切刀沿所述V型切割槽切割，所述切刀至少切入部分所述支撑单元中。
[0014]优选的，所述切刀的切割宽度小于所述V型槽靠近所述晶圆第二表面的开口的宽度。
[0015]优选的，利用切刀从所述晶圆的第二表面切割形成所述V型切割槽且所述切刀至少切入部分所述支撑单元中。
[0016]优选的，在涂布感光油墨之前还包括:于所述开孔的侧壁以及所述晶圆的第二表面形成绝缘层；于所述绝缘层上以及所述开孔的底部形成再布线层，使所述再布线层与所述焊垫电连接；在所述晶圆的第二表面涂布感光油墨之后还包括:在所述感光油墨上形成多个通孔，所述通孔暴露出所述再布线层；在所述通孔中形成焊球，所述焊球与所述再布线层电连接。
[0017]优选的，所述感光油墨的粘度不小于12Kcps。
[0018]本发明还提供一种影像传感芯片封装结构，包括:基底，具有第一面以及与所述第一面相背的第二面；位于所述第一面的影像传感区以及焊垫；位于所述第二面并向所述第一面延伸的开孔，所述开孔暴露出所述焊垫；包覆所述基底侧面的感光油墨；所述感光油墨覆盖所述开孔并在所述开孔中形成空腔；所述基底侧面具有倾斜侧壁，所述倾斜侧壁的一端与所述第二面交接。
[0019]优选的，所述基底侧面还具有竖直侧壁，所述竖直侧壁的一端与所述倾斜侧壁交接，另一端与所述基底的第一面交接。
[0020]优选的，所述倾斜侧壁的另一端与所述基底的第一面交接。
[0021]优选的，所述倾斜侧壁到所述基底第二面的角度的范围是40°至85°。
[0022]优选的，所述感光油墨的粘度不小于12Kcps。
[0023]优选的，所述封装结构还包括:与所述基底第一面对位压合的保护基板；位于所述保护基板与所述基底之间的支撑单元，所述支撑单元包围所述影像传感区；所述感光油墨包覆至少部分所述支撑单元的侧面；位于所述开孔侧壁以及所述基底第二面的绝缘层；位于所述绝缘层上以及开孔底部的再布线层，所述再布线层与所述焊垫电连接；所述感光油墨覆盖所述再布线层，且在所述感光油墨上设置有通孔，所述通孔暴露出所述再布线层；通孔中设置有焊球，所述焊球与所述再布线层电连接。
[0024]本发明的有益效果是在开孔中形成空腔，有效避免了再布线层与焊垫脱离的情况，提升了影像传感芯片的封装良率，提高了影像传感芯片封装结构的信赖性。
【附图说明】
[0025]图1为现有技术中晶圆级影像传感芯片的封装结构示意图；
[0026]图2晶圆级影像传感芯片的结构不意图；
[0027]图3为晶圆级影像传感芯片封装结构的剖面示意图；
[0028]图4至图11为本发明晶圆级影像传感芯片封装方法的示意图；
[0029]图12为本发明一实施例单颗影像传感芯片封装结构示意图；
[0030]图13为本发明另一实施例单颗影像传感芯片封装结构示意图。
【具体实施方式】
[0031]以下将结合附图对本发明的【具体实施方式】进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
[0032]现有技术中防焊油墨填充开孔，使得防焊油墨与再布线层完全接触，导致在后续的回流焊以及信赖性测试中，防焊油墨的收缩膨胀形成的力拉扯再布线层，容易使再布线层与焊垫脱离。
[0033]为解决上述问题，本发明通过在开孔中形成空腔，使防焊油墨不与开孔底部的布线层接触，能够有效防止再布线层与焊垫脱离。
[0034]请参考图2，为晶圆级影像传感芯片的结构不意图，晶圆100具有多颗网格排布的影像传感芯片110，在影像传感芯片110之间预留有空隙，后续完成封装工艺以及测试之后，沿空隙分离影像传感芯片。
[0035]每一影像传感芯片110具有影像传感区111以及多个焊垫112，焊垫112位于影像传感区111的侧边且与影像传感区111位于晶元100的同一表面侧。
[0036]请参考图3，为本发明一实施例晶圆级影像传感芯片封装结构的剖面示意图。保护基板200的其中一面设置有网格排布的多个支撑单元210，当晶圆100与保护基板200对位压合后，支撑单元210位于晶圆100与保护基板200之间使两者之间形成间隙，且支撑单元210与影像传感芯片110——对应，支撑单元210包围影像传感区111。
[0037]晶圆100具有第一表面101以及与第一表面101相背的第二表面102，影像传感区111以及焊垫112位于第一表面101侧，在晶圆的第二表面102具有朝向第一表面101延伸的V型切割槽103以及开孔113，每一开孔113与每一焊垫112的位置对应，且开孔113的底部暴露出焊垫112。
[0038]利用再布线层115以及焊球116方便焊垫112与其他线路连接，具体的，开孔113的侧壁以及晶圆100的第二表面102具有绝缘层114，在绝缘层114上以及开孔113的底部形成再布线层115，再布线层115与焊垫112电连接，且在晶圆100的第二表面102上设置有焊球116，焊球116与再布线层115电连接，通过焊球116电连接其他电路实现焊垫112与其他电路之间形成电连接。
[0039]V型切割槽103内充满感光油墨117，且感光油墨117覆盖开孔113且在开孔113中形成空腔119，感光油墨117上具有通孔，通孔暴露出再布线层115，焊球116位于通孔内并与再布线层115电连接。
[0040]对应的，为了在V型切割槽103中充满感光油墨117且在开孔113中形成空腔119，具体的封装工艺如下。
[0041]提供晶圆100，晶圆100的结构不意图请参考图1 ;
[0042]提供保护基板200，在保护基板200的其中一面有网格排布的多个支撑单元210，于本实施例中，支撑单元210的材质为感光油墨，通过曝光显影的方式形成于保护基板200的其中一面。
[0043]请参考图4，将晶圆100与保护基板200对位压合，利用粘合胶将晶圆100与保护基板200粘合，支撑单元210位于晶圆100与保护基板200之间，三者包围形成多个网格排布的密封空间。每一密封空间对应一个影像传感芯片110，支撑单元210包围影像传感芯片110的影像传感区111。
[0044]请参考图5，对晶圆100的第二表面102进行研磨减薄。减薄前晶圆100的厚度为D，减薄后晶圆100的厚度为d。
[0045]请参考图6，利用刻蚀工艺在晶圆100的第二表面102同时刻蚀出朝向晶圆100第一表面101延伸的V型切割槽103以及开孔113。开孔113底部暴露出焊垫112。于本实施例中，V型切割槽103与开孔113的深度相同。当然，于此步骤中也可以仅仅刻蚀出开孔113而不刻蚀出V型切割槽103。
[0046]请参考图7(a)，从晶圆100的第二表面102朝向第一表面101的方向，利用切刀沿V型切割槽103切割，直至切透晶圆100的第一表面101，即切刀切