一种衰减片及DC-67GHz 20dB衰减片及制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种衰减片，尤其涉及一种衰减片及DC-67GHZ 20dB衰减片及制作方法。
【背景技术】
[0002]程控步进衰减器主要功能是对微波信号的幅度进行精确衰减，主要应用于控制进入系统的信号电平幅度，控制系统的输出信号功率、调整信号源与负载之间的匹配等。近年来，程控步进衰减器技术发展迅速，使用频率越来越高。但是，随着频率越高，衰减片上附加电感电容产生的效果越明显，衰减量偏离名义值越来越大。
[0003]频率越高，衰减片上的薄膜电阻各分支之间，以及金属导带与薄膜电阻之间形成的等效电容产生的效果越明显，衰减频响越差。现有技术一般是在导带与薄膜电阻之间增加补偿突台，这种技术在40GHz之前效果比较好。但是，随着频率继续升高到67GHz，衰减片上附加电感电容产生的效果越明显，衰减量偏离名义值越来越大。增加补偿突台已达不到良好效果。
[0004]现有衰减片使用频率一般最高到40GHz，到67GHz时衰减频响会显著变差。此外，现有衰减片采用分布参数的Π型衰减网络，衰减片厚度最低为0.254mm,高频补偿通过在导带与薄膜电阻之间增加补偿突台实现。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术的缺点，本发明提供一种衰减片及DC-67GHZ 20dB衰减片及制作方法。其中，该衰减片采用在基板的中心位置设光孔的方式来补偿衰减片的高频响应，用于提高衰减片在DC-67GHZ频带范围内衰减频响的目的。
[0006]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案:
[0007]一种衰减片，包括:
[0008]基板，所述基板的表面印制有光刻胶图形，所述光刻胶图形外层镀制有金属薄膜，所述基板的表面上还设有若干个电阻，所述电阻与光刻胶图形外层镀制的金属薄膜相连接，进而形成电阻衰减网络；
[0009]所述基板的中心位置设置有一个面积与高频衰减频响成正相关的光孔，所述光孔用于补偿所述衰减片的高频响应。
[0010]一种衰减片的制作方法，包括:
[0011]步骤(1):在基板的表面印制光刻胶图形，在光刻胶图形外层镀制金属薄膜；
[0012]步骤(2):在基板的表面上设置若干个电阻，其中，电阻与光刻胶图形外层镀制的金属薄膜相连接，形成电阻衰减网络；
[0013]步骤(3):在基板的中心位置设置一个光孔，所述光孔的面积与高频衰减频响成正相关，用于补偿所述衰减片的高频响应。
[0014]一种 DC-67GHZ 20dB 衰减片，包括:
[0015]基板，所述基板的表面印制有光刻胶图形，所述光刻胶图形外层镀制有金属薄膜，所述基板的表面上还设有若干个电阻，所述电阻与光刻胶图形外层镀制的金属薄膜相连接，进而形成电阻衰减网络；
[0016]所述基板的中心位置设置有一个面积与高频衰减频响成正相关的光孔，所述光孔的面积为0.48mm2，用于实现所述衰减片在DC_67GHz频率范围内的20dB高频衰减量。
[0017]所述电阻衰减网络为Π型电阻衰减网络或T型电阻衰减网络。
[0018]所述基板为陶瓷基板。
[0019]所述陶瓷基板的厚度为0.127mm。
[0020]一种DC-67GHz 20dB衰减片的制作方法，包括:
[0021]步骤(1):在基板的表面印制光刻胶图形，在光刻胶图形外层镀制金属薄膜；
[0022]步骤⑵:在基板的表面上设置若干个电阻，其中，电阻与光刻胶图形外层镀制的金属薄膜相连接，形成电阻衰减网络；
[0023]步骤(3):在基板的中心位置设置一个面积为0.48mm2的光孔，用于实现衰减片在DC-67GHz频率范围内的20dB高频衰减量。
[0024]所述步骤(2)中的电阻衰减网络为Π型电阻衰减网络或T型电阻衰减网络。
[0025]所述步骤(1)中的基板为陶瓷基板。
[0026]所述陶瓷基板的厚度为0.127mm。
[0027]本发明的有益效果为:
[0028](1)本发明采用在基板的中心位置设置一个光孔，用于补偿衰减片的高频响应，使衰减片在DC-67GHZ频带范围内达到较好的衰减频响；
[0029](2)本发明采用Π型衰减网络，该衰减网络接地容易，电阻可以集成化，能减小频率升高时分布参数对性能的影响，保证了衰减电路在整个频段内都具有良好衰减特性；
【附图说明】
[0030]图1是本发明的衰减片的制作方法流程示意图。
[0031]图2是本发明的衰减片的光孔面积与衰减精度的关系图。
[0032]图3是厚度为0.254mm衰减片的衰减精度。
【具体实施方式】
[0033]下面结合附图与实施例对本发明做进一步说明:
[0034]本发明的衰减片，包括:
[0035]基板，所述基板的表面印制有光刻胶图形，所述光刻胶图形外层镀制有金属薄膜，所述基板的表面上还设有若干个电阻，所述电阻与光刻胶图形外层镀制的金属薄膜相连接，进而形成电阻衰减网络；
[0036]基板的中心位置设置有一个面积与高频衰减频响成正相关的光孔，所述光孔用于补偿所述衰减片的高频响应。
[0037]如图1所示，该衰减片的制作方法，包括:
[0038]步骤⑴:在基板的表面印制光刻胶图形，在光刻胶图形外层镀制金属薄膜；
[0039]步骤⑵:在基板的表面上设置若干个电阻，其中，电阻与光刻胶图形外层镀制的金属薄膜相连接，形成电阻衰减网络；
[0040]步骤(3):在基板的中心位置设置一个光孔，所述光孔的面积与高频衰减频响成正相关，用于补偿所述衰减片的高频响应。
[0041 ] 本发明的DC-67GHz 20dB衰减片，包括:
[0042]基板，所述基板的表面印制有光刻胶图形，所述光刻胶图形外层镀制有金属薄膜，所述基板的表面上还设有若干个电阻，所述电阻与光刻胶图形外层镀制的金属薄膜相连接，进而形成电阻衰减网络；
[0043]所述基板的中心位置设置有一个面积与高频衰减频响成正相关的光孔，所述光孔的面积为0.48mm2，用于实现所述衰减片在DC_67GHz频率范围内的20dB高频衰减量。
[0044]其中，衰减片分为有集总参数和分布参数两大类。分布参数衰减片具有良好的频响特性。因此，本实施例中，电阻衰减网络为分布参数衰减网络。
[0045]Π型衰减网络接地容易，电阻可以集成化，能减小频率升高时分布参数对性能的影响。为保证衰减电路在整个频段内都具有良好衰减特性，本发明采用分布参数的Π型衰减网络。
[0046]另外，电阻衰减网络也可以选用T型电阻衰减网络。
[0047]进一步地，基板为陶瓷基板，选用该基板可以提高信号的抗干扰性。
[0048]本实施例中，陶瓷基板的厚度为0.127mm。
[0049]陶瓷基板的厚度也可以采用