显示装置的制造方法

文档序号:9507431阅读:133来源:国知局
显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示装置。
【背景技术】
[0002]近年来,具备薄膜晶体管的显示装置作为半导体装置被实用化。作为显示装置的一例,可以举出液晶显示装置、有机电致发光显示装置等。
[0003]这样的显示装置具备形成有多个薄膜晶体管、信号线、栅线、源漏电极等的布线部、钝化膜等的阵列基板。薄膜晶体管以及各种布线部通过光刻、干法刻蚀等被构图为规定的形状。
[0004]在显示装置的制造工序中,在大型基板上形成显示装置用的阵列基板的情况下,加工的面内均匀性降低。例如,在进行刻蚀的腔室(chamber)内,由于排气的影响等,在大型基板的中央部和周边部,容易产生自由基种类、离子种类的密度分布(容易产生比率的不同)。因此,在大型基板的中央部和周边部,布线、电极等的加工形状容易不同。
[0005]此外,在刻蚀工序中,利用大型基板,从规格方面来看,难以将自由基、离子吸引到基板侧,此外,被刻蚀部向侧壁的再堆积较少,侧蚀容易进展。即,刻蚀面的锥角容易变小。或者,再堆积容易不均,进而,侧壁容易粗糙。由于这样的理由,在刻蚀中,难以得到符合设计的加工形状。

【发明内容】

[0006]本发明的实施方式的课题在于,提供一种能够实现加工形状的均匀化、覆盖性的提尚、量广性的提尚的显不装置。
【附图说明】
[0007]图1是概略表示第一实施方式的显示装置的一结构例的图。
[0008]图2是概略表示适用于图1所示的显示装置的阵列基板的一结构例的平面图。
[0009]图3是沿图2的线A — A的阵列基板的剖面图。
[0010]图4是表示上述阵列基板的制造工序的剖面图。
[0011]图5是表示上述阵列基板的制造工序的剖面图。
[0012]图6是表示上述阵列基板的制造工序的剖面图。
[0013]图7是概略表示锥部的锥角与侧壁保护膜的膜厚之间的关系的图。
[0014]图8是第二实施方式的显示装置的阵列基板的剖面图。
[0015]图9是第三实施方式的显示装置的阵列基板的剖面图。
【具体实施方式】
[0016]下面参照【附图说明】实施方式。根据一个实施方式,显示装置具备薄膜晶体管,该薄膜晶体管具有栅电极、在上述栅电极上设置的绝缘层、设置在上述绝缘层上且至少一部分重叠于上述栅电极的半导体层、以及与上述半导体层的至少一部分接触而设置的源电极及漏电极。源电极及漏电极分别具有层叠结构,该层叠结构包含位于上述半导体层侧的下层、以A1为主成分的中间层、以及上层。源电极及漏电极的侧壁具有上述上层侧的第1锥部、上述下层侧的第2锥部、以及与上述第2锥部接触的侧壁保护膜,上述第1锥部的锥角比上述第2锥部的锥角小。
[0017]另外,所公开的只不过是一例,本领域技术人员在发明主旨的基础上适宜变更的容易想到的实施方式当然也包含在本发明的范围中。此外,在附图中,有为了使说明更明确而比照实际的形态示意地表示各部的宽度、厚度、形状等的情况,但只是一例,并不限定本发明的解释。此外,在本说明书和各图中,有对关于已示出的图而前述的要素同样的要素赋予同一符号并适当省略详细说明的情况。
[0018](第一实施方式)
[0019]图1是概略表示第一实施方式的显示装置的一结构例的图。这里,作为具有阵列基板的显示装置,以液晶显示装置为例进行说明。液晶显示装置1例如能够组装到智能手机、平板终端、便携电话、个人笔记本型PC、便携型游戏机、电子词典或电视机装置等各种电子设备中来使用。
[0020]如图1所示,液晶显示装置1具备玻璃板等具有透光性的绝缘基板15、在绝缘基板15上设置的对图像进行显示的显示部(有效区(active area)) ACT、以及对显示部ACT进行驱动的驱动电路⑶、SD。显示部ACT具备呈矩阵状配置的多个显示像素PX。
[0021 ] 在显示部ACT,形成有栅布线G (G1?Gn)、电容线C (C1?Cn)、源布线S (S1?Sm)、电源布线VCS等。各栅布线G被引出到显示部ACT的外侧,与栅驱动电路GD连接。各源布线S被引出到显示部ACT的外侧,与源驱动电路SD连接。电容线C与被施加辅助电容电压的电源布线VCS电连接。
[0022]驱动电路⑶、SD在显示部ACT的外侧一体形成在绝缘基板15上,这些驱动电路⑶、SD连接有控制器11。
[0023]各显示像素PX具备液晶电容CLC、薄膜晶体管(TFT) TR、与液晶电容CLC并联的存储电容(storage capacitor)CS等。液晶电容CLC具备与薄膜晶体管TR连接的像素电极PE、与通用(common)电位的供电部VC0M电连接的共通电极CE、以及介于像素电极PE与共通电极CE之间的液晶层。
[0024]薄膜晶体管TR与栅布线G及源布线S电连接。栅布线G被从栅驱动电路⑶供给用于对薄膜晶体管TR进行导通截止(0N/0FF)控制的控制信号。源布线S被从源驱动电路SD供给影像信号。薄膜晶体管TR在基于被供给到栅布线G的控制信号而导通时,将与被供给到源布线S的影像信号对应的像素电位写入像素电极PE。利用通用电位的共通电极CE与像素电位的像素电极PE之间的电位差,控制对液晶层施加的电压。
[0025]存储电容CS用于将施加于液晶层的电压保持一定期间,由隔着绝缘层而对置的一对电极构成。例如,存储电容CS由与像素电极相同电位的第1电极、与电容线C的一部分或电容线C电连接的第2电极、以及介于第1电极与第2电极之间的绝缘层构成。
[0026]栅驱动电路GD以及源驱动电路SD分别具备作为开关元件发挥功能的多个薄膜晶体管(TFT)TR。
[0027]图2是概略表示能够适用于图1所示的液晶显示装置1的阵列基板的一结构例的平面图,图3是沿图2的线A — A的阵列基板的剖面图。
[0028]阵列基板SUB1利用玻璃基板或树脂基板等具有透光性的绝缘基板15形成。阵列基板SUB1在绝缘基板15之上具备构成各显示像素PX的薄膜晶体管TR、存储电容CS、栅布线G、源布线S、像素电极、以及构成栅驱动电路GD和源驱动电路SD的多个薄膜晶体管TR。这里,着眼于作为半导体装置发挥功能的薄膜晶体管TR详细说明。
[0029]在图2及图3所示的结构例中,薄膜晶体管TR例如作为底栅沟蚀(bottom gatechannel etch)型的晶体管而构成。即,在绝缘基板15的内面10A上形成有栅电极GE。构成薄膜晶体管TR的栅电极GE例如由铜(Cu)、铝(A1)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)、铬(Cr)等金属材料或含有这些金属材料的合金等形成。栅电极GE与例如与栅电极GE设于同一层的栅布线G或者驱动电路的控制布线电连接。栅电极GE例如被构图为矩形状。
[0030]将栅电极GE及绝缘基板15的内面10A覆盖而形成有栅绝缘层12。栅绝缘层12含有例如以氧化硅(S1x)为主成分的氧化硅层。在本实施方式中,栅绝缘层12整体由氧化硅层形成。另外,栅绝缘层12也可以由以氧化硅(S1x)为主成分的氧化硅层与其它绝缘层例如氮化硅(SiNx)的层叠膜构成。在由层叠膜形成的情况下,栅绝缘层12优选形成为,氧化硅层与半导体层接触。另外,在本实施方式中,所谓层,作为包括膜或薄膜的概念来使用。
[0031]在栅绝缘层12上,作为构成薄膜晶体管TR的半导体层,
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