全串联的高功率密度led芯片封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体照明器件技术领域，具体涉及全串联的高功率密度LED芯片封装结构。
【背景技术】
[0002]随着半导体照明技术的快速发展，LED封装技术得到了长足的进步，大功率LED封装器件也逐渐推广应用于各种普通照明和特殊照明应用领域。众多工业应用领域对高功率密度光输出的需求，推动了大功率或者高功率密度LED封装技术的不断研究和开发。
[0003]CN 201410291560.7和CN 201410176671.3分别提出了正装和倒装结构芯片的集成封装结构，能够实现高功率密度的LED器件。但是这两种结构中，封装的LED芯片的正、负极都进行了大量并联，单个模组的电流取决于并联的芯片数量，形成了低电压、高电流的封装模组。随着单颗芯片功率的不断增大，芯片电流已达到了十几安培甚至更高，因此导致模组电流非常大，对接电线路的过流量提出了很高的要求。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是提供一种可靠性好的全串联的高功率密度LED芯片封装结构，在实现十千瓦级大功率LED器件封装的同时，避免超大电流对线路安全性造成隐患。
[0005]本发明提供的全串联的高功率密度LED芯片封装结构，包含NX Μ个单LED芯片封装器件，N多1，Μ多1，排列成N行Μ列结构，外部用绝缘框箍紧；每个单芯片封装器件的正极导电柱与相邻封装基座的负极金属管电连接，形成全串联封装结构。
[0006]本发明中，所述单芯片封装器件的结构类似于方形同轴电缆，中间为方形导电柱，方形导电柱外层是内绝缘导热层；内绝缘导热层外面是方形金属管；相邻器件的方形金属管之间采用外绝缘导热层进行电气绝缘。
[0007]本发明中，所述单芯片封装器件中间为方形导电板，方形导电板外层是内绝缘导热层；绝缘导热层外面是方形金属环；相邻器件的方形金属环之间采用外绝缘导热层进行电气绝缘。
[0008]本发明中，LED芯片底部的P极与所述器件的方形导电柱或导电板连接，采用共晶焊的方式；LED芯片顶部N极的焊盘与金属管或金属环电连接，可以采用金线焊接或通过金属箔片共晶焊接。
[0009]本发明中，所述的NXM个单芯片封装器件用绝缘框箍紧后，底部抛光，用导热绝缘胶与导电导热绝缘板粘接，形成可通过超大电流的封装基板。
[0010]本发明的封装结构，将所有高功率密度LED芯片全部串联，在实现十千瓦级大功率LED器件封装的同时，可以减小电源导线的线径，避免超大电流对线路安全性造成隐患。
【附图说明】
[0011]图1为本发明的全串联的高功率密度LED芯片封装结构实施例的示意图。
[0012]图2为本发明的全串联的高功率密度LED芯片封装结构的侧视图。
[0013]图3为本发明的全串联的高功率密度LED芯片封装结构的俯视图。
[0014]图中标号:1~3—单芯片封装器件；4一绝缘框；11、21、31—方形铜柱；12、22、32—内绝缘导热层；13、23、33—金属管；14、24、34—LED垂直结构芯片；15、25、35—共晶焊；16、26、36—金线；17、27、37—负极连接端；18、28、38—正极连接端；39—正极输入端；51、52—外绝缘层。
【具体实施方式】
[0015]以下结合附图和实施例，对本发明做进一步说明。所描述的实施例仅为本发明的部分实施例。基于本发明中的实施例而未作出创造性成果的其他所有实施例，都属于本发明的保护范围。
[0016]本发明的全串联的高功率密度LED芯片封装结构，包含1X3个单芯片封装器件1~3，外部有一个绝缘框4箍紧，如图1所示。单芯片封装器件1~3的结构如图2和图3所示，中间分别是方形铜柱11、21、31，外围分别依次包覆绝缘导热层12、22、32、金属管13、23,33ο相邻的器件1和2、2和3之间采用外绝缘层51、52进行电气绝缘。铜柱11、21、31分别作为单芯片封装器件1~3的正极，金属管13、23、33分别作为负极。器件1~3上各排布一个面积为3X7 mm2的垂直结构LED芯片14、24、34。芯片底部P极分别与对应的铜柱11、21、31形成共晶焊15、25、35 ;顶部N极分别与对应的金属管13、23、33通过金线16、26、36连接。为了便于封装基座的串联，金属管13、23、33的一侧有突出的连接端17、27、37，另一侧则剖开露出中间铜柱的连接端18、28、38。连接端18与27、28与37之间采用共晶焊接，连接端38共晶焊一个突出的正极接口 39，则三个封装器件实现串联，端口 17是整个全串联封装结构的负极输入端，端口 39是整个封装结构的正极输入端。该全串联高功率密度LED芯片封装结构的电压为15 V，电流75 A，功率达到1125 W，可以用于1102光催化分解有机废气。
【主权项】
1.全串联的高功率密度LED芯片封装结构，其特征在于:所述封装结构包含NXM个单芯片封装器件，N多1，Μ多1，排列成N行Μ列结构，外部用绝缘框箍紧；每个单芯片封装器件的正极导电柱与相邻封装基座的负极金属管电连接，形成全串联封装结构。2.根据权利要求1所述的全串联的高功率密度LED芯片封装结构，其特征在于:所述单芯片封装器件的结构类似于方形同轴电缆，中间为方形导电柱，方形导电柱外层是内绝缘导热层；绝缘导热层外面是方形金属管；相邻器件的金属管之间采用外绝缘导热层进行电气绝缘。3.根据权利要求1所述的全串联的高功率密度LED芯片封装结构，其特征在于:所述单芯片封装器件中间为方形导电板，方形导电板外层是内绝缘导热层；内绝缘导热层外面是方形金属环；相邻器件的金属环之间采用外绝缘导热层进行电气绝缘。4.根据权利要求2或3所述的全串联的高功率密度LED芯片封装结构，其特征在于:LED芯片底部的P极与所述器件的方形导电柱或导电板连接，采用共晶焊的方式；LED芯片顶部N极的焊盘与金属管或金属环电连接，采用金线焊接或通过金属箔片共晶焊接。5.根据权利要求4所述的全串联的高功率密度LED芯片封装结构，其特征在于:所述的NXM个单芯片封装器件用绝缘箍紧后，底部抛光，用导热绝缘胶与导热绝缘板粘接，形成可通过超大电流的封装基板。
【专利摘要】本发明属于半导体照明器件技术领域，具体为全串联的高功率密度LED芯片封装结构。所述封装结构包含N×M个单芯片封装器件，排列成N行M列结构，外部用绝缘框箍紧；每个单芯片封装器件的正极导电柱与相邻封装基座的负极金属管电连接，形成全串联封装结构。所述单芯片封装器件的结构，中间为方形导电柱，方形导电柱外层是内绝缘导热层；内绝缘导热层外面是金属管。LED芯片底部的P极与所述器件的方形导电柱或导电板连接；LED芯片顶部N极的焊盘与金属管或金属环电连接。本发明的封装结构，将所有高功率密度LED芯片全部串联，在实现十千瓦级大功率LED器件封装的同时，可以减小电源导线的线径，避免超大电流对线路安全性造成隐患。
【IPC分类】H01L25/075, H01L33/48, H01L33/62
【公开号】CN105261689
【申请号】CN201510693969
【发明人】张善端, 韩秋漪, 荆忠
【申请人】复旦大学, 上海迈芯光电科技有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年10月25日