[0038]在输入输出站2中，与盒载置台10相邻地设有晶圆输送部20。在晶圆输送部20中设有能够在沿X方向延伸的输送路径21上移动的晶圆输送装置22。晶圆输送装置22也能够在铅垂方向和绕铅垂轴线的方向(Θ方向)上移动，能够在各盒载置板11上的盒C与后述的处理站3的第3处理区G3的传送装置40、41之间输送晶圆W。S卩，输入输出站2构成为能够相对于处理站3输入输出晶圆W。
[0039]此外，在晶圆输送装置22中设有用于对晶圆W的位置进行调节的位置调节机构(未图示)。利用该位置调节机构，能够一边对晶圆W的槽口部的位置进行检测一边对该晶圆W的朝向进行调节，并进一步对晶圆W进行定心。
[0040]在处理站3中设有具有各种装置的多个、例如3个处理区Gl、G2、G3。例如，在处理站3的X方向的正方向侧设有第1处理区G1，在处理站3的X方向的负方向侧设有第2处理区G2。另外，在处理站3的靠输入输出站2的那一侧(Y方向的负方向侧)设有第3处理区G3。
[0041]在第1处理区G1和第2处理区G2中设有用于对晶圆W的背面WB进行粗磨削的粗磨削装置30、用于对粗磨削后的晶圆W的背面WB进行精磨削的精磨削装置31、用于将因粗磨削和精磨削而形成于晶圆W的背面WB的损伤层去除的损伤层去除装置32、以及作为用于对损伤层被去除后的晶圆W的背面WB进行清洗的另一清洗装置的晶圆清洗装置33。
[0042]在第1处理区G1中，从输入输出站2侧起沿Y方向按照粗磨削装置30和精磨削装置31的顺序排列而配置有例如3个粗磨削装置30和1个精磨削装置31。在第2处理区G2中，从输入输出站2侧起沿Y方向按照晶圆清洗装置33、损伤层去除装置32、精磨削装置31的顺序排列而配置有例如1个晶圆清洗装置33、1个损伤层去除装置32、两个精磨削装置31。
[0043]此外，粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、晶圆清洗装置33的数量能够任意地设定。在本实施方式中，将晶圆处理系统1中的晶圆W的处理能力(生产节拍)设定为例如30张/小时。于是，在粗磨削装置30和精磨削装置31的处理能力分别为例如10张/小时的情况下，这些粗磨削装置30和精磨削装置31分别设有3个。另外，在损伤层去除装置32和晶圆清洗装置33的处理能力分别为例如10张/小时的情况下，这些损伤层去除装置32和晶圆清洗装置33分别设有1个。
[0044]另外，粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、晶圆清洗装置33的配置也能够任意地设定。在本实施方式中，将这些粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、晶圆清洗装置33以沿水平方向排列的方式配置，但也可以将这些粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、晶圆清洗装置33以在铅垂方向上层叠的方式配置。
[0045]如图2所示，在第3处理区G3中从下方分两层依次设有晶圆W的传送装置40、41。
[0046]如图1所示，在由第1处理区G1?第3处理区G3围成的区域中形成有作为基板输送区域的晶圆输送区域50。如图2和图3所示，在晶圆输送区域50的顶面设有风机过滤单元51(FFU:Fan Filter Unit)。另外，在晶圆输送区域50的底面形成有用于将该晶圆输送区域50的内部的气氛气体排出的排气口 52。在排气口 52上连接有排气管54，该排气管54与例如真空栗等负压产生装置53相连通。采用该结构，能够在晶圆输送区域50的内部形成自风机过滤单元51朝向排气口 52去的下降气流(down flow)。
[0047]在晶圆输送区域50中配置有作为基板输送装置的晶圆输送装置60。晶圆输送装置60在晶圆输送区域50内移动，能够将晶圆W输送到周围的第1处理区G1、第2处理区G2以及第3处理区G3内的规定的装置中。
[0048]晶圆输送装置60具有两个输送臂61、62。如后所述，第1输送臂61用于输送由晶圆清洗装置33清洗之前的晶圆W。如后所述，第2输送臂62用于输送由晶圆清洗装置33清洗之后的晶圆W。这些输送臂61、62能够对晶圆W的背面WB的外周部进行保持并将该晶圆W保持为水平。此外，由于第1输送臂61用于输送清洗前的不洁净的晶圆W，因此，第1输送臂61可以对晶圆W的背面任一部位进行保持，例如，也可以对背面W ^勺中心部进行保持。
[0049]此外，在晶圆输送装置60中设有用于对晶圆W的位置进行调节的位置调节机构(未图示)。利用该位置调节机构，能够一边对晶圆W的槽口部的位置进行检测一边对该晶圆W的朝向进行调节，并进一步对晶圆W进行定心。
[0050]在输送臂61、62的基端部设有臂驱动部63。能够利用该臂驱动部63使各输送臂61,62沿水平方向独立地移动。臂驱动部63支承于基台64。在基台64设有移动机构(未图示)，输送臂61、62构成为能够通过该移动机构进行升降且绕铅垂轴线旋转。
[0051]接下来，说明配置于图1所示的所述处理站3的各装置30?33的结构。
[0052]粗磨削装置30具有在内部能够容纳晶圆W的壳体30a。在壳体30a的靠晶圆输送区域50侧的侧面形成有晶圆W的输入输出口 30b，在输入输出口 30b上设有开闭器30c。
[0053]在粗磨削装置30的壳体30a内，在使由例如卡盘保持的晶圆W的背面WB抵接于砂轮的状态下分别使卡盘和砂轮旋转，由此对背面WB进行磨削。另外，此时，向晶圆W的背面WB供给磨削液、例如水。此外，粗磨削装置30的壳体30a内的结构并不限定于本实施方式，而能够采用各种结构。
[0054]精磨削装置31具有在内部能够容纳晶圆W的壳体31a。在壳体31a的靠晶圆输送区域50侧的侧面形成有晶圆W的输入输出口 31b，在输入输出口 31b上设有开闭器31c。
[0055]精磨削装置31的结构与粗磨削装置30的结构大致相同，但精磨削装置31中的砂轮的粒度小于粗磨削装置30的砂轮的粒度。并且，在精磨削装置31的壳体31a内，一边向由例如卡盘保持的晶圆W的背面WB供给磨削液，一边在使背面^抵接于砂轮的状态下分别使卡盘和砂轮旋转，由此对背面WB进行磨削。
[0056]损伤层去除装置32具有在内部能够容纳晶圆W的壳体32a。在壳体32a的靠晶圆输送区域50侧的侧面形成有晶圆W的输入输出口 32b，在输入输出口 32b上设有开闭器32c。
[0057]在损伤层去除装置32的壳体32a内，使用例如将氟化氢(HF)和亚硝酸(ΗΝ02)混合而成的处理液进行湿蚀刻。于是，在损伤层去除装置32中，能够将在精磨削装置31中形成于晶圆W的背面^的损伤层去除。此外，若损伤层去除装置32的壳体32a内的结构为能够进行湿蚀刻的结构，则能够采用各种结构。在本实施方式中，采用通常的湿蚀刻的结构，省略其详细的说明。
[0058]晶圆清洗装置33具有在内部能够容纳晶圆W的壳体33a。在壳体33a的靠晶圆输送区域50侧的侧面形成有晶圆W的输入输出口 33b，在输入输出口 33b上设有开闭器33c。
[0059]在晶圆清洗装置33的壳体33a内，一边使由例如旋转卡盘保持的晶圆W旋转，一边向该晶圆W的背面WJ:供给纯水。于是，供给过来的纯水在晶圆W的背面WJ:扩散而清洗背面WB。此外，该晶圆清洗装置33的壳体33a内的结构能够采用各种结构。在本实施方式中，能够使用例如在光刻工序的涂敷显影处理装置中使用的高洁净度的清洗装置、例如日本特开2008 - 034437号公报所记载的清洗装置。
[0060]如图1所示，在以上的晶圆处理系统1中设有控制装置70。控制装置70例如是计算机，其具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储有程序，该程序用于对晶圆处理系统1中的晶圆W的处理进行控制。并且，在程序存储部中还存储有用于对所述各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作进行控制以实现在晶圆处理系统1中的后述的晶圆处理的程序。另外，所述程序存储于例如计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(M0)、存储卡等计算机可读取的存储介质Η中，并且所述程序也可以从该存储介质Η安装到控制装置70中。
[0061]接下来，基于图5来说明在以上那样构成的晶圆处理系统1中对晶圆W进行薄化处理时在该晶圆处理系统1内产生的气流。此外，图5中的箭头表示气流的方向。
[0062]在晶圆处理系统1中，晶圆清洗装置33内的压力成为最尚的压力。因而，晶圆清洗装置33内的压力相对于晶圆输送区域50内的压力成为正压，当打开晶圆清洗装置33的开闭器33c时，产生自晶圆清洗装置33朝向晶圆输送区域50去的气流。
[0063]另外，晶圆输送区域50内的压力相对于粗磨削装置30内的压力、精磨削装置31内的压力、以及损伤层去除装置32内的压力成为正压。因而，当分别打开各开闭器30c、31c、32c时，产生自晶圆输送区域50朝向粗磨削装置30、精磨削装置31、以及损伤层去除装置32去的气流。
[0064]首先，将容纳了多张晶圆W的盒C载置于输入输出站2的规定的盒载置板11。之后，利用晶圆输送装置22将盒C内的晶圆W取出，并将晶圆W输送到处理站3的第3处理区G3的传送装置40中。
[0065]接着，利用晶圆输送装置60的第1输送臂61将晶圆W输送到粗磨削装置30中。此时，能够选择将晶圆W输送到3个粗磨削装置30中的、任意的粗磨削装置30中。在粗磨肖IJ装置30中，一边向由卡盘保持的晶圆W的背面WB供给磨削液，一边在使背面W JS接于砂轮的状态下分别使卡盘和砂轮旋转，由此对背面WB进行磨削。能够根据薄化前的晶圆W的厚度和薄化后所要求的晶圆W的厚度来设定该粗磨削装置30的磨削量。
[0066]接下来