、支承基板清洗装置；202a、壳体；300、检查装置；G1、第1处理区；G2、第2处理区；G3、第3处理区；P、插塞；S、支承基板；SA、表面；SB、表面;W、晶圆；WA、表面;WB、表面。
【主权项】
1.一种基板处理系统，其用于使基板薄化，在该基板的表面形成有器件，并进一步相对于该表面接合有支承基板的表面，其中， 该基板处理系统包括: 处理站，其用于对基板进行规定的处理；以及 输入输出站，其能够保有多张基板，且用于相对于所述处理站输入输出基板， 所述处理站具有: 磨削装置，其用于对基板的背面进行磨削； 损伤层去除装置，其用于将由于所述磨削装置进行磨削而形成于基板的背面的损伤层去除; 清洗装置，其用于在利用所述损伤层去除装置将所述损伤层去除之后对支承基板的背面进行清洗；以及 基板输送区域，其用于相对于所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置输送基板， 所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置分别能够在铅垂方向或水平方向上配置有多个， 并且，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置分别具有用于在内部容纳基板的壳体，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置用于分别独立地在所述壳体内对基板进行规定的处理。2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中， 在所述基板输送区域设有用于保持并输送基板的基板输送装置， 所述基板输送装置具有用于输送支承基板的背面被所述清洗装置清洗之前的基板的第1输送臂和用于输送支承基板的背面被所述清洗装置清洗之后的基板的第2输送臂。3.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中， 所述磨削装置内的压力和所述损伤层去除装置内的压力分别相对于所述基板输送区域内的压力成为负压， 所述清洗装置内的压力相对于所述基板输送区域内的压力成为正压。4.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中， 在所述损伤层去除装置中，通过进行湿蚀刻、干蚀刻或研磨来去除所述损伤层。5.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中， 所述清洗装置用于向支承基板的背面供给纯水而对支承基板的背面进行清洗。6.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中， 该基板处理系统还包括另一清洗装置，该另一清洗装置用于在利用所述损伤层去除装置将所述损伤层去除之后且是在利用所述清洗装置对支承基板的背面进行清洗之前对基板的背面进行清洗。7.根据权利要求6所述的基板处理系统，其中， 所述另一清洗装置内的压力相对于所述基板输送区域内的压力成为正压。8.根据权利要求6所述的基板处理系统，其中， 所述另一清洗装置用于向基板的背面供给纯水而对基板的背面进行清洗。9.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中， 该基板处理系统还包括翻转装置，该翻转装置用于在利用所述损伤层去除装置将所述损伤层去除之后且是在利用所述清洗装置对支承基板的背面进行清洗之前使基板的表面和背面翻转。10.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中， 在基板上设有自表面沿厚度方向延伸的插塞， 该基板处理系统还包括插塞暴露装置，该插塞暴露装置用于在利用所述损伤层去除装置将所述损伤层去除之后且是在利用所述清洗装置对支承基板的背面进行清洗之前使所述插塞暴露。11.根据权利要求10所述的基板处理系统，其中， 在所述插塞暴露装置中，通过进行湿蚀刻来使所述插塞暴露。12.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中， 该基板处理系统还包括检查装置，该检查装置用于检查被所述磨削装置磨削后的基板、所述损伤层被所述损伤层去除装置去除后的基板、或支承基板的背面被所述清洗装置清洗后的基板。13.根据权利要求12所述的基板处理系统，其中， 该基板处理系统还包括控制装置，该控制装置根据所述检查装置中的检查结果来对所述磨削装置中的处理条件或所述损伤层去除装置中的处理条件进行修正。14.一种基板处理方法，其用于使基板薄化，在该基板的表面形成有器件，并进一步相对于该表面接合有支承基板的表面，其中， 该基板处理方法包括以下工序: 磨削工序，在该磨削工序中，将基板经由基板输送区域输送到磨削装置中，在该磨削装置的壳体内对基板的背面进行磨削； 之后的损伤层去除工序，在该损伤层去除工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到损伤层去除装置中，在该损伤层去除装置的壳体内，将在所述磨削工序中形成于基板的背面的损伤层去除；以及 之后的清洗工序，在该清洗工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到清洗装置中，在该清洗装置的壳体内对支承基板的背面进行清洗， 针对多张基板连续地进行所述磨削工序、所述损伤层去除工序以及所述清洗工序， 并且，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置分别构成为能够在铅垂方向或水平方向上配置有多个，所述磨削工序、所述损伤层去除工序以及所述清洗工序分别选择任意的所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置来进行。15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中， 在所述基板输送区域中设有基板输送装置，该基板输送装置具有用于保持并输送基板的两个输送臂， 利用所述基板输送装置的第1输送臂来输送所述清洗工序结束之前的基板， 利用所述基板输送装置的第2输送臂来输送所述清洗工序结束之后的基板。16.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中， 所述磨削装置内的压力和所述损伤层去除装置内的压力分别相对于所述基板输送区域内的压力成为负压， 所述清洗装置内的压力相对于所述基板输送区域内的压力成为正压。17.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中， 在所述损伤层去除工序中，通过进行湿蚀刻、干蚀刻或研磨来去除所述损伤层。18.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中， 在所述清洗工序中，对支承基板的背面供给纯水而对支承基板的背面进行清洗。19.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中， 该基板处理方法还包括另一清洗工序，在所述损伤层去除工序后且是在所述清洗工序前，在该另一清洗工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到另一清洗装置中，在该另一清洗装置的壳体内，对基板的背面进行清洗。20.根据权利要求19所述的基板处理方法，其中， 所述另一清洗装置内的压力相对于所述基板输送区域内的压力成为正压。21.根据权利要求19所述的基板处理方法，其中， 在所述另一清洗工序中，向基板的背面供给纯水而对基板的背面进行清洗。22.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中， 该基板处理方法还包括翻转工序，在所述损伤层去除工序后且是在所述清洗工序前，在该翻转工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到翻转装置中，在该翻转装置的壳体内使基板的表面和背面翻转。23.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中， 在基板上设有自表面沿厚度方向延伸的插塞， 该基板处理方法还包括插塞暴露工序，在所述损伤层去除工序后且是在所述清洗工序前，在该插塞暴露工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到插塞暴露装置中，在该插塞暴露装置的壳体内使所述插塞暴露。24.根据权利要求23所述的基板处理方法，其中， 在所述插塞暴露工序中，通过进行湿蚀刻来使所述插塞暴露。25.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中， 该基板处理方法还包括检查工序，在所述磨削工序后、所述损伤层去除工序后或所述清洗工序后，在该检查工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到检查装置中，在该检查装置中对基板进行检查。26.根据权利要求25所述的基板处理方法，其中， 根据所述检查工序中的检查结果对所述磨削工序中的处理条件或所述损伤层去除工序中的处理条件进行修正。27.一种计算机存储介质，其存储有在控制基板处理系统的控制装置的计算机上动作的程序，并可读取，以利用该基板处理系统执行基板处理方法，该基板处理方法用于使基板薄化，在该基板的表面形成有器件，并进一步相对于该表面接合有支承基板的表面，其中， 所述基板处理方法包括以下工序: 磨削工序，在该磨削工序中，将基板经由基板输送区域输送到磨削装置中，在该磨削装置的壳体内对基板的背面进行磨削； 之后的损伤层去除工序，在该损伤层去除工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到损伤层去除装置中，在该损伤层去除装置的壳体内，将在所述磨削工序中形成于基板的背面的损伤层去除；以及 之后的清洗工序，在该清洗工序中，将基板经由所述基板输送区域输送到清洗装置中，在该清洗装置的壳体内对支承基板的背面进行清洗， 针对多张基板连续地进行所述磨削工序、所述损伤层去除工序以及所述清洗工序， 并且，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置分别构成为能够在铅垂方向或水平方向上配置有多个，所述磨削工序、所述损伤层去除工序以及所述清洗工序分别选择任意的所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置来进行。
【专利摘要】基板处理系统(1)包括处理站(3)和输入输出站(2)。所述处理站(3)具有：磨削装置(30、31)，其用于对基板的背面进行磨削；损伤层去除装置(32)，其用于将由于所述磨削装置(30、31)进行磨削而形成于基板的背面的损伤层去除；清洗装置(33)，其用于在利用所述损伤层去除装置(32)将所述损伤层去除之后对支承基板的背面进行清洗；以及基板输送区域(50)，其用于相对于各装置输送基板。各装置分别能够在铅垂方向或水平方向上配置有多个。各装置分别具有用于在内部容纳基板的壳体(30a、31a、32a、33a、200a、201a、202a)，各装置用于分别独立地在所述壳体内对基板进行规定的处理。
【IPC分类】H01L21/304, H01L21/677
【公开号】CN105308725
【申请号】CN201480033610
【发明人】木村义雄
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2014年5月30日
【公告号】WO2014199845A1