一种钕铁硼系烧结磁体的制造方法及其磁体的制作方法

文档序号:9565072阅读:447来源:国知局
一种钕铁硼系烧结磁体的制造方法及其磁体的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于钦铁测系烧结磁体的领域,特别涉及一种混入添加物的制造方法及其 磁体。
【背景技术】
[0002] 钦铁测系烧结磁体在风力发电、混合动力汽车领域中有广泛的应用。由于工作环 境复杂,要求所使用的钦铁测系烧结磁体具有优异的矫顽力性能。对于采用单合金工艺生 产钦铁测系烧结磁体,一般通过添加中重稀±元素提高磁体的矫顽力,尤其是生产甜、UH 和邸W上牌号的磁体时,往往更是过量添加。然而,中重稀±资源宝贵,近年来中重稀±的 原材料市场价格不断上涨,因此,W添加中重稀±元素的方式提高磁体的矫顽力面临着沉 重的成本压力。
[0003] 中国专利CN102237166A公开一种钦铁测永磁材料的制备方法,其中掲示;将钦 铁测合金破碎、制粉,再添加纳米碳化娃,然后进行磁场取向、压制成型,最后在真空或惰性 气体保护下进行烧结、并回火处理,可制备具有高矫顽力的钦铁测系烧结磁体。其中,纳米 碳化娃的添加量为为钦铁测合金重量的0. 02~3wt%。该技术方案的作用机理在于:部 分的纳米碳化娃颗粒在烧结、回火过程中均匀扩散于主相的周围,阻隔主相晶粒的磁禪合 作用,阻碍主相晶粒的长大W及相邻主相晶粒的合并,细化烧结钦铁测的主相晶粒,达到改 善微观结构的作用;而另一部分的纳米碳化娃颗粒进行主相晶体的内部,当在外场和/或 高温下,磁畴发生偏转时,起到钉扎作用,阻止磁畴壁偏转和/或移动,有利于提高矫顽力; 另外,娃元素本身能够替代铁元素占据四方相中的K2晶位,使总的交换作用增强、各向异 性场提高,有利于提高矫顽力。然而,研究人员经试验发现,根据该文献所掲示的烧结工 艺一烧结温度为1050~109(TC、烧结时间为4~化,并无法使碳化娃均匀扩散于主相 的周围或者进入主相的内部,试验结果显示;在烧结之后,娃元素主要集中在晶界H叉点区 域,而且在钦铁测系烧结磁体中可W检测到晶粒异常长大(AGG)的现象,最后经磁性能检 巧IJ,钦铁测系烧结磁体的矫顽力并无显著提高;且由于娃元素替代铁元素改变主相结构,使 磁性相减少,会降低钦铁测系烧结磁体的剩磁。

【发明内容】

[0004] 本发明的目的在于,提出一种混入添加物的制造钦铁测系烧结磁体方法,并根据 该方法获得具有优异磁性能的磁体。
[0005] 本发明的技术方案为,钦铁测系烧结磁体的制造方法包括混入添加物的工序,添 加物为纳米鹤或纳米碳化鹤或纳米氮化鹤或其组合,且其平均分散粒径为10~200nm。特 别地,当添加物为纳米鹤时,其平均分散粒径为40~IOOnm;当添加物为纳米碳化鹤时,其 平均分散粒径为50~SOnm;当添加物为纳米氮化鹤时,其平均分散粒径为25~40nm。
[0006] 添加物的混入涉及固溶度的问题。影响固溶度的因素包括;1)离子尺寸,当溶质 和主晶体的原子半径相对差值超过14~15%时,尺寸因素不利于固溶体生成,两固体间 的固溶度是有限的;2)离子价,两种固体只有在离子价相同或同号离子的离子价总和相同 时,才可能满足电中性的要求生成连续固溶体。钦铁测系烧结磁体晶界的主要元素是钦 (Nd),鹤(W)与钦(Nd)的离子半径和电子构成差异较小,因此,鹤(W)相对娃仪)在晶界 中具有更大的固溶度。在相同的烧结温度下,鹤(W)能更大程度地从晶界H叉点的富集区 域向晶间区域扩散,从而均匀地分布在主相的周围,发挥钉扎(Pining)作用,防止晶粒异 常长大(AGG)现象。而钦铁测系烧结磁体主相的主要元素是铁(Fe),鹤(W)与铁(Fe)的 离子半径和电子构成差异较大,因此,鹤(W)几乎不进入主相中。相对添加娃(Si)而言,添 加鹤(W)能更多地保留主相结构,从而使钦铁测系烧结磁体具有优异的剩磁度r)。另外, 将鹤(W)作为添加物混入进行烧结而非作为原料进行烙炼,原因在于;其一,如图1所示, 将鹤(W)混入原料进行烙炼并W甩带法进行铸造时,原料烙融合金在铜漉表面先形成含鹤 (W)的急冷晶(区域1),然后在急冷晶之上再形成柱状晶(区域2),送样的情况不利于粉 碎,因此将影响钦铁测系烧结磁体的磁性能;其二,烙炼温度在140(TCW上,鹤(W)具有较 大的迁移动能,其中一部分将进入钦铁测系烧结磁体的主相,从而改变主相结构,烧结温度 在IiocrcW下,鹤(W)的迁移动能较小,几乎聚集在钦铁测系烧结磁体的晶界相中,从而更 多地保留主相,相比之下,将鹤(W)作为添加物混入进行烧结能使钦铁测系烧结磁体具有 优异的剩磁度r)。
[0007] 在某优选的实施例中,钦铁测系烧结磁体的制造方法包括W下步骤;1)通过甩带 法制备钦铁测铸片,且其平均厚度控制为0. 2~0. 5mm;2)将钦铁测铸片粉碎制得钦铁测粉 末;3)将钦铁测粉末取向压制成型,制得钦铁测压昆;4)将钦铁测压昆烧结制得钦铁测系 烧结磁体;其中,在步骤1)的钦铁测铸片或步骤2)的钦铁测粉末中混入添加物,且其添加 量为钦铁测铸片或钦铁测粉末质量的0. 03~0. 15wt%。
[0008] 在某优选的实施例中,步骤1)的钦铁测铸片还经热处理,其中,热处理的温度为 400~90(TC,处理时间为20min~化。对钦铁测铸片进行热处理的目的在于;使富钦相沿 晶界充分扩散,减少团聚,可使钦铁测系烧结磁体中的富钦相具有更均匀的分布。
[0009] 在某优选的实施例中,步骤2)的钦铁测粉末的平均粒径控制在15UmW下、氧含 量控制在2500ppmW下。钦铁测粉末的平均粒径越小,越有利于纳米添加物的流动;氧含量 越低,越有利于避免纳米添加物被氧化。
[0010] 在某优选的实施例中,步骤2)中,钦铁测粉末与添加物在高速混料机中进行混 合,其中,混合环境为无氧气氛,混料机转速为300~2000rpm,混合时间至少为30min。与 常规使用的锥形混料机和H维混料机相比,高速混料机通过高速旋转的叶片将添加物的纳 米粉末打散,避免纳米粉末的团聚,有利于提高钦铁测系烧结磁体的强度并抑制晶粒异常 长大(AGG)现象。值得注意的是,若在步骤1)的钦铁测铸片中混入添加物,则添加物随钦 铁测铸片经过粉碎,已混合在钦铁测粉末中,直接将该钦铁测粉末置于高速混料机进行混 合即可;若在步骤2)中的钦铁测粉末中混入添加物,则可将钦铁测粉末和添加物同时置于 高速混料机进行混合,也可将二者分步骤地置于高速混料机中进行混合。
[0011] 在某优选的实施例中,混合包含W下步骤;1)将添加物置于高速混料机混合5~ IOmin;2)再加入钦铁测粉末进行混合。添加物的粒径小于钦铁测粉末的粒径,因此更容易 发生团聚,使用高速混料机先将添加物打散后,再与钦铁测粉末混合,可W提高二者混合的 均匀度。
[0012] 一种基于上述方法制造的钦铁测系烧结磁体,其包括如下原料成分:
[0013] RaFelO〇-a-b-c-d-e-fBbCocAldQieMf;其中,a、b、C、d、e、f、g为各元素的重量 百分比,28《a《32wt%,0. 9《b《I. 3wt%,0. 5《C《3. 0wt%,0.I《d《0. 8wt%, 0. 05《e《0. 5wt%,0. 05《f《0. 4wt%,;R为含Y的稀±元素;M选自Ga或佩的至少 一种。
[0014] 在某优选的实施例中,磁体中富W相的体积比例为5. 0~11. 0%。
[0015] 与现有技术相比,本发明的钦铁测系烧结磁体的制造方法可有效抑制晶粒异常长 大(AGG)的现象,从而提高钦铁测磁体的矫顽力,而且,可更大程度地保留主相,从而使钦 铁测磁体具有优异的剩磁。
【附图说明】
[0016] 图1为原料烙融合金在铜漉表面急冷后的结晶示意图。
【具体实施方式】
[0017] 实施例一
[001引钦铁测系烧结磁体的制备工序如下:
[0019] 1)按表1的组分配制原料。
[0020] 表1实施例一的原料组成表
[0022] 2)将配制好的原料放入氧化铅巧巧,置于高频真空感应烙炼炉,抽真空至10中曰, W1450°C的温度进行真空烙炼。
[0023] 3)真空烙炼结束,向烙炼炉中通入氮气,使气压至SXlO4Pa,使用甩带法进行铸 造,WIO2~IO4C/s的冷却速度获得钦铁测铸片,将钦铁测铸片的平均厚度控制在0. 3mm。 将钦铁测铸片置于热处理炉,W60(TC的温度进行化的热处理。
[0024] 4)将钦铁测铸片放入氨破炉,抽真空,然后通入纯度为99. 99%的氨气,
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