腔室内被处理对象的接触结构、静电吸盘及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及腔室内被处理对象的接触结构，更具体地涉及一种在制造装置内支撑半导体晶片或玻璃基板等被处理对象的吸盘上的与被处理对象的接触结构、静电吸盘及其制造方法。
【背景技术】
[0002]最近因要求便携用通信设备或TV的显示屏的大型化及高品质，由此，制造过程也变得复杂。在处理显示器用玻璃的等离子体处理装置上，对显著大于之前的大型玻璃进行处理并保持原有品质或更高的品质，但随着玻璃的尺寸的增大，随之产生各种问题。例如，基本上因大型玻璃具有相对较宽的处理面积，由此，存在处理均匀度降低的问题。为了解决该均匀度低下的问题，持续进行改善用于使等离子体密度均匀化的天线的结构的研究和尝试，并取得了一定程度的成果。
[0003]但如上所述，因近来的电子装置的显示屏具有非常高的分辨率，从而要求高透明度等高品质。例如，在工艺中必须使玻璃表面的刮擦或斑点的发生达到最小化。
[0004]刮擦或斑点等玻璃品质低下的原因在主要工艺中，在腔室内因与静电吸盘等支持结构的接触或接触状态发生。在工艺中为了冷却玻璃基板等被处理对象，将与玻璃基板的背面接触的结构形成为压印结构或深沟槽结构，但该现有的压印或深沟槽结构存在如下问题。
[0005]图1为放大表示现有的静电吸盘的表面的一部分的图，(a)为显示顶部发生磨损之前的图，(b)为顶部发生磨损之后的图。
[0006]现有的静电吸盘与被处理对象的接触部具有左侧的压印结构或右侧的深沟槽结构。如图所示，压印结构和深沟槽结构提供用于疏通氦等冷却气体的凹槽，使压印结构和深沟槽结构的上表面部位与玻璃基板的背面接触。压印或深沟槽结构的上表面部位具有多个顶部，由此，实际上玻璃基板由该顶部支撑。并且，也通过在顶部之间被提供的细小的凹槽来疏通冷却气体即氦，从而，冷却玻璃基板。
[0007]但如图1(a)所示，静电吸盘的使用初期保持有顶部，但经过一定使用时间，如图1(b)所示，顶部发生磨损。此情况下，流经顶部之间的氦的量急剧减少，而在凹槽部位和压印部位产生温度差，由此，发生在压印部位(或接触部位)的相反面产生斑点的问题。该斑点问题的发生是由于，压印结构或深沟槽结构在顶部磨损时，实际上与玻璃的接触面积变宽，由此，形成较大的温度差。该斑点例如在玻璃基板的蚀刻工艺中，由于温度差造成的均匀度差异而产生，由此，在液晶驱动或背光驱动时，在上表面生成。
[0008]专利文献1:韩国专利申请公开10-2012-0137986
【发明内容】
[0009]本发明是为解决上述现有的问题而做出的，提供一种制造被处理对象的接触结构的方法，其在工艺中，向被处理对象提供均匀的温度分布，并进行支撑。
[0010]本发明的目的为提供一种制造被处理对象的接触结构的方法，其以容易且经济的方式，在工艺中，向被处理对象提供均匀的温度分布。
[0011]本发明的目的为提供一种根据所述改善的制造方法而制造的腔室内被处理对象的接触结构。
[0012]本发明的目的为提供一种使用寿命相对长的腔室内被处理对象的接触结构。
[0013]本发明的目的为提供一种采用上述改善的接触结构的静电吸盘。
[0014]本发明提供一种腔室内被处理对象的接触结构，包括:突出结构排列，由配置在被处理对象支撑体的接触面上的多个突出结构构成；及凹槽，形成在突出结构排列的突出结构之间，凹槽具有格子形状，提供冷却气体的疏通通道。
[0015]突出结构由A1203、Y203、BeO、Si02、Zr02、CaO、MgO、Ti02、BaTi03、A1203_Y203、Al203-Ti03、AIN, YSZ及YAG中的某一种以上形成
[0016]还包括堤坝结构，在接触面上配置成围绕突出结构排列。
[0017]多个突出结构各自的底板部位的长边的长度为ΙΟΟμπι以下，上端部位的长边的长度为30 μ m以下，高度为50 μ m以上。
[0018]多个突出结构各自的间距为200 μπι以下。
[0019]多个突出结构与被处理对象的接触比例为2至20%。
[0020]本发明还提供静电吸盘，包括:基材；绝缘层，层叠在基材的上表面上；导电层，形成在绝缘层上；及接触层，形成在导电层上，包括格子形状的凹槽和通过凹槽形成的多个突出结构，凹槽提供冷却气体疏通通道。
[0021]多个突出结构各自的底板部位的长边的长度为ΙΟΟμπι以下，上端部位的长边的长度为30 μ m以下，高度为50 μ m以上。
[0022]多个突出结构各自的间距为200 μπι以下。
[0023]多个突出结构各自的粗糙度(Ra)为10 μπι以上。
[0024]多个突出结构与被处理对象的接触比例为2至20%。
[0025]本发明提供一种腔室内被处理对象的接触结构的制造方法，包括如下步骤:在被处理对象支撑体的接触面上配置掩模；在接触面上层叠用于接触层的层；及抬起并去除掩模，形成包含多个突出部排列的接触层。
[0026]用于接触层的层利用喷涂方法形成。
[0027]用于接触层的层由A1203、Y203、BeO、Si02、Zr02、CaO、MgO、Ti02、BaTi03、A1203_Y203、Al203-Ti03、AIN, YSZ及YAG中的某一种以上形成。
[0028]还包括在接触面上形成围绕突出部排列的堤坝结构的步骤。
[0029]在接触面上形成介电层之后，将掩模配置在介电层上。
[0030]发明效果
[0031]根据本发明，能够提供一种腔室内被处理对象的接触结构。其可为在静电吸盘等支撑结构上采用的接触结构，每单位面积上相对多的突出结构均匀地与被处理对象接触，由此几乎没有温度差。而且，在本发明的接触结构上，即使形成于各个突出结构的上表面部位的顶峰部受到磨损，在相同的面积内相对较多的突出结构与被处理对象接触，由此，温度差非常小。因此，本发明的格子状的接触结构还具有使用寿命长的优点。并且，利用网格(mesh)或蚀刻等的制造方法能够以低廉的费用快速容易地制造。
【附图说明】
[0032]图1为概略表示现有的被处理对象的接触结构的附图。
[0033]图2为概略表示采用本发明的被处理对象的接触结构的静电吸盘的截面的图。
[0034]图3为概略表示采用本发明的被处理对象的接触结构的静电吸盘上部部位的图。
[0035]图4及图5为概略表示采用本发明的被处理对象的接触结构的静电吸盘的图，在放大图中表不关出部排列。
[0036]图6为本发明的腔室内被处理对象的接触结构的一部分的电子显微镜照片。
[0037]图7为现有被处理对象的接触结构的一部分的电子显微镜照片。
[0038]图8为说明本发明的制造方法的一实施例的过程的图。
[0039]图9为说明本发明的制造方法的另一实施例的过程的图。
[0040]附图标记说明
[0041]1:支撑体的主体 11:基材
[0042]12:绝缘层13:导电层
[0043]21:突出结构排列 211:突出结构
[0044]22:凹槽23:堤坝结构
[0045]24:介电层14:冷却气体路线
【具体实施方式】
[0046]下面，参照附图对本发明的实施例进行详细说明。在说明本发明的实施例时，判断相关的公知的功能或结构的具体说明为不必需地且混淆本发明的要旨时，省略其详细的说明。
[0047]图2为概略显示采用本发明的被处理对象的接触结构的静电吸盘的截面的图，图3为概略显示采用本发明的被处理对象的接触结构的静电吸盘上部部位的图，图4及图5为概略显示采用本发明的被处理对象的接触结构的静电吸盘的图，在放大图显示突出部排列。
[0048]本发明的被处理对象的接触结构涉及一种形成于被处理对象支撑体(下面，称为“支撑体”)的上表面，而与被处理对象G接触的结构。该接触结构形成于支撑体，该支撑体用于在制造半导体器件或显示器用玻璃的装置的腔室内支撑硅片或玻璃基板等被处理对象。例如，接触结构是指配置于静电吸盘的主体上表面而与被处理对象的背面接触的部位。
[0049]参照附图，本发明的被处理对象的接触结构所适用的静电吸盘包括:突出结构排列21，其由配置于被处理对象的支撑体的主体1上表面的多个突出结构211构成。该突出结构排列21的突出结构211之间形成凹槽22，凹槽22提供疏通氦等冷却气体的路径。如上所示，在静电吸盘上适用本发明的腔室内被处理对象的接触结构的情况下，主体1包括:基材11 ;绝缘层12，其层叠于基材11上；及导电层13，其配置于绝缘层12上而形成为电极。
[0050]导电层13的上表面形成有介电层24，介电层24的上表面形成有上述的突出结构排列21。突出结构排列21也由电介质形成。
[0051]如图2所示，具有贯通基材11、绝缘层12、导电层13及用于介电接触的层210的冷却气体路线14，从而向接触结构的接触面供给氦等气体。因此，在安装有玻璃基板等被处理对象时，冷却气体借助堤坝结构23在玻璃基板和接触结构之间沿着由凹槽22提供的疏通路线循环。
[0052]如在对下面所述的制造方法的说明中的详细说明所示，将网状的掩模配置于主体1上，利用电介质物质层叠用于接触层的层之后，优选地，抬起并去除掩模来形成。由此，配置于突出结构211之间的凹槽22为沟槽，且整体为格子状。
[0053]并且，在形成格子状的凹槽22的另一实施例，可利用图案片(pattern sheet)、图案研磨加工、电子束层(E-beam layer)、陶瓷微蚀刻(ceramic micro etching)等。
[0054]并且，突出结构211 由 A1203、Y203、BeO、Si02、Zr02、CaO、MgO、Ti02、BaTi03、A1203-Y203、Al203-Ti03、AIN、YSZ 及 YAG 中的某一种以上形成。
[0055]所形成的突出结构例如底板部位的长边的长度为ΙΟΟμπι以下，上端部位的长边的长度为30 μπι以下，高度为50 μπι以上。并且优选地，Ra为10 μπι以上，突出结构之间的间距为200 μπι以下。
[0056]该结构的条件具有约2 %?20 %的接触比例，2 %以下的低接触比例的结构中，加速顶部的磨损并缩短寿命，20%以上的接触比例时，根据高分辨率妨碍氦流动，从而产生温度差。
[0057]该本发明的突出结构具有与平状(Flat) (Ra<10ym)和深沟槽结构相比非常小、且与普通的压印