一种太阳能晶硅电池的反射膜及其制作工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于化工领域，特别涉及一种太阳能晶硅电池的反射膜及其制作工艺。
【背景技术】
[0002]目前，作为一种清洁无污染的能源，人类对太阳能电池(光电材料)的研究开发进入了一个新的阶段。2005年Sunpower首先在太阳能组件中发现PID (potential induceddegradat1n)效应。在长期高电压作用下,组件中玻璃和封装材料之间存在漏电现象，使得大量电荷和Na+离子富集在电池片表面，造成先是表面钝化减反射膜失效，然后PN结失效，最终使得组件性能降低，远低于设计标准。2010年，NREL和Solon证实无论组件采用何种技术的P型晶硅电池片，组件在负偏压下都有PID的风险。传统工艺的P型太阳能晶硅组件都存在一定的PID失效问题，所以研究PID现象，研发出PID Free的晶硅电池片是广大太阳能厂商研发部和部分科研院校的目标之一。目前较通用且较严格的是双85 PID测试，其测试条件为1000V的负电压，85°C的环境温度，85%的湿度，96h的测试时间。组件最终最大输出功率衰减比例小于5%就可判定为PID测试合格，即PID Free。
[0003]目前为了有效降低PID Loss值，主要从电池、组件、系统三个方面来实现。从组件端来看，主要方法是使用特殊玻璃而非普通钠钙玻璃和高电阻率的封装材料做成，但这使得组件的成本大大提高；从系统端来看，主要方法是组件边框接地、逆变器直流段负极接地等，但这些方法只能缓慢PID衰减的速度；从电池端来看，改变电池片钝化减反射膜层的工艺是主要研究方向之一。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是提供了一种太阳能晶硅电池的反射膜及其制作工艺，以解决现有技术中的问题。
[0005]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案:
一种太阳能晶硅电池的反射膜，该太阳能晶硅电池的反射膜包括:Si02层、钝化层、电性能优化层；由下至上依次设置有Si02层、钝化层、电性能优化层。
[0006]进一步的，Si02层采用Si02材料制成，折射率在1.50，厚度为20nm。
[0007]优化的，钝化层的折射率为2.0，厚度为15nm。
[0008]一种太阳能晶硅电池的反射膜的制作工艺，该太阳能晶硅电池的反射膜的制作工艺包括以下步骤:
步骤A，将原始硅片预处理，包括传统电池工艺中的制绒、扩散和刻蚀工艺；
步骤B，使用PECVD设备在扩散面镀高效钝化减反射膜，底层为导电的3102层，折射率在1.50，厚度为20nm ;中间层为钝化层，折射率为2.0，厚度为15nm ;顶层为电性能优化层，折射率为2.0，厚度为15nm;
步骤C，使用传统电池印刷工艺印刷背电极、铝背场、正栅线和正电极，并烧结形成良好的欧姆接触。
[0009]本发明的有益效果:本发明提供的太阳能晶硅电池的反射膜及制作工艺，防止了因电荷堆积而引起钝化减反射膜失效，降低了钝化减反射层的整体折射率；本发明可以优化晶硅电池的电性能，提高了转换效率，又可以从电池端有效的降低PID衰减；本发明基于传统晶硅电池工艺，只改变了钝化减反射膜的膜质结构，可与传统晶硅电池工艺兼容，对普通PECVD设备无特殊要求，易于实现，适用于规模化生产，也可运用于一些先进电池工艺。
【附图说明】
[0010]图1为本发明的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0012]一种太阳能晶硅电池的反射膜，该太阳能晶硅电池的反射膜包括5102层、钝化层、电性能优化层；由下至上依次设置有Si02层、钝化层、电性能优化层。
[0013]进一步的，Si02层采用Si02材料制成，折射率在1.50，厚度为20nm。
[0014]优化的，钝化层的折射率为2.0，厚度为15nm。
[0015]一种太阳能晶硅电池的反射膜的制作工艺，该太阳能晶硅电池的反射膜的制作工艺包括以下步骤:
步骤A，将原始硅片预处理，包括传统电池工艺中的制绒、扩散和刻蚀工艺；
步骤B，使用PECVD设备在扩散面镀高效钝化减反射膜，底层为导电的3102层，折射率在1.50，厚度为20nm ;中间层为钝化层，折射率为2.0，厚度为15nm ;顶层为电性能优化层，折射率为2.0，厚度为15nm;
步骤C，使用传统电池印刷工艺印刷背电极、铝背场、正栅线和正电极，并烧结形成良好的欧姆接触。
[0016]上述虽然结合实施例对本发明的【具体实施方式】进行了描述，但并非对本发明保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本发明的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性的劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种太阳能晶硅电池的反射膜，其特征在于，该太阳能晶硅电池的反射膜包括:Si02层、钝化层、电性能优化层；由下至上依次设置有Si02层、钝化层、电性能优化层。2.如权利要求1所述的太阳能晶硅电池的反射膜，其特征在于，Si02层采用Si02材料制成，折射率在1.50，厚度为20nm。3.如权利要求1所述的太阳能晶硅电池的反射膜，其特征在于，钝化层的折射率为2.0，厚度为15nm。4.一种太阳能晶硅电池的反射膜的制作工艺，其特征在于，该太阳能晶硅电池的反射膜的制作工艺包括以下步骤: 步骤A，将原始硅片预处理，包括传统电池工艺中的制绒、扩散和刻蚀工艺； 步骤B，使用PECVD设备在扩散面镀高效钝化减反射膜，底层为导电的Si02层，折射率在1.50，厚度为20nm ;中间层为钝化层，折射率为2.0，厚度为15nm ;顶层为电性能优化层，折射率为2.0，厚度为15nm; 步骤C，使用传统电池印刷工艺印刷背电极、铝背场、正栅线和正电极，并烧结形成良好的欧姆接触。
【专利摘要】本发明公开了一种太阳能晶硅电池的反射膜及其制作工艺，该太阳能晶硅电池的反射膜包括：SiO2层、钝化层、电性能优化层；由下至上依次设置有SiO2层、钝化层、电性能优化层；本发明提供的太阳能晶硅电池的反射膜及制作工艺，防止了因电荷堆积而引起钝化减反射膜失效，降低了钝化减反射层的整体折射率；本发明可以优化晶硅电池的电性能，提高了转换效率，又可以从电池端有效的降低PID衰减。
【IPC分类】H01L31/0216, H01L31/18
【公开号】CN105322030
【申请号】CN201410379001
【发明人】刘荣春
【申请人】南京市荣达树脂有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2014年8月4日