一种晶体硅太阳能电池片串及其制备方法

文档序号:9580817阅读:463来源:国知局
一种晶体硅太阳能电池片串及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种晶体硅太阳能电池片串及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。
【背景技术】
[0002]自进入本世纪以来光伏产业成为了世界上增长最快的高新技术产业。在各类太阳能电池中,晶体硅(单晶、多晶)太阳能电池占有极其重要的地位,目前占据了光伏市场75%以上的份额。晶体硅太阳能电池利用P-η结的光生伏特效应实现光电转换,从发展的观点来看,晶体硅太阳能电池在未来很长的一段时间仍将占据主导地位。
[0003]现有的晶体硅太阳能电池的制造流程为:表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。这种商业化晶体硅电池制造技术相对简单、成本较低,适合工业化、自动化生产,因而得到了广泛应用。其中,丝网印刷步骤具体包括如下步骤:在硅片背面分别印刷背银、铝浆后烘干,然后在其正表面印刷正银,然后即可进行烧结步骤。
[0004]另一方面,目前光伏企业电池片在加工过程中,均以单片生产,并进行整合包装,发往至组件制造厂商进行单片焊接后再串联。然而,实际应用发现:在单片电池片焊接串联作业过程中,会存在诸多的不利问题:(1)焊带与电池片焊接存在过焊与虚焊、焊接时填加的助焊剂会增加组件可靠性不稳定;(2)由于焊接设备较为昂贵,且易于故障导致整体制造成本较高。因此,传统组件电池片焊接工艺不仅加工成本较高,而且生产流程较为复杂,并且产品可靠性不稳定,实际生产过程不易控制。

【发明内容】

[0005]本发明的发明目的是提供一种晶体硅太阳能电池片串及其制备方法。
[0006]为达到上述发明目的,本发明采用的技术方案是:一种晶体硅太阳能电池片串的制备方法,包括如下步骤:
(1)将硅片进行表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减反射膜,然后在硅片背面印刷背电极银浆、烘干,印刷铝背场,
然后在硅片背面的主栅线上印刷铜浆,烘干;
所述铜浆位于主栅线之内,且铜浆层的一端延伸出硅片之外,形成背面连接端;
(2)在硅片正面印刷正面电极银浆栅线,烘干,然后在硅片正面的主栅线上印刷锡浆,烘干形成锡层,再于锡层上印刷铜浆,烘干;
所述锡浆位于主栅线之内,锡层的一端延伸出硅片之外;所述铜浆位于主栅线之内,且铜浆层的一端延伸出硅片之外,形成正面连接端;
(3)将多个硅片按照电池片串的结构进行排列,然后将硅片的背面连接端与相邻硅片的正面连接端对接起来,在对接处印刷铜楽,烘干;
(4)烧结;即可得到晶体硅太阳能电池片串。
[0007]上文中,所述步骤(2)中,所述铜浆位于主栅线之内,是指铜浆的宽度应当小于银浆的宽度,以避免铜浆与硅片接触而对硅片产生污染。例如,银浆的宽度为3 _,锡浆的宽度可以是2~2.6 _,铜浆的宽度略小于或等于锡浆的宽度;
所述铜浆层的一端延伸出硅片之外,形成正面连接端,这是在长度方向进行延伸,使铜浆层形成连接端,从而与下一片硅片实现电连接。步骤(1)中的描述也是如此。
[0008]优选的,所述步骤(1)中,印刷铝背场之后,先在硅片背面的主栅线上印刷锡浆,烘干形成锡层,再于锡层上印刷铜浆。这里,锡浆的作用主要是起到粘结的作用,除此之外,还起到阻隔铜浆与硅片接触的作用,以防止烧结时铜浆沉到硅片中而影响发电。
[0009]优选的,所述锡浆位于主栅线之内,锡层的一端延伸出硅片之外;所述铜浆位于主栅线之内,且铜浆层的一端延伸出硅片之外,形成所述背面连接端。
[0010]上述技术方案中,所述步骤(2)中,所述铜楽层的一端延伸出娃片之外2~3mm,形成正面连接端。
[0011]上述技术方案中,所述锡层的厚度为0.05~0.30mm优选0.05~0.1mm 上述技术方案中,所述铜楽层的厚度为0.1-0.4mm。优选0.20-0.025mm。
[0012]上述技术方案中,所述步骤(4)中,所述烧结采用红外线加热方法或磁场加热方法。烧结可以使银浆、铝浆与晶硅片有效钝化,同时将银浆与锡浆、铜浆有效的融合,并形成
1=1Ο
[0013]上述技术方案中,所述步骤(4)中,所述烧结的温度为800~1200°C。
[0014]本发明同时请求保护由上述制备方法获得的晶体硅太阳能电池片串。
[0015]由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
1、本发明开发了一种新的晶体硅太阳能电池片串的制备方法,在电池片的制备过程中即可形成电池片串,有效避免了传统焊接工艺不稳定对产品可靠性的影响,并能有效规避焊接异常对生产线的影响;具有积极的现实意义;
2、本发明能有效减少组件生产过程焊接所需的设备、人力及物料,并且能简化组件制造工艺流程;此外,本发明对传统焊接工艺具有明显的市场优势,低成本加工,提升企业盈利能力,提高企业综合竞争力,非常值得推广应用;
3、本发明的方法简单可行,成本较低,适于推广应用。
【附图说明】
[0016]图1是本发明实施例一中的工艺流程图。
[0017]图2是本发明实施例一中硅片背面的印刷示意图。
[0018]图3是本发明实施例一中硅片正面的印刷示意图。
[0019]图4是本发明实施例一中相邻硅片搭接状态的结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]下面结合实施例对本发明进一步描述。
[0021]实施例一:
一种晶体硅太阳能电池片串的制备方法,包括如下步骤:
(1)将硅片进行表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减反射膜,然后在硅片背面印刷背电极银浆、烘干,印刷铝背场,
先在硅片背面的主栅线上印刷锡浆,烘干形成锡层,再于锡层上印刷铜浆,烘干;
所述锡浆位于主栅线之内,锡层的一端延伸出硅片之外;所述铜浆位于主栅线之内,且铜浆层的一端延伸出硅片之外,形成所述背面连接端;
(2)在硅片正面印刷正面电极银浆栅线,烘干,然后在硅片正面的主栅线上印刷锡浆,烘干形成锡层,再于锡层上印刷铜浆,烘干;
所述锡浆位于主栅线之内,锡层的一端延伸出硅片之外;所述铜浆位于主栅线之内,且铜浆层的一端延伸出硅片之外,形成正面连接端;
(3)将多个硅片按照电池片串的结构进行排列,然后将硅片的背面连接端与相邻硅片的正面连接端对接起来,在对接处印刷铜楽,烘干;
(4)烧结;即可得到晶体硅太阳能电池片串。
[0022]银浆的宽度为3 _,锡浆的宽度可以是2.6 _,铜浆的宽度略小于或等于锡浆的宽度。
[0023]所述步骤(2)中,所述铜浆层的一端延伸出硅片之外3 mm,形成正面连接端。
[0024]所述锡层的厚度为0.1mm。所述铜楽层的厚度为0.22mm。
[0025]所述步骤(4)中,所述烧结采用红外线加热方法。使银浆铝浆与晶硅片有效钝化,同时将银浆与锡浆、铜浆有效的融合,并形成合金。
[0026]按序列依次相互正背连接,形成电池片串后,采用红外线加热方式对已印刷电池串进行预热、烧结、冷却,完成银、锡、铜融合,并形成合金。
[0027]对烧结工艺设定范围:预热、烘干区设定100~250°C之间,蒸发印刷过程中存在的有机溶剂,烧结区设定500~600°C之间,烧掉有机溶剂及树脂,瞬间升温至800~1200°C,主要是根据减反射膜和浆料的特性,同时在区间内完成铝浆、锡浆、铜浆融合,并形成合金,冷却区保持在18~30°C之间。
【主权项】
1.一种晶体硅太阳能电池片串的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: (1)将硅片进行表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减反射膜,然后在硅片背面印刷背电极银浆、烘干,印刷铝背场, 然后在硅片背面的主栅线上印刷铜浆,烘干; 所述铜浆位于主栅线之内,且铜浆层的一端延伸出硅片之外,形成背面连接端; (2)在硅片正面印刷正面电极银浆栅线,烘干,然后在硅片正面的主栅线上印刷锡浆,烘干形成锡层,再于锡层上印刷铜浆,烘干; 所述锡浆位于主栅线之内,锡层的一端延伸出硅片之外;所述铜浆位于主栅线之内,且铜浆层的一端延伸出硅片之外,形成正面连接端; (3)将多个硅片按照电池片串的结构进行排列,然后将硅片的背面连接端与相邻硅片的正面连接端对接起来,在对接处印刷铜楽,烘干; (4)烧结;即可得到晶体硅太阳能电池片串。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中,印刷铝背场之后,先在硅片背面的主栅线上印刷锡浆,烘干形成锡层,再于锡层上印刷铜浆。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述锡浆位于主栅线之内,锡层的一端延伸出硅片之外;所述铜浆位于主栅线之内,且铜浆层的一端延伸出硅片之外,形成所述背面连接端。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中,所述铜浆层的一端延伸出娃片之外2~3mm,形成正面连接端。5.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:所述锡层的厚度为0.05—0.10mm。6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述铜浆层的厚度为0.20-0.25mm。7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中,所述烧结采用红外线加热方法或磁场加热方法。8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中,所述烧结的温度为800?1200。。。9.根据权利要求书1所述的制备方法获得的晶体硅太阳能电池片串。
【专利摘要】本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片串的制备方法,包括如下步骤:(1)将硅片进行表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减反射膜,然后在硅片背面印刷背电极银浆、烘干,印刷铝背场,(2)在硅片正面印刷正面电极银浆栅线,烘干,然后在硅片正面的主栅线上印刷锡浆,烘干形成锡层,再于锡层上印刷铜浆,烘干;(3)将多个硅片按照电池片串的结构进行排列,然后将硅片的背面连接端与相邻硅片的正面连接端对接起来,在对接处印刷铜浆,烘干;(4)烧结;即可得到晶体硅太阳能电池片串。本发明在电池片的制备过程中即可形成电池片串,有效避免了传统焊接工艺不稳定对产品可靠性的影响。
【IPC分类】H01L31/05, H01L31/18
【公开号】CN105336817
【申请号】CN201510770477
【发明人】厉发松, 张驰, 庄益春, 张小峰, 靖伯振, 沈敏
【申请人】江苏东昇光伏科技有限公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年11月12日
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