晶圆焊盘的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种晶圆焊盘的形成技术，尤其涉及一种通过简化晶圆焊盘的形成工序，并省略等离子工序来使形成在元件晶圆上的元件不受等离子的影响的晶圆焊盘的形成方法。
【背景技术】
[0002]晶圆(wafer)的叠层(stacking)技术有望成为下一代高端(high end)半导体的核心技术。因此，各领域正在活跃地展开关于晶圆叠层的研发。
[0003]目前，在晶圆的叠层技术中重要的一种技术就是形成逻辑晶圆(Logicwafer)的技术，所述逻辑晶圆形成有外围电路，例如有在背部感光式(back side illuinat1n，以下简称为‘BSI’ )的情况下，则在对形成有处理晶圆(handling wafer)和光电二极管等光电探测器的传感器晶圆(sensor wafer)进行焊接(bonding)工序之后，形成焊盘(pad)的技术。
[0004]根据现有技术的晶圆的焊盘形成方法如下:在Si基板(SOI晶圆)上实施外延(EPI)生长及退火(annealling)等前工序，然后将处理晶圆和元件晶圆层压后翻过来实施背面减薄(back side thinning)工序等的后工序，然后形成用于防止反射的防反射(AR)涂层、彩色滤光片及微透镜后实施封装(packaging)工序。
[0005]但是，在所述封装工序中对形成玻璃(glassr)和外围电路的元件晶圆进行层压后，对形成在所述元件晶圆上的处理晶圆(例如:Si层)进行背面减薄工序。接着，对所述经过背面减薄工序的Si层进行蚀刻工序来形成过孔(via)，并在所述过孔背面形成焊盘。
[0006]如上所述的基于现有技术的晶圆焊盘的形成方法是在对玻璃和元件晶圆进行层压后，对形成在元件晶圆上的Si层实施背面减薄工序，然后对经过背面减薄的Si层实施蚀刻工序来形成过孔，然后在过孔背面形成焊盘，其工序次数多，因此存在晶圆制作费用高且耗时长的问题。
[0007]而且，为了对Si层实施蚀刻工序，需要进行等离子工序，而在等离子工序中产生的等离子会对形成于元件晶圆上的元件产生不利的影响。
【发明内容】
[0008]要解决的技术问题
[0009]本发明所要解决的技术问题是在形成晶圆焊盘的工序中，对封装工序中的在过孔背面形成焊盘的工序进行简化。
[0010]本发明所要解决的另一个技术问题是在封装工序中通过省略等离子工序，使得形成在元件晶圆上的元件不受等离子的影响。
[0011]技术方案
[0012]为解决上述技术问题的本发明实施例的晶圆焊盘的形成方法，包括以下步骤:前工序实施步骤，实施在基板上形成元件或电路并进行布线的工序；后工序实施步骤，将处理晶圆和形成有光电探测器的元件晶圆层压后实施背面减薄工序；在实施了所述后工序的所述元件晶圆的上部依次形成彩色滤光片及微透镜的工序；作为封装工序，在所述微透镜的上部粘贴玻璃后，从所述元件晶圆上分离出所述处理晶圆，从而使形成在所述元件晶圆上的金属层向外部暴露；以及以所述金属层为对象形成焊盘。
[0013]发明效果
[0014]本发明具有如下效果:在形成晶圆焊盘时，对元件晶圆和处理晶圆进行分离后，以向外部暴露的元件晶圆上的金属层作为对象，直接形成焊盘，因此简化了在晶圆上形成焊盘的工序。
[0015]此外，通过省略等离子工序，从而使形成在元件晶圆上的元件不受等离子的影响。
【附图说明】
[0016]图1至图4是本发明的晶圆焊盘的形成方法的各工序中的晶圆的剖视图。
[0017]图5是本发明的晶圆焊盘形成方法的工序流程图。
[0018]图6a至图6b是示出本发明的焊盘形成方法的封装工序中另一个实施例的焊盘形成方法的剖视图。
[0019]图6c至图6d是示出本发明的焊盘形成方法的封装工序中又一个实施例的焊盘形成方法的剖视图。
[0020]图7是利用再分布层(RDL)来确保焊盘形成空间的本发明的另一个实施例的剖视图。
【具体实施方式】
[0021]下面，参照附图对本发明的优选实施例进行详细说明。图1至图4是本发明的晶圆焊盘的形成方法的各工序中的晶圆的剖视图。图5是本发明的晶圆焊盘形成方法的工序流程图。
[0022]首先，参照图1，实施前工序(SI)，所述前工序是在基板(例如:Si基板)111上形成元件或电路并进行布线。
[0023]接着，实施后工序(S2)，所述后工序是将处理晶圆(例如，Si层)110和形成有光电二极管等光电探测器的元件晶圆120层压后翻过来实施背面减薄工序等。
[0024]然后，在实施了如上所述的后工序的所述元件晶圆120的上部依次形成用于防止反射的防反射(AR)涂层131、彩色滤光片132及微透镜133 (S3)。
[0025]然后，实施封装工序，此时，如图2所示，在所述微透镜133的上部粘贴玻璃141(S4)ο
[0026]在此需注意的事项是，如上所述，由于微透镜133的上部粘贴有玻璃141，因此除了所述处理晶圆I1以外的所述元件晶圆120及包括所述玻璃141的整体厚度以能够正常实施后续的焊盘沉积工序的程度变厚。
[0027]考虑到所述内容，在粘贴所述玻璃141后，如图3所不，从所述兀件晶圆120上完全去除或剥离(de-bonding)掉所述处理晶圆110，从而使形成在所述元件晶圆120上的金属层M3向外部暴露(S5)，而不会为了晶圆焊盘的沉积而实施背面减薄工序或在经过背面减薄的晶圆110上形成过孔的工序。
[0028]在这种状态下，如图4所示，实施在向外部暴露的金属层M3上形成焊盘(PAD) 151的工序(S6)。所述金属层M3形成于所述元件晶圆120上。
[0029]另外，图6a至图6b是示出本发明的焊盘形成方法的封装工序中另一个实施例的焊盘形成方法的图。
[0030]参照图6a至图6b，如图3所示，当从所述元件晶圆120上完全去除或剥离所述处理晶圆110以使形成在所述元件晶圆120上的金属层M3向外部暴露时，如果