粘合带剥离方法和粘合带剥离装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及将粘贴于半导体晶圆(以下，适当称为“晶圆”)的电路形成面的保护带或双面粘合带等粘合带剥离的粘合带剥离方法和粘合带剥离装置。
【背景技术】
[0002]在完成图案形成处理后的晶圆的表面上粘贴保护带，之后，对整个背面均匀地实施背磨处理。带有保护带的晶圆在被输送至切断分离成芯片的切割工序之前，从晶圆的表面剥离保护带。
[0003]作为从晶圆表面剥离保护带的方法，例如如下那样实施。使粘贴有保护带的表面朝上，将晶圆吸附保持于保持台。一边使粘贴辊转动，一边将剥离用的粘合带粘贴在保护带上。之后，利用顶端薄的板状的带缘构件对粘合带逐渐进行反转剥离，从而从晶圆表面一体地将粘接在粘合带上的保护带剥离(参照日本特开2002-124494号公报)。
【发明内容】
_4] 发明要解决的问题
[0005]但是，在上述以往方法中产生以下那样的问题。
[0006]近年，为了能够实现与应用程序的急速进步相伴的高密度安装，谋求晶圆的薄型化。另外，与该薄型化同时，存在晶圆的尺寸变大的趋势。由于随着上述薄型化和大型化而晶圆的刚性降低，因此易于产生晶圆的裂纹。
[0007]在裂纹产生了的情况下，能利用形成于保持台的多个吸附孔的吸引力的变化，检测出裂纹的产生。但是，只有在产生了裂纹的部位和吸附孔重叠了的情况下，才能够检测出吸引力的变化。即，不能在晶圆的整个表面检测裂纹的产生。
[0008]因此，当对产生了裂纹的状态的晶圆继续做处理时，所产生的问题是，破片被卷入装置内而引起不必要的停机、或者污染接下来的处理对象的晶圆。
[0009]本发明是有鉴于这样的情况而做成的，其主要目的在于，提供一种能够高精度地检测在背面研削后的半导体晶圆产生的裂纹等的粘合带剥离方法和粘合带剥离装置。
_0] 用于解决问题的方案
[0011 ] 本发明为了达到这样的目的，采用以下的结构。
[0012] S卩，本发明是将粘贴于半导体晶圆的粘合带剥离的粘合带剥离方法，其特征在于，所述粘合带剥离方法包含以下工序:保持工序，在该保持工序中，利用设于保持台的环状凸部保持所述半导体晶圆的外周；加压工序，在该加压工序中，向保持台的被所述半导体晶圆密闭的中空内部供给气体而进行加压；剥离工序，在该剥离工序中，利用剥离构件一边将剥离带粘贴于所述粘合带并折返一边将该剥离带剥离，由此以使粘合带与剥离带成为一体的方式从半导体晶圆剥离粘合带；检测工序，在该检测工序中，利用检测器检测在所述剥离工序中向保持台的中空内部供给的气体的供给流量的变化或者中空内部的压力的变化中的至少一种变化；判断工序，在该判断工序中，基于所述检测到的实测值与预先确定的基准值之间的比较来判断半导体晶圆的裂纹。
[0013]采用上述方法，因为将覆盖晶圆的表面的粘合带剥离，所以气体会从晶圆的裂纹部分泄漏。利用检测器检测由该泄漏导致改变的气体的供给流量的变化和中空内部的压力变化中的至少一种变化，由此能够检测该裂纹。因此，能够预先防止产生了裂纹的晶圆被输送到接下来的工序。另外，在检测到裂纹的情况下，能够迅速地除去晶圆的破片或者对裂纹进行处理。因此，能够避免对保持台、接下来的处理对象的晶圆的污染。另外，在本发明中，“裂纹”是指包含“开裂”和“缺口 ”的异常部位。
[0014]另外，在上述方法中，也可以存储检测到裂纹的时刻的位置。
[0015]采用该方法，能够迅速地确认裂纹的位置并实施处理。另外，在接下来的工序中能够利用该位置信息。例如，在切割处理工序中，能够从切断了的芯片中废弃或者除去该裂纹部分的芯片。
[0016]本发明为了达到这样的目的，采用以下的结构。
[0017]S卩，本发明是用于将粘贴于半导体晶圆的粘合带剥离的粘合带剥离装置，其特征在于，所述粘合带剥离装置包含以下结构:保持台，其利用环状凸部保持所述半导体晶圆的外周；加压器，其向被所述半导体晶圆密闭的中空内部供给气体而进行加压；剥离带供给机构，其朝向所述半导体晶圆供给带状的剥离带；剥离机构，其利用剥离构件将剥离带粘贴于所述保持台之上的半导体晶圆，之后，利用该剥离构件将剥离带折返而进行剥离，由此，以使粘合带与剥离带成为一体的方式从半导体晶圆剥离粘合带；水平驱动机构，其使所述保持台和所述剥离构件相交叉地相对水平移动；控制部，其用于调整所述保持台的中空内部的压力；检测器，其用于在剥离所述粘合带的工序中检测气体的供给流量的变化和中空内部的压力变化中的至少一种变化；判断部，其用于根据由所述检测器检测到的实测值和预先确定的基准值之间的比较来判断半导体晶圆的裂纹；带回收机构，其用于将与所述粘合带一体化了的剥离带卷取并回收
[0018]采用该结构，检测由于将覆盖晶圆表面的粘合带剥离而发生变化的向中空内部供给的气体的流量的变化和中空内部的压力变化中的至少一种变化。因此能够根据该变化检测在晶圆产生的裂纹。即，能够适当地实施上述方法。
[0019]另外，在该结构的基础上，也可以构成为，具有用于存储由判断部判断到的裂纹的位置的存储部。
[0020]采用该结构，能够根据存储了的位置信息迅速地确认裂纹部位。另外，也能够将该位置信息利用在例如切割工序等以后的工序中。
[0021]采用本发明的粘合带剥离方法和粘合带剥离装置，能够高精度地检测在背面研削后的半导体晶圆产生的裂纹。
【附图说明】
[0022]图1是半导体晶圆的局部剖切立体图。
[0023]图2是半导体晶圆的背面侧的立体图。
[0024]图3是半导体晶圆的局部纵剖视图。
[0025]图4是保护带剥离装置的主视图。
[0026]图5是表示保护带剥离装置的主要部分的概略结构的俯视图。
[0027]图6是保持台的纵剖视图。
[0028]图7是表示保护带的剥离动作的图。
[0029]图8是表示保护带的剥离动作的图。
[0030]图9是表示保护带的剥离动作的图。
[0031]图10是表示保护带的剥离动作的图。
【具体实施方式】
[0032]以下，参照【附图说明】本发明的一实施例。另外，在本实施例中，作为粘合带剥离装置，以保护带剥离装置为例进行说明。另外，本实施例例示从利用环状凸部在背面外周形成有加强部的半导体晶圆(以下，适当称为“晶圆”)剥离保护带的情况。
[0033]晶圆
[0034]如图1?图3所示，在晶圆W的形成有图案的表面粘贴保护带PT，在表面被保护的状态下对晶圆W进行了背磨处理。除了外周部的径向上的大约2mm以外，对晶圆W的背面进行研削(背磨)。即，使用加工为以下形状的晶圆W:在背面形成扁平凹部b，并且，沿着扁平凹部b的外周残存有环状凸部r。例如，加工为，扁平凹部b的深度d为几百μπι，研削区域的晶圆厚度t为几十μπι。因此，在背面外周形成的环状凸部r作为提高晶圆W的刚性的环状肋发挥作用，抑制操作、其他的处理工序中的晶圆W的挠曲变形。
[0035]保护带剥离装置
[0036]图4涉及本发明的一实施例，是表示保护带剥离装置的整体结构的主视图，图5是表示保护带剥离装置的主要部分的概略结构的俯视图，图6是表示保持台的概略结构的纵截面。另外，本实施例的保护带剥离装置相当于本发明的粘合带剥离装置。
[0037]如图4所示，保护带剥离装置由保持台1、带供给部2、剥离机构3以及带回收部4构成。
[0038]如图4?图6所示，在保持台1上设有凹部5，该凹部5形成为与晶圆W的背面的研削区域的直径相近的直径。在该凹部5的外周部的环状凸部6的表面上形成有对晶圆W的环状凸部r起作用的多个吸附槽7。该吸附槽7与外部的真空源8连通并连接。
[0039]另外，形成有用于对由晶圆W的扁平凹部b和保持台1的凹部5形成的空间9进行加压的多个空气供给孔10。该空气供给孔10经由流路11与设置于外部的空气供给装置12连通并连接。另外，在流路11上具有用于检测空间9的压力变化的压力计13。并且，在环状凸部6的侧壁设有将空间9和外部连通的压力控制用的针形阀。另外，空气供给装置12相当于本发明的加压器，压力计13相当于本发明的检测器。
[0040]另外，如图4所示，保持台1支承于可动台15，该可动台15以能够沿着前后水平地配置的左右一对轨道14前后滑动的方式支承于该左右一对轨道14。丝杠17对可动台15进行丝杠进给驱动，由脉冲马达16对该丝杠17进行正反驱动。
[0041]带供给部2将从原料卷导出的剥离带Ts引导至后述的剥离单元20。
[0042]剥离机构3具有剥离单元20。跨着竖立设置于装置基台的左右一对纵框21固定有由拉拔铝材构成的支承框22。该支承框