用于嵌入式半导体器件封装的电气互连结构及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例大体涉及嵌入式半导体器件封装或电子封装，且更具体而言，涉及包括电气互连结构或功能网膜(web)组件的半导体器件封装，该电气互连结构或功能网膜组件形成对裸片(die)和电子封装内的其他电气构件的I/O连接，同时与包括印刷电路板(PCB)的现有技术器件相比降低了电子封装的整体厚度。
【背景技术】
[0002]由于半导体器件封装已变得越来越小且致使更好的操作性能，故封装技术已经对应地有导线封装演变成基于层压的球栅阵列(BGA)封装、演变成芯片级封装(CSP)、然后演变成倒装封装，并且现在为埋入裸片/嵌入芯片装配封装。在半导体芯片封装技术上的前进是由实现更好的性能、更强的小型化、和更高的可靠性的日益提高的需求驱动的。新封装技术必须还提供批量生产的可能性，以用于大规模制造，从而允许规模经济同时解决小型化的需求。
[0003]现有的制造技术的难题是包括不同类型的独立封装的半导体裸片或功率器件的电子封装的小型化。独立封装的装置通常安装在多层印刷电路板(PCB)上，这对整体电子封装增加了相当大的厚度。
[0004]由此，存在对制造嵌入式电子封装的方法的需要，该嵌入式电子封装提供了具有增加的互连数和密度的双侧I/o系统，同时降低了电子封装的整体厚度。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例通过提供一种用于嵌入式半导体器件封装的装配工序来克服前述缺点，该装配工序开始于功能网膜组件的制造，该功能网膜组件用于如下两个目的:对电子封装增加刚性和增加用于对封装内构件的顶和底表面的I/O连接的电气传送层。
[0006]根据本发明的一方面，电子封装包括:第一介电基底，其具有穿过其厚度形成的第一多个通孔；金属化接触层，其联接至第一介电基底的顶表面；和第一裸片，其定位在穿过第一介电基底的厚度形成的第一裸片开口内。第一多个金属化互连件形成在第一介电基底的底表面上且延伸穿过第一多个通孔，以接触金属化接触层的至少一部分。第二介电基底的顶表面联接至第一介电基底的底表面，第二介电基底具有穿过其厚度形成的第二多个通孔。第二多个金属化互连件形成在第二介电基底的底表面上且延伸穿过第二多个通孔，以接触第一多个金属化互连件和第一裸片的接触焊盘。第一传导性元件将第一裸片电联接至金属化接触层。
[0007]根据本发明的另一方面，制造电子封装的方法包括提供第一介电层、在第一介电层的第一表面上形成金属化接触层、和在第一介电层的与第一表面相反的第二表面上形成第一多个金属化通孔。第一多个金属化通孔延伸穿过第一介电层的厚度，以接触多个金属化接触层的至少一部分。该方法还包括:形成穿过第一介电层的厚度的第一电气构件开口、将第二介电层联接至第一介电层的第二表面、和将第一电气构件定位在第一电气构件开口内。第二多个金属化通孔形成于第二介电层的底表面上，第二多个金属化通孔延伸穿过第二介电层的厚度，以将金属化接触层联接至第一电气构件。而且，该方法包括将第一传导性元件联接在第一电气构件与金属化接触层之间。
[0008]根据本发明的又一方面，电子封装包括功能网膜组件，该功能网膜组件具有联接至第一介电层的金属化接触层，其中，金属化接触层的底表面与第一介电层的顶表面基本上共面。功能网膜组件还包括:第一多个金属互连件，其配置在第一介电层的底表面上且延伸穿过在第一介电层中形成的通孔，以与金属化接触层电连接；第二介电层，其利用粘合剂联接至第一介电层；和第二多个金属互连件，其配置在第二介电层的底表面上且延伸穿过在第二介电层中形成的通孔，以与第一多个金属互连件的至少一部分电连接。第一裸片定位在穿过第一介电层形成的第一开口内，且具有联接至粘合剂和第一多个金属互连件中的至少一个金属互连件的第一表面。第一金属桥接件电连接金属化接触层的一部分和第一裸片的与第一表面相反的第二表面。
[0009]技术方案1: 一种电子封装，其包括:
第一介电基底，其具有穿过其厚度形成的第一多个通孔；
金属化接触层，其联接至所述第一介电基底的顶表面；
第一裸片，其定位在第一裸片开口内，所述第一裸片开口穿过所述第一介电基底的厚度形成；
第一多个金属化互连件，其形成在所述第一介电基底的底表面上且延伸穿过所述第一多个通孔，以接触所述金属化接触层的至少一部分；
第二介电基底，其具有联接至所述第一介电基底的底表面的顶表面，所述第二介电基底具有穿过其厚度形成的第二多个通孔；
第二多个金属化互连件，其形成在所述第二介电基底的底表面上且延伸穿过所述第二多个通孔，以接触所述第一多个金属化互连件和所述第一裸片的接触焊盘；和第一传导性元件，其将所述第一裸片电联接至所述金属化接触层。
[0010]技术方案2:根据技术方案1所述的电子封装，其特征在于，所述金属化接触层包括多个金属性接触焊盘和迹线。
[0011]技术方案3:根据技术方案2所述的电子封装，其特征在于，所述第一传导性元件将所述第一裸片电联接至所述金属化接触层的金属性接触焊盘。
[0012]技术方案4:根据技术方案1所述的电子封装，其特征在于，还包括:
第二裸片，其定位在第二裸片开口内，所述第二裸片开口穿过所述第一介电基底的厚度形成；和
第二传导性元件，其将所述第二裸片电联接至所述金属化接触层。
[0013]技术方案5:根据技术方案4所述的电子封装，其特征在于，所述第二裸片具有比所述第一裸片的厚度大的厚度。
[0014]技术方案6:根据技术方案5所述的电子封装，其特征在于，所述第二传导性元件包括联接至所述金属化接触层的第一部分和联接至所述第二裸片的第二部分；且
其中，所述第一部分具有比所述第二部分的厚度大的厚度。
[0015]技术方案7:根据技术方案4所述的电子封装，其特征在于，所述第二裸片具有基本上等于所述第一裸片的厚度的厚度。
[0016]技术方案8:根据技术方案1所述的电子封装，其特征在于，所述第一介电基底的厚度基本上等于所述第一裸片的厚度。
[0017]技术方案9:根据技术方案1所述的电子封装，其特征在于，还包括联接至所述金属化接触层的一对金属性接触焊盘的构件。
[0018]技术方案10:—种制造电子封装的方法，所述方法包括:
提供第一介电层；
在所述第一介电层的第一表面上形成金属化接触层；
在所述第一介电层的与所述第一表面相反的第二表面上形成第一多个金属化通孔，所述第一多个金属化通孔延伸穿过所述第一介电层的厚度，以接触所述多个金属化接触层的至少一部分；
穿过所述第一介电层的厚度形成第一电气构件开口；
将第二介电层联接至所述第一介电层的第二表面；
将第一电气构件定位在所述第一电气构件开口内；
在所述第二介电层的底表面上形成第二多个金属化通孔，所述第二多个金属化通孔延伸穿过所述第二介电层的厚度，以将所述金属化接触层联接至所述第一电气构件；和将第一传导性元件联接在所述第一电气构件与所述金属化接触层之间。
[0019]技术方案11:根据技术方案10所述的方法，其特征在于，还包括将所述第一电气构件联接至所述金属化接触层的金属性接触焊盘。
[0020]技术方案12:根据技术方案10所述的方法，其特征在于，还包括:
穿过所述第一介电层的厚度形成第二电气构件开口；
将第二电气构件定位在所述第二电气构件开口内；和将第二传导性元件联接在所述第二电气构件与所述金属化接触层之间。
[0021]技术方案13:根据技术方案12所述的方法，其特征在于，还包括:
将所述第一传导性元件的第一表面联接至所述第一电气构件；
将所述第一传导性元件的第二表面联接至所述第一金属性接触焊盘；且其中，所述第一传导性元件的第一和第二表面不共面。
[0022]技术方案14:根