Tft阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种TFT阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速的发展。在液晶面板工业中，随着目前显示行业中大尺寸化，高解析度的需求越来越强烈，对有源层半导体器件充放电提出了更高的要求。
[0003]IGZO (indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，其具有高迀移率，载流子迀移率是非晶硅的20?30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，具有高开态电流、低关态电流可以迅速开关，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在TFT-1XD中成为可能。另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，IGZ0显示器具有更高的能效水平，而且效率更高。因而，IGZ0材料能有效满足以上需求。
[0004]但目前的IGZ0-TFT技术仍然采用传统的TFT制造工艺，为了保护IGZ0，使得在后续的刻蚀中不会造成对IGZ0特性的影响，需要形成一层蚀刻阻挡层ES (Etching Stop)来保护IGZ0层，在目前常用的IGZ0结构中，ES结构器件因有保护层的存在，其电性的稳定性往往较其他结构更好，但由于增加一道光罩，制备成本会明显增加。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种TFT阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置，能够解决现有技术存在的所需光罩数量多导致成本增加的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种TFT阵列基板的制备方法，该制备方法包括以下步骤:通过构图工艺在衬底上形成栅极；在形成所述栅极的衬底之上沉积栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层之上沉积IGZ0层；通过构图工艺在所述IGZ0层上形成蚀刻阻挡层；通过构图工艺在所述蚀刻阻挡层上形成源、漏极图案层，所述源漏极图案层与所述IGZ0层连接，源极和漏极之间的位置对应的所述IGZ0层为沟道区；通过构图工艺在所述源、漏极图案层之上以及所述沟道区对应的位置处形成钝化层；通过构图工艺将IGZ0层图案化以保留所述沟道区和所述源、漏极图案层对应的IGZ0层以形成IGZ0图案层，本步骤与形成所述源、漏极图案层的步骤采用的是同一道光罩。
[0007]其中，通过构图工艺将IGZ0层图案化以保留所述沟道区和所述源、漏极图案层对应的IGZ0层以形成IGZ0图案层的步骤之后包括:通过构图工艺在所述钝化层之上形成像素电极，所述像素电极与所述源、漏极图案层连接。
[0008]其中，通过构图工艺在衬底上形成栅极的步骤包括:在衬底上沉积第一金属层；在所述第一金属层上涂布光阻层并采用第一光罩根据预设图案进行曝光；蚀刻去除所述预设图案以外的所述第一金属层，以形成预设图案的栅极；剥离剩余的光阻层。
[0009]其中，通过构图工艺在所述IGZ0层上形成蚀刻阻挡层的步骤包括:在所述IGZ0层上沉积蚀刻阻挡材料；在所述蚀刻阻挡材料上涂布光阻层并采用第二光罩根据预设图案进行曝光；蚀刻去除所述预设图案以外的所述蚀刻阻挡材料，以在蚀刻阻挡材料上形成第一过孔，以使所述源、漏极图案层贯穿所述第一过孔而与所述IGZ0层连接；剥离剩余的光阻层。
[0010]其中，通过构图工艺在所述蚀刻阻挡层上形成源、漏极图案层的步骤包括:在所述蚀刻阻挡层上沉积第二金属层；在所述第二金属层上涂布光阻层并采用第三光罩根据预设图案进行曝光；蚀刻去除所述预设图案以外的所述金属，以形成源、漏极图案层；剥离剩余的光阻层。
[0011]其中，通过构图工艺在所述源、漏极图案层之上以及所述沟道区对应的位置处形成钝化层的步骤包括:在所述源、漏极图案层之上沉积钝化材料；在所述钝化材料上涂布光阻层并采用第四光罩根据预设图案进行曝光；蚀刻去除所述预设图案以外的所述金属，以形成钝化层，所述钝化层覆盖所述源、漏极图案层以及与所述沟道区对应的蚀刻阻挡层，且在所述钝化层上形成第二过孔，以使所述像素电极贯穿所述第二过孔与所述源、漏极图案层连接；剥离剩余的光阻层。
[0012]其中，通过构图工艺将IGZ0层图案化以保留所述沟道区和所述源、漏极图案层对应的IGZ0层以形成IGZ0图案层的步骤包括:在所述钝化层和未被所述钝化层遮挡的蚀刻阻挡层之上涂布光阻层并采用第三光罩根据预设图案进行曝光；干刻去除与所述沟道区的位置对应的钝化层，同时干刻去除未被所述钝化层遮挡的蚀刻阻挡层，以使未被所述钝化层遮挡的蚀刻阻挡层对应的所述IGZ0层暴露出来；湿刻去除所述暴露出来的IGZ0层；剥离剩余的光阻层。
[0013]其中，通过构图工艺在所述钝化层之上形成像素电极，所述像素电极与所述源、漏极图案层连接的步骤包括:在所述钝化层之上沉积透明导电材料；在所述透明导电材料之上涂布光阻层并采用第五光罩根据预设图案进行曝光；蚀刻去除所述预设图案以外的所述透明导电材料；剥离剩余的光阻层。
[0014]为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是:提供一种阵列基板，该阵列基板包括:衬底和在所述衬底上依次形成的栅极、栅极绝缘层、IGZ0图案层、蚀刻阻挡层以及源、漏极图案层和钝化层；其中，所述源、漏极图案层与所述IGZ0层连接，与源极和漏极之间的位置对应IGZ0层的部分为沟道区，所述IGZ0层的其余部分的形状与所述源、漏极图案层的形状相同。
[0015]为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是:提供一种显示装置，该显示装置包括上述阵列基板。
[0016]本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况，本发明通过在形成IGZ0层的时候不对IGZ0层进行图案化，因而在该步骤中节省了一道光罩，直至形成源、漏极图案层并在其上形成了钝化层之后，再将IGZ0层进行图案化，由于钝化层已经形成，因而在对IGZ0层进行图案化的时候，只干刻掉沟道区对应的钝化层，而沟道区对应的蚀刻阻挡层得以保留，因而保护了沟道区的IGZ0层。并且，在图案化IGZ0层时与源、漏极图案层形成时所使用的光罩为同一光罩，因而没有增加光罩的数量，因而本发明的TFT阵列基板的制备方法中减少了一道光罩的使用，降低了成本。
【附图说明】
[0017]图1是本发明TFT阵列基板的制备方法第一实施例的流程示意图；
[0018]图2是本发明TFT阵列基板的制备方法第二实施例的流程示意图；
[0019]图3是本发明TFT阵列基板的制备方法第二实施例的工艺流程图；
[0020]图4是图2中步骤S21的流程示意图；
[0021]图5是图2中步骤S24的流程示意图；
[0022]图6是图2中步骤S25的流程示意图；
[0023]图7是图2中步骤S26的流程示意图；
[0024]图8是图2中步骤S27的流程示意图；
[0025]图9是图2中步骤S28的流程示意图；
[0026]图10是本发明一种阵列基本实施例的结构示意图；
[0027]图11是本发明一种显示装置实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0028]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行详细说明。
[0029]请参阅图1，图1是本发明TFT阵列基板的制备方法第一实施例的流程示意图。
[0030]SI 1、通过构图工艺在衬底上形成栅极。
[0031]栅极由金属形成，例如钼、铜、铝及铝合金，或者铝层、钨层和铬层叠加后形成的金属化合物导电层。
[0032]S12、在形成栅极的衬底之上沉积栅极绝缘层。
[0033]栅极绝缘层通过CVD或者PECVD技术成膜而形成，该栅极绝缘层可以是一层，也可以是两层，一层可以是Si02、SiNx或者A10，第二层一般采用SiN x。
[0034]S13、在栅极绝缘层之上沉积IGZ0层。
[0035]IGZ0层作为TFT的有源层，本发明的IGZ0层完全覆盖在栅极绝缘层上，且，本发明中，在沉积了 IGZ0层之后，不需要立即对IGZ0层进行图案化，而是保留其形状。
[0036]S14、通过构图工艺在IGZ0层上形成蚀刻阻挡层。
[0037]蚀刻阻挡层通过CVD或者PECVD技术形成，蚀刻阻挡材料可以是Si02或者SiN x。蚀刻阻挡层覆盖在IGZ0层上，可以在后续形成源、漏极图案层的时候保护金属氧化物IGZ0层不被破坏。
[0038]S15、通过构图工艺在蚀刻阻挡层上形成源、漏极图案层，源漏极图案层与IGZ0层连接，源极和漏极之间的位置对应的IGZ0层为沟道区。
[0039]源、漏极图案层由金属形成，例如钼、铜、铝或者铬等金属。在每个TFT上形成一对相互隔开的源极和漏极，源极形成在栅极的一侧，漏极形成在栅极的另一侧。其中，一对源极和漏极之间的位置，即栅极所在的位置对应的IGZ0层为沟道区。
[0040]S16、通过构图工艺在源、漏极图案层之上