发光二极管封装体及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体元件，特别涉及一种发光二极管封装体及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 传统的发光二极管封装体包括一发光二极管晶粒、承载发光二极管晶粒的一基板 及包裹发光二极管晶粒并固定于基板上的透明封装层。在发光二极管晶粒通电发光的过程 中，其不断产生的热量受封装层的阻挡而大量聚集不能及时向外散发，如此，势必将影响发 光二极管封装体的稳定性。
【发明内容】
[0003] 有鉴于此，有必要提供一种发光二极管封装体及其的制造方法，使通过此种方法 制造的发光二极管封装体在工作时能够及时向外散热而具有稳定的性能。
[0004] -种发光二极管封装体的制造方法，包括如下步骤： a、提供L邸晶粒，并在所述L邸晶粒的上表面形成有间隔设置的导电块； K形成第一绝缘层于所述LED晶粒的上表面且所述第一绝缘层包裹所述导电块于其 内； C、蚀刻第一绝缘层的顶端直至露出导电块，从而使第一绝缘层顶端形成对应导电块的 第二通孔； t形成基板于所述第一绝缘层远离LED晶粒的上表面并填充所述第一绝缘层的第二 通孔而直接与导电块接触，所述基板由高导热材料制成； e、 分割所述基板成二绝缘的散热块； f、 形成包覆所述L邸晶粒的封装层于所述基板的底面。
[0005] -种发光二极管封装体，包括；LED晶粒、形成于LED晶粒一侧表面且相互绝缘的 导电块、相互绝缘且分别直接与导电块接触的散热块及形成在LED晶粒相对的另一侧表面 并将所述L邸晶粒包裹在内的封装层。
[0006] 本发明中，因由高导热材料形成的基板位于封装层外且直接与导电块接触，如此 其能够不受封装层的制约而直接、快速的向外散发LED晶粒的热量因此，通过如此方法制 成的发光二极管封装体因能够快速散发热量而具有稳定的性能。
【附图说明】
[0007] 图1至图12是本发明发光二极管封装体制造过程的示意图。
[0008]图13为本发明发光二极管封装体的剖视图。
[0009] 主要元件符号说明
如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本发明。
【具体实施方式】
[0010] 本发明的发光二极管封装体的制造方法包括如下步骤： 步骤a,提供L邸晶粒10,并在所述L邸晶粒10的上表面形成有间隔设置的导电块20。
[0011] 具体步骤如下，其中： 请参阅图1，提供一LED晶粒10,并在所述LED晶粒10的上表面涂覆一层光阻材料而 形成一第一光阻层11。本实施例中，所述LED晶粒10为UVLED晶粒。
[0012] 请参阅图2,利用黄光微影蚀刻第一光阻层11的相对两端直至裸露出L邸晶粒10 的上表面，从而在第一光阻层11上形成间隔的二第一通孔13。
[0013] 请参阅图3,利用电锥或瓣锥的方式在第一光阻层11上形成一导电金属层15,所 述导电金属层15具有填满第一通孔13的二导电块20。
[0014] 请参阅图4,剥离所述第一光阻层11及除导电块20外的导电金属层15而使导电 块20位于L邸晶粒10的上表面。其中，利用有机溶剂浸泡所述L邸晶粒10上的第一光阻 层11及导电金属层15,直至所述第一光阻层11及除导电块20外的导电金属层15自LED 晶粒10分离。所述导电块20的材料为媒、紫铜、黄铜、青铜、无氧铜或其复合金属。
[0015] 步骤b，形成一第一绝缘层30于所述LED晶粒10的上表面且所述第一绝缘层30 包裹所述导电块20于其内。
[0016] 请参阅图5,本实施例中，通过沉积的方式在L邸晶粒10的上表面形成所述第一绝 缘层30。所述第一绝缘层30的材料可选自二氧化娃、氮化娃、氧化铅、氮化铅或其他碳氧化 合物。第一绝缘层30的厚度小于20微米从而使其具有良好的热传导。第一绝缘层30的 外周缘与所述LED晶粒10的外周缘共面。
[0017] 步骤C，蚀刻第一绝缘层30的顶端直至露出二导电块20。
[0018] 请参阅图6至图7,本实施例中，先在第一绝缘层30远离L邸的上表面上涂布形成 一第二光阻层31，并通过黄光微影蚀刻的方式自上而下去除部分第二光阻层31直至第二 光阻层31上形成通孔而裸露出第一绝缘层30 ;然后沿第二光阻层31的通孔方向采用干蚀 刻的方式蚀刻第一绝缘层30的顶端直至裸露出导电块20从而在第一绝缘层30的顶端形 成间隔的第二通孔33,然后通过光阻去除剂去除剩余的第二光阻层31。所述第二通孔33 分别与二导电块20正对设置，且第二通孔33的宽度与导电块20的宽度相等。
[0019] 步骤d，形成基板40于所述第一绝缘层30远离LED晶粒10的上表面并填充所述 第一绝缘层30的第二通孔33而直接与导电块20接触，所述基板40由高导热材料制成。
[0020] 请参阅图8,所述基板40通过电锥的方式形成。所述基板40由媒、铜、铜媒合金 构成且基板40的厚度小于50微米。所述第一绝缘层30的顶端收容在所述基板40的底端。 所述基板40的宽度较LED晶粒10的宽度大，所述LED晶粒10位于所述基板40的下方中 部。
[0021] 步骤e，分割所述基板40成二绝缘的散热块41，从而避免L邸晶粒10短路。具体 步骤如下： 请参阅图9,在所述基板40远离L邸晶粒10的一侧表面涂覆形成一第H光阻层43,并 利用黄光微影蚀刻第H光阻层43中部直至裸露出基板40的上表面而在第H光阻层43中 部形成一第一通道45。
[0022] 请参阅图10,沿第一通道45的高度方向自上而下蚀刻基板40,直至裸露出第一绝 缘层30,然后通过光阻去除剂去除剩余的第H光阻层43。此时，基板40内形成有自上而下 的第二通道47。所述第二通道47将所述基板40分割成对称设置的二散热块41。
[0023] 请参阅图11及图12,为确保二散热块41相