一种有机发光二极管结构的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种面板显示技术，尤其设及一种有机发光二极管结构。
【背景技术】
[0002] 近年来，显示器技术作为人机联系和信息展示的窗口已应用于军事、工业、交通、 通讯、教育、航空航天、卫星遥感、娱乐及医疗等各个领域。在信息社会飞速发展的今天，信 息数字化对显示器提出了更高、更多的要求。显液晶示器的大屏幕、高清晰度、轻便小巧、价 格低廉及平板化已成为人们追求的新目标。显示器成为电子工业及微电子和计算机之后的 又一发展热点，并孕育着巨大的市场。20世纪80年代开始得到广泛使用的液晶显示器虽然 取得了令人瞩目的成果。但是液晶体本身不能发光，依赖背光源或环境光才能显示图像，存 在视角小、响应速度慢（毫秒级）、不能在低溫下使用等缺点。因此，人们试图寻找一种能够 替代液晶物质的新型发光材料，有机发光二极管的rganicLi曲t血ittingDiode,OLED) 技术应运而生。
[0003] OLED显不器与薄膜晶体管液晶显不器（ThinFilmTransistorLiquidCrystal Display,TFT-LCD)是不同类型的产品。OLED显示器具有自发光性、广视角、高对比、低耗 电、高反应速率、全彩化、制程简单等优点。依驱动方式的不同，OL邸显示器可分为被动式 (PassiveMatrix，PM0LED)与主动式（ActiveMatrix，AM0LED)。有机发光器件的基本结构 属于夹层式结构，即，具有半导体性质的有机薄膜被两侧的电极（即，阴极和阳极）像=明 治一样夹在中间，并且至少一侧为透明电极W获得面发光。
[0004] 在现有技术中，AMOL邸面板主要有两种排列方式，一种是W红光、绿光及蓝光不断 重复排列的方式（亦称为Stripe排列），目前W金属屏蔽模式发展最高可达257ppi(pixel perinch)。另一种是W红光、绿光W及绿光、蓝光两种不同组合的子像素交错排列（亦称 为化]11:;[16排列）。目前^金属屏蔽模式发展最高可达51899；[。然而，^?6]11:;[16排列技 术使用金属屏蔽蒸锻技术需要用到7次精细金属屏蔽（FineMetalMask,FMM)，虽具有良好 的面板影像，但是成本较为昂贵。另外，虽然可采用共发光层技术来降低精细金属屏蔽的次 数，降低成本，但是现有的绿色发光层技术皆W电子（electro)及空穴化ole)形式的主发 光体相互渗杂，当此种组件运用在共发光层时，会使其它颜色的光组件无法得到良好的电 子注入效果，造成效率低下W及组件驱动电压升高。 阳0化]有鉴于此，如何设计一种新的有机发光二极管结构，W改善基于共发光层技术所 引起的效率低下及驱动电压升高等问题，从而解决现有技术中的上述缺陷或不足，是业内 相关技术人员亟待解决的一项课题。
【发明内容】
[0006] 针对现有技术中的有机发光二极管结构基于共发光层技术所引起的效率低下及 驱动电压升高等诸多缺陷，本发明提供了一种新的有机发光二极管结构。
[0007] 依据本发明的一个方面，提供了一种有机发光二极管结构，包括： 阳OO引一阴极；
[0009] 一电子传输层巧IectroTransportationLayer, 6化），位于所述阴极的下方；
[0010] -复合式绿色发光层（血issionLayer,EML)，包括一第一发光体和一第二发光 体，所述复合式绿色发光层位于所述电子传输层的下方，用W出射绿色光线；
[0011] 一蓝色发光层和一红色发光层，位于所述复合式绿色发光层的下方，用W分别出 射蓝色光线和红色光线；
[0012] 一空穴注入层（HoleInjectionLayer,HIL) / 空穴传输层（HoleTransportation Layer,HTL)，位于所述蓝色发光层的下方； 柳1引W及
[0014] 一阳极，位于所述空穴注入层的下方，
[0015] 其中，所述第一发光体和所述第二发光体均为电子传输材料，且具有不同的电子 迁移率（mobility)。
[0016] 在其中的一实施例，所述第一发光体的电子迁移率大于10 4cm2/V?S，所述第二发 光体的电子迁移率小于104Cm2A?S。
[0017] 在其中的一实施例，所述第一发光体的电子迁移率小于10 4Cm2A?S，所述第二发 光体的电子迁移率大于104Cm2A?S。
[0018] 在其中的一实施例，所述第一发光体和所述第二发光体各自的最低未占据分子轨 域（XowestUnoccupiedMolecularOrbital,LUMO)等于蓝色发光层的最低未占据分子轨 域。
[0019] 在其中的一实施例，所述第一发光体和所述第二发光体各自的最低未占据分子轨 域（XowestUnoccupiedMolecularOrbital,LUMO)高于蓝色发光层的最低未占据分子轨 域。
[0020] 在其中的一实施例，所述绿色发光层为憐光发光材质，W及所述蓝色发光层为巧 光发光材质。
[0021] 在其中的一实施例，所述有机发光二极管结构采用4次精细金属遮罩（FineMetal Mask,FMM)制作而成。
[0022] 在其中的一实施例，所述蓝色发光层的主体材料为DPVBi，所述绿色发光层的主体 材料为BAlq与PG册6混合堆叠而成。
[0023] 在其中的一实施例，有机发光二极管结构适用于一主动矩阵有机发光二极管 (ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode,AMOLED)面板。
[0024] 采用本发明的有机发光二极管结构，其依次包括阴极、电子传输层、复合式绿色发 光层、蓝色发光层和红色发光层、空穴注入层/空穴传输层和阳极，电子传输层位于阴极的 下方，复合式绿色发光层包括第一发光体和第二发光体，用来出射绿色光线，蓝色发光层和 红色发光层位于复合式绿色发光层的下方，分别出射蓝色光线和红色光线，空穴注入层/ 空穴传输层位于蓝色发光层的下方，阳极位于空穴注入层的下方。第一发光体和第二发光 体均为电子传输材料且具有不同的电子迁移率。相比于现有技术，本发明在绿光共发光层 (greencommonemissionlayer)结构使用电子与电子类型的主发光体搭配，并且两种绿 光主发光体的LUMO等于或高于蓝光主发光体的LUM0,如此一来，本发明可达到高传输效果 给予其它光色元件良好的电子注入，并且保持绿光发光元件的使用寿命。
【附图说明】
[0025]读者在参照附图阅读了本发明的【具体实施方式】W后，将会更清楚地了解本发明的 各个方面。其中，
[00%] 图1示出依据本发明的一实施方式的有机发光二极管结构示意图；
[0027] 图2A示出现有技术中的一种有机发光二极管的结构示意图；
[0028] 图2B示出现有技术中的一种有机发光二极管的结构示意图；
[0029] 图2C示出现有技术中的一种有机发光二极管的结构示意图；W及
[0030] 图2D示出图1的有机发光二极管结构的一示意性实施例。
【具体实施方式】
[0031] 为了使本申请所掲示的技术内容更加详尽与完备，可参照附图W及本发明的下述 各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员 应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本发明所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于 示意性地加W说明，并未依照其原尺寸进行绘制。
[0032] 下面参照附图，对本发明各个方面的【具体实施方式】作进一步的详细描述。
[0033] 如前文部分所述，有机发光二极管（OLED)是由薄而透明且具有半导体特性的氧 化铜锡（ITO)与阳极相连，再加上另一个金属阴极包成类似于=明治的结构。整个结构层 一般包括空穴传输层化oleI'ransportationLayer,HTL)、空穴注入层（HoleInjection Layer，HIL)、发光层（EmissionLayer，EL)、电子注入层（ElectroInjectionLayer，EIL) 和电子传输层巧16(3付0化曰]13口01'1曰1：；[0]11曰761'，6化）。当施加适当的电压时，阳极空穴与 阴极电荷就会在发光层中结合而产生光亮，依其配方不同产生红色、绿色和蓝色的RGB= 原色，构成基本色彩。OL邸的特性是自己发光，不像薄膜晶体管液晶显示器需要背光，因此 可视度和亮度均高，其次是电压需求低且省电效率高，加上反应快、重量轻、厚度薄，构造简 单，成本低。
[0034] 有机发光二极管的发光原理和无机发光二极管相似。当元件受到直流电所衍生 的顺向偏压时，将驱动电子巧Iectron)与空穴化ole)分别由阴极与阳极注入元件，当两 者在传导中相遇、结合，即形成所谓的电子-空穴复合巧Iectron-HoleCap化re)。当化 学分子受到外来能量激发后，若电子自旋巧IectronSpin)和基态电子成对，则为单重态 (Singlet),其所释放的光为巧光（Fluorescence);若激发态电子和基态电子自旋不成对 且平行，则称为S重态（Triplet),其所释放的光为憐光（Phosphorescence