X射线图像传感器用基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及基于来自X射线所入射的X射线转换膜的电荷信号来显示X射线所透射过的被拍摄体的图像的X射线图像传感器用基板。
【背景技术】
[0002]—般地X射线摄影装置具备X射线图像传感器，由X射线发生器从多个方向对人体等被拍摄体照射X射线，用X射线图像传感器测定透射过被拍摄体的X射线的强度分布(即被拍摄体的投影)。
[0003]作为该X射线图像传感器，例如公开了如下X射线图像传感器:具备:薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下也称为“TFT” )，其构成在透明基板上;第1保护绝缘膜，其包含并覆盖TFT;电容电极，其设于第1保护绝缘膜上，以其一部分至少遮挡TFT的方式构成;第2保护绝缘膜，其以覆盖形成于第1保护绝缘膜上的电容电极的方式构成；以及像素电极，其以与TFT的一个端子相连的方式构成在第2保护绝缘膜上。并且，上述X射线图像传感器为如下构成:通过对转换膜照射X射线而产生的电荷存储于存储电容，存储电容由电容电极、第2保护绝缘膜以及像素电极构成(例如参照专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:特开2004 — 87604号公报
【发明内容】
[0007]发明要解决的问题
[0008]在此，如果使X射线图像传感器实现高精细化(即缩小像素的间距)，则构成存储电容的电极的面积变小，因此存储电容变小。
[0009]另外，数据信号线(以下称为“源极线”。)连接着多个TFT，因此来自多个TFT的漏电电流成为噪声。
[0010]因而，如上所述，存在如下问题:当存储电容变小时，该存储电容被由TFT的漏电电流造成的噪声淹没，无法判断由X射线的强弱导致的电荷转换差。
[0011]另外，为了增大存储电容，虽然考虑增大构成存储电容的电极的面积或者较薄地形成绝缘膜而缩窄构成存储电容的电极间的间隙，但是在实现了高精细化的X射线图像传感器中不易增大电极的面积，另外，如果使绝缘膜变薄，则会影响TFT的特性或成品率(耐压)，因此不易使构成存储电容的绝缘膜变薄。
[0012]因此，本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供即使在实现了高精细化的情况下也能用简单的构成来增加存储电容的X射线图像传感器用基板。
[0013]用于解决问题的方案
[0014]为了达到上述目的，本发明的第一X射线图像传感器用基板的特征在于，具备:绝缘基板;栅极电极和辅助电容电极，其设于绝缘基板上;栅极绝缘膜，其以覆盖栅极电极和辅助电容电极的方式设于绝缘基板上;半导体层，其以与栅极电极重叠的方式设于栅极绝缘膜上；漏极电极，其设于栅极绝缘膜上和半导体层上;钝化膜，其以覆盖半导体层和漏极电极的方式设于栅极绝缘膜上;平坦化膜，其设于钝化膜上；电容电极，其设于平坦化膜上；层间绝缘膜，其以覆盖电容电极的方式设于平坦化膜上；以及像素电极，其形成于层间绝缘膜上，经由形成于钝化膜、平坦化膜以及层间绝缘膜的接触孔而与漏极电极电连接。
[0015]本发明的第二X射线图像传感器用基板的特征在于，具备:绝缘基板;栅极电极和辅助电容电极，其设于绝缘基板上;栅极绝缘膜，其以覆盖栅极电极和辅助电容电极的方式设于绝缘基板上;半导体层，其以与栅极电极重叠的方式设于栅极绝缘膜上;漏极电极，其设于栅极绝缘膜上和半导体层上;钝化膜，其以覆盖半导体层和漏极电极的方式设于栅极绝缘膜上；以及电容电极，其设于钝化膜上。
[0016]本发明的第三X射线图像传感器用基板的特征在于，具备:绝缘基板;栅极电极和辅助电容电极，其设于绝缘基板上;栅极绝缘膜，其以覆盖栅极电极和辅助电容电极的方式设于绝缘基板上;半导体层，其以与栅极电极重叠的方式设于栅极绝缘膜上;漏极电极，其设于栅极绝缘膜上和半导体层上;钝化膜，其以覆盖半导体层和漏极电极的方式设于栅极绝缘膜上；电容电极，其设于钝化膜上;层间绝缘膜，其以覆盖电容电极的方式设于钝化膜上；以及像素电极，其形成于层间绝缘膜上，经由形成于钝化膜和层间绝缘膜的接触孔而与漏极电极电连接。
[0017]发明效果
[0018]根据本发明，能可靠地确保存储电容，因此能可靠地判断由X射线的强弱导致的电荷转换差，在实现了高精细化的X射线图像传感器中能得到高分辨率的图像。
【附图说明】
[0019]图1是本发明的第1实施方式的X射线图像传感器的截面图。
[0020]图2是用截面表示本发明的第1实施方式的X射线图像传感器的制造工序的说明图。
[0021]图3是用截面表示本发明的第1实施方式的X射线图像传感器的制造工序的说明图。
[0022]图4是本发明的第2实施方式的X射线图像传感器的截面图。
[0023]图5是用截面表示本发明的第2实施方式的X射线图像传感器的制造工序的说明图。
[0024]图6是本发明的第3实施方式的X射线图像传感器的截面图。
[0025]图7是用截面表示本发明的第3实施方式的X射线图像传感器的制造工序的说明图。
[0026]图8是本发明的第4实施方式的X射线图像传感器的截面图。
[0027]图9是用截面表示本发明的第4实施方式的X射线图像传感器的制造工序的说明图。
[0028]图10是用截面表示本发明的第4实施方式的X射线图像传感器的制造工序的说明图。
[0029]图11是表示本发明的变形例的光传感器的截面图。
【具体实施方式】
[0030]以下一边参照附图一边详细地说明本发明的实施方式。此外，本发明不限于以下的实施方式。
[0031](第!实施方式)
[0032]图1是本发明的第1实施方式的X射线图像传感器的截面图。
[0033]如图1所示，X射线图像传感器1具备:薄膜晶体管基板2，其具备薄膜晶体管5;相对基板3，其与薄膜晶体管基板2相对地配置，具备转换膜25;以及导电性树脂部件15，其设于薄膜晶体管基板2和相对基板3之间。
[0034]薄膜晶体管5具备:玻璃基板等绝缘基板4;栅极电极6和辅助电容电极7，其设于绝缘基板4上;栅极绝缘膜8，其以覆盖栅极电极6和辅助电容电极7的方式设于绝缘基板上;氧化物半导体层9，其具有沟道区域，上述沟道区域以与栅极电极6重叠的方式按岛状设于极绝缘膜8上；以及源极电极10和漏极电极11，其以与栅极电极6重叠并且隔着沟道区域相互面对的方式设于氧化物半导体层9上。
[0035]另外，薄膜晶体管基板2是用于X射线图像传感器1的基板，具备:钝化膜12，其以覆盖上述薄膜晶体管5(即氧化物半导体层9、源极电极10以及漏极电极11)的方式设于栅极绝缘膜8上;平坦化膜13，其设于钝化膜12上；电容电极14，其设于平坦化膜13上;层间绝缘膜16，其以覆盖电容电极14的方式设于平坦化膜13上；以及像素电极17，其以矩阵状设于层间绝缘膜16上，连接到薄膜晶体管5。
[0036]另外，如图1所示，在钝化膜12、平坦化膜13以及层间绝缘膜16中形成有接触孔18，接触孔18的一部分与漏极电极11接触。并且，在接触孔18中，像素电极17与漏极电极11接触，由此使像素电极17与漏极电极11电连接。
[0037]S卩，漏极电极11成为经由形成于钝化膜12、平坦化膜13以及层间绝缘膜16的接触孔18连接到像素电极17的构成。
[0038]另外，如图1所示，X射线图像传感器1具备多个间隔物19，多个间隔物19用于进行限制以使单元间隙变得均匀。
[0039]另外，间隔物19例如包括丙烯酸系的感光性树脂材料，通过光刻法形成。
[0040]栅极电极6和辅助电容电极7例如由第1导电膜、第2导电膜以及第3导电膜的层叠膜构成，第1导电膜设于绝缘基板4上，由钛等形成，第2导电膜设于第1导电膜上，由铝等形成，第3导电膜设于第2导电膜上，由钛等形成。此外，源极电极10和漏极电极11也由同样的层叠膜构成。
[0041]作为构成栅极绝缘膜8和钝化膜12的材料，可举出例如氧化硅(S1)、氮化硅(SiN)等。此外，也可以设为用氧化硅膜和氮化硅膜的2层层叠结构形成栅极绝缘膜8和钝化膜12的构成。
[0042]平坦化膜13具有使TFT5的形成膜面变得平坦的功能，该平坦化膜13由丙烯酸树脂等有机树脂材料或上述氧化娃、氮化娃等无机材料构成。此外，从TFT5的平坦性和减小在栅极总线与源极总线交叉的部位产生的电容的观点来看，优选平坦化膜13的厚度是0.5μπι以上，ΙΟμπι以下。
[0043]作为