去除深沟槽中残留光阻的方法及闪存的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种去除深沟槽中残留光阻的方法及闪存的制作方法。
【背景技术】
[0002]半导体技术随着摩尔定律的发展，特征尺寸持续减小，集成度不断增加。在闪存
0.12工艺中，由于集成电路设计图的复杂性，在制作过程中经常会遇到高深宽比率(HighAspect Rat1)的沟槽，该种沟槽的深度较深，而开口较窄，通常对光刻工艺具有极大的挑战。
[0003]请参考图1，图1为制作闪存时的结构示意图，在半导体衬底10上依次形成有缓冲氧化层11、浮栅层21 (Floating Gate, FG)、闪存介质层22、控制栅层23 (Control Gate,CG)、层间介质层40、侧墙30以及隔离层50，其中，层间介质层40设有沟槽，所述侧墙30形成在沟槽内的两侧，后续工艺需要将控制栅层23、闪存介质层22及浮栅层21依次刻蚀开，形成浮栅和控制栅。在刻蚀之前，通常需要涂覆光阻(图未示出)，再对光阻进行图案化处理，包括曝光和显影。然而由于沟槽的深宽比率较高，受限于光刻机台能力的限制，无法对位于沟槽底部角落处的光阻进行足够的曝光和显影，因此会在沟槽的底部角落存在残留光阻60。后续刻蚀工艺完成后，由于残留光阻60的存在，导致对浮栅层21的刻蚀并不完全，在后续形成源线70 (Source Line, SL)时,刻蚀不完全的浮栅层21会与源线70之间发生短路，如图2中的虚线框所示。
[0004]若浮栅与源线发生了短路，将会导致闪存的良率降低，也会引起其他器件性能的问题。因此，本领域技术人员急需考虑如何解决沟槽底部角落残留光阻对刻蚀造成影响的问题。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种去深除沟槽中残留光阻的方法及闪存的制作方法，能够去除在沟槽内底部的光阻，提高闪存的良率。
[0006]为了实现上述目标，本发明提出了一种深去除沟槽中残留光阻的方法，包括步骤:
[0007]提供基底，所述基底上形成有多个沟槽，所述沟槽内底部残留有光阻；
[0008]对残留在所述沟槽底部角落的光阻进行轻量灰化处理，去除残留在所述沟槽底部角落的光阻。
[0009]进一步的，在所述的去除沟槽中残留光阻的方法中，所述轻量灰化处理使用氧气，所述氧气的流量范围是2000sccm?8000sccm,所述氧气的压力范围是lOOOmTorr?5000mTorro
[0010]进一步的，在所述的去除沟槽中残留光阻的方法中，所述轻量灰化处理的温度范围是50°C?500°C，电源功率范围是200W?1000W，反应时间范围是5s?20s。
[0011]本发明还提出了一种闪存的制作方法，包括步骤:
[0012]提供基底，所述基底表面上依次形成有缓冲氧化层、浮栅层、闪存介质层、控制栅层、侧墙、隔离层及层间介质层，所述层间介质层设有暴露出所述控制栅层的沟槽，所述侧墙形成在所述沟槽内的两侧，所述隔离层形成在所述层间介质层和侧墙的内侧；
[0013]形成光阻，所述光阻形成在所述隔离层上和沟槽内，并对所述光阻进行图案化处理；
[0014]对残留在所述沟槽底部角落的光阻进行轻量灰化处理，去除残留在所述沟槽底部角落的光阻；
[0015]依次刻蚀所述控制栅层、层间介质层和浮栅层形成控制栅和浮栅；
[0016]形成源线，所述源线形成在所述沟槽内并与所述基底相连。
[0017]进一步的，在所述的闪存的制作方法中，所述轻量灰化处理使用氧气，所述氧气的流量范围是2000sccm?8000sccm,所述氧气的压力范围是lOOOmTorr?5000mTorr。
[0018]进一步的，在所述的闪存的制作方法中，所述轻量灰化处理的温度范围是50°C?500°C，电源功率范围是200W?1000W，反应时间范围是5s?20s。
[0019]与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在:使用轻量灰化处理工艺，将沟槽底部角落残留光阻灰化形成气体，从而去除沟槽底部角落的残留光阻，有利于后续工艺的顺利进行。
[0020]进一步的，在形成闪存时，采用轻量灰化处理工艺去除沟槽底部角落的残留光阻，能够使后续刻蚀工艺顺利进行，避免形成的浮栅层与后续形成的源线发生短路，从而提高了形成闪存的良率。
【附图说明】
[0021]图1和图2为制作闪存时的结构示意图；
[0022]图3为本发明一实施例中去除沟槽中残留光阻的方法的流程图；
[0023]图4至图6为本发明一实施例中闪存制作过程中的结构示意图。
【具体实施方式】
[0024]下面将结合示意图对本发明的去除深沟槽中残留光阻的方法及闪存的制作方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
[0025]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0026]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0027]请参考图3，在本实施例中，提出了一种深去除沟槽中残留光阻的方法，包括步骤:
[0028]S100:提供基底，所述基底上形成有多个沟槽，所述沟槽内底部残留有光阻；
[0029]S200:对残留在所述沟槽底部角落的光阻进行轻