一种除绕镀膜的方法
【技术领域】
[0001]本发明属于光伏设备制造技术领域，特别是涉及一种除绕镀膜的方法。
【背景技术】
[0002]光伏行业竞争激烈，为了增强企业竞争力，需要不断提高单个电池片的光电转换效率，从而提高整体组件的效率。其中，可以对制绒后的电池背面进行抛光，以降低背面对少数载流子的复合，从而提高少子寿命，达到提升效率的目的。为了在对电池背面进行抛光时，使电池片正面的绒面不受影响，需要对其进行镀膜(SiNx)保护。但是在镀膜过程中，常常出现绕镀现象，也就是说一部分膜绕到电池片的背面边缘，形成不必要的绕镀膜，这就使得抛光过程中，位于背面边缘的绕镀部分没有被抛光掉，形成新的界面，从而降低少子寿命，降低电池片的效率。
[0003]现在解决上述绕镀问题的方法，通常是将电池片浸泡在一定浓度氢氟酸溶液中，控制浸泡一定时间，由于绕镀膜和正面镀膜厚度不同，在不影响或较少影响正面镀膜前提下，除掉厚度较小的绕镀膜，但这种方法过程难以做到精准控制，不同的膜厚对去除的效果影响较大，还有一种除绕镀膜的设备是使硅片正面向上飘浮在溶液上，但是这种设备价格昂贵，成本过高。
【发明内容】
[0004]为解决上述问题，本发明提供了一种除绕镀膜的方法，能够在低成本的前提下，提高去除绕镀膜的效率，使背面抛光更均匀，同时不影响正面绒面，从而提高电池片效率。
[0005]本发明提供的一种除绕镀膜的方法，包括:
[0006]在硅片正面的氮化硅膜表面形成水膜；
[0007]将具有水膜的所述硅片放入氢氟酸溶液中，调整所述氢氟酸溶液的高度不高于所述硅片；
[0008]在所述水膜对所述硅片正面的氮化硅膜形成保护的基础上，利用所述氢氟酸溶液去除位于所述硅片背面的绕镀膜；
[0009]喷水清除残留在所述硅片上的所述氢氟酸溶液。
[0010]优选的，在上述除绕镀膜的方法中，在所述喷水清除残留在所述硅片上的所述氢氟酸溶液之后，还包括:
[0011]利用质量比为0.1%至0.5%的氢氧化钾溶液继续清除残留在所述硅片上的氢氟酸溶液，持续时间为1分钟至2分钟。
[0012]优选的，在上述除绕镀膜的方法中，在所述利用质量比为0.1%至0.5%的氢氧化钾溶液继续清除残留在所述硅片上的氢氟酸溶液之后，还包括:
[0013]将所述硅片放入第一水槽中，利用清水清除残留在所述硅片上的氢氧化钾溶液。
[0014]优选的，在上述除绕镀膜的方法中，在所述利用清水清除残留在所述硅片上的氢氧化钾溶液之后，还包括:
[0015]利用质量比为10%至20 %的氢氧化钾溶液对所述硅片的背面进行抛光，持续时间为250秒至400秒。
[0016]优选的，在上述除绕镀膜的方法中，在所述利用质量比为10%至20%的氢氧化钾溶液对所述硅片的背面进行抛光之后，还包括:
[0017]利用体积比为15 %至20 %的氢氟酸溶液浸泡所述硅片400秒至500秒，去除所述硅片的正面的氮化硅膜。
[0018]优选的，在上述除绕镀膜的方法中，在所述去除所述硅片的正面的所述氮化硅膜之后，还包括:
[0019]将所述硅片放入第二水槽中，利用清水清除残留的氢氟酸溶液并进行风干。
[0020]优选的，在上述除绕镀膜的方法中，所述在硅片正面的氮化硅膜表面形成水膜为:
[0021]利用悬挂的喷管缓慢喷出水膜，在硅片正面的氮化硅膜表面形成水膜。
[0022]优选的，在上述除绕镀膜的方法中，所述将具有水膜的所述硅片放入氢氟酸溶液中为:
[0023]将具有水膜的所述硅片放入体积比为1%至2%的氢氟酸溶液中。
[0024]优选的，在上述除绕镀膜的方法中，所述利用所述氢氟酸溶液去除位于所述硅片背面的绕镀膜为:
[0025]利用所述氢氟酸溶液去除位于所述硅片背面的绕镀膜，持续时间为3分钟至4分钟。
[0026]优选的，在上述除绕镀膜的方法中，所述喷水清除残留在所述硅片上的所述氢氟酸溶液为:
[0027]将所述硅片放置于第三水槽中，利用所述喷管对所述硅片喷水，清除残留在所述硅片上的所述氢氟酸溶液，持续时间为1分钟至2分钟。
[0028]通过上述描述可知，本发明提供的上述除绕镀膜的方法，首先在硅片正面的氮化硅膜表面形成水膜，再将具有水膜的所述硅片放入氢氟酸溶液中，调整所述氢氟酸溶液的高度不高于所述硅片，然后在所述水膜对所述硅片正面的氮化硅膜形成保护的基础上，利用所述氢氟酸溶液去除位于所述硅片背面的绕镀膜，最后喷水清除残留在所述硅片上的所述氢氟酸溶液，由于氮化硅膜具有亲水特性，因此水膜会静止的均匀分布，而且由于正面具有水膜，当因毛细现象氢氟酸溶液被吸附到正面时，氢氟酸会被正面的水膜稀释后浓度更低，因此降低氢氟酸对正面氮化硅膜的腐蚀，从而能够在低成本的前提下，提高去除绕镀膜的效率，使背面抛光更均匀，同时不影响正面绒面，提高电池片效率。
【附图说明】
[0029]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0030]图1为本申请实施例提供的第一种除绕镀膜的方法的示意图；
[0031]图2为本申请实施例提供的第二种除绕镀膜的方法的示意图；
[0032]图3为本申请实施例提供的第三种除绕镀膜的方法的示意图。
【具体实施方式】
[0033]本发明的核心思想在于提供一种除绕镀膜的方法，能够在低成本的前提下，提高去除绕镀膜的效率，使背面抛光更均匀，同时不影响正面绒面，从而提高电池片效率。
[0034]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0035]本申请实施例提供的第一种除绕镀膜的方法如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种除绕镀膜的方法的示意图。该方法包括如下步骤:
[0036]S1:在硅片正面的氮化硅膜表面形成水膜；
[0037]S2:将具有水膜的所述硅片放入氢氟酸溶液中，调整所述氢氟酸溶液的高度不高于所述硅片；
[0038]S3:在所述水膜对所述硅片正面的氮化硅膜形成保护的基础上，利用所述氢氟酸溶液去除位于所述硅片背面的绕镀膜；
[0039]S4:喷水清除残留在所述硅片上的所述氢氟酸溶液。
[0040]上述第一种除绕镀膜的方法既可以应用在对单晶硅片除绕镀膜，也可以应用在对多晶硅片除绕镀膜，只是工艺中的具体参数会有所不同。
[0041]通过上述描述可知，本申请实施例提供的上述除绕镀膜的方法，首先在硅片正面的氮化硅膜表面形成水膜，再将具有水膜的所述硅片放入氢氟酸溶液中，调整所述氢氟酸溶液的高度不高于所述硅片，然后在所述水膜对所述硅片正面的氮化硅膜形成保护的基础上，利用所述氢氟酸溶液去除位于所述硅片背面的绕镀膜，最后喷水清除残留在所述硅片上的所述氢氟酸溶液，由于氮化硅膜具有亲水特性，因此水膜会静止的均匀分布，而且由于正面具有水膜，当氢氟酸溶液因毛细作用被吸附到正面时，氢氟酸会被正面的水膜稀释后浓度更低，因此降低氢氟酸对正面氮化硅膜的腐蚀，从而能够在低成本的前提下，提高去除绕镀膜的效率，使背面抛光更均匀，同时不影响正面绒面，提高电池片效率。
[0042]作为另一个优选实施例，在上述步骤S4之后，还可以包括如下步骤:
[0043]S5:利用质量比为0.1 %至0.5%的氢氧化钾溶液继续清除残留在所述硅片上的氢氟酸溶液，持续时间为1分钟至2分钟。这里利用的是酸碱中和的原理去清除残留的氢氟酸溶液，在经过多次试验后得到的该氢氧化钾溶液的质量比的范围，利用该种质量比的氢氧化钾溶液能够将残留的氢氟酸清除的更彻底，效果更好，需要说明的是，该步骤仅仅是上述第一种除绕镀膜的方法的一个优选方案，而并不是其必须的步骤，实际上，如果没有此步骤，也并不会妨碍上述第一种除绕镀膜的方法的实现。
[0044]在上述步骤S5之后，硅片上可能残留有少量的氢氧化钾溶液，因此在一些情况下可以添加对其进行去除的步骤，可选的，在步骤S5之后，可以包括以下步骤:
[0045]S6:将所述硅片放入第一水槽中，利用清水清除残留在所述硅片上的氢氧化钾溶液。
[0046]在该步骤中，利用清水能够有效去除残留的氢氧化钾溶液，且最终硅片上既没有酸也没有碱，不会对后续步骤产生任何不良影响，此处需要注意的是，该步骤仅仅是对上述第一种除绕镀膜的方法的又一个优选步骤，利用该优选步骤能够使硅片的后续处理不会受到不良影响，具有有益效果，但是如果没有该步骤，也并不影响上述方法的实现。
[0047]另外，在上述步骤S6之后，还可以包括如下步骤:
[0048]S7:利用质量比为10%至20%的氢氧化钾溶液对所述硅片的背面进行抛光，持续时间为250秒至400秒。
[0049]在这个对硅片背面进行抛光的过程中，所用的氢氧化钾的质量比选取为10%至20 %，这是经过多次试验获得的优选参数，能够使抛光效果更好，而且抛光持续时间的范围也是经过多次试验证实的优选时间。另外，该步骤也是能够使上述第一种除绕镀膜的方法所取得更好效果的一个步骤，实际上，如果没有此步骤也并不影响上述方法的实现。
[0050]在上述步骤S7之后，还可以包括如下步骤:
[0051 ] S8:利用体积比为15 %至20 %的氢氟酸溶液浸泡所述娃片400秒至500秒，去除所述硅片的正面的氮化硅膜。
[0052]由于步骤S7已经对硅片背面进行了抛光，因此硅片正面的起保护作用的氮化硅膜也就不再发挥作用，可以对其进行去除，而经过多次试验得出15%至20%的氢氟酸溶液对正面氮化硅膜去除效果更佳。另外，该步骤也只是上述第一种除绕镀膜方法的优选步骤，如果没有此步骤也并不会影响上述方法的实现。
[0053]在上述步骤S8之后，也可以包括如下步骤:
[0054]S9:将所述硅片放入第二水槽中，利用清水清除残留的氢氟酸溶液并进行风干。
[0055]为了使最终得到的硅片具有中性的洁净表面，可以设置该优选步骤，而该步骤也